研磨片、其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113814888A(43)申请公布日2021.12.21(21)申请号202110686673.7H01L21/306(2006.01)(22)申请日2021.06.21H01L21/66(2006.01)(30)优先权数据10-2020-00751012020.06.19KR10-2020-00751022020.06.19KR(71)申请人SKC索密思株式会社地址韩国京畿道(72)发明人安宰仁金京焕尹晟勋徐章源明康植(74)专利代理机构上海弼兴律师事务所31283代理人王卫彬徐婕超(51)Int.Cl.B24B37/12(2012.01)B24D18/00(2006.01)B24B1/00(2006.01)权利要求书2页说明书31页附图5页(54)发明名称研磨片、其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法(57)摘要本发明的实例涉及一种半导体的化学机械研磨(chemicalmechanicalplanarization，CMP)工序中使用的研磨片、其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法，本发明实例的研磨片可通过在进行研磨后调节研磨片的表面粗糙度特性来提高研磨率、显著减少晶圆的表面残留物、表面划痕以及振痕。CN113814888ACN113814888A权利要求书1/2页1.一种研磨片，其特征在于，利用硅氧化膜晶圆来在以200cc/分钟的速度向研磨片上喷射煅烧二氧化铈浆料的过程中分别对25片假晶圆进行60秒钟的研磨，分别对2片监测晶圆进行60秒钟的研磨，之后在利用光学用表面粗糙度测定仪测定研磨后的上述研磨片时，在基于ISO25178‑2标准的面积材料比曲线中满足下式1及式2：[式1]0.020≤Vmp(10)/Vvv(80)≤1.000；[式2]0.005≤Vmp(10)/Vmc(10，80)≤2.000，在上述式1及式2中，上述Vmp(10)为相当于上游10％的峰的材料体积，上述Vvv(80)为相当于上游80％至100％的谷的空隙体积，上述Vmc(10，80)为相当于上游10％至80％的芯部的材料体积。2.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，在对上述假晶圆进行研磨之前，通过执行10分钟至20分钟的研磨前工序，来对研磨片的研磨层进行修整处理。3.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，上述Vmp(10)为0.020至0.900，上述Vvv(80)为0.200至10.000，上述Vmc(10，80)为0.200至11.000。4.根据权利要求1所述的研磨片，其特征在于，研磨后的上述研磨片满足下式3：[式3]0.027≤Vmp(10)/{Vv(0)+Vvv(80)+Vmc(10，80)}≤3.100，在上述式3中，上述Vmp(10)、Vvv(80)以及Vmc(10，80)的含义与上述内容中的定义相同，上述Vv(0)为空隙的总体积。5.根据权利要求4所述的研磨片，其特征在于，上述Vv(0)为3.000至57.000，或者上述Vv(0)、Vvv(80)以及Vmc(10，80)的总和为4.200至70.400，上述研磨片的研磨前及研磨后的Vmp(10)/Vvv(80)之差的绝对值为0.005至0.800，上述研磨片的研磨前及研磨后的Vmp(10)/Vv(0)之差的绝对值为0.002至0.087。6.一种研磨片，其特征在于，利用硅氧化膜晶圆来在以200cc/分钟的速度向研磨片上喷射煅烧二氧化铈浆料的过程中分别对25片假晶圆进行60秒钟的研磨，分别对2片监测晶圆进行60秒钟的研磨，之后在利用光学用表面粗糙度测定仪测定研磨后的上述研磨片时，在基于ISO25178‑2标准的面积材料比曲线中满足下式4：[式4]0.002≤Vmp(10)/Vv(0)≤0.100，在上述式4中，上述Vmp(10)为相当于上游10％的峰的材料体积，上述Vv(0)为空隙的总体积。7.根据权利要求6所述的研磨片，其特征在于，2CN113814888A权利要求书2/2页上述Vmp(10)为0.020至0.900，上述Vv(0)为3.000至57.000。8.根据权利要求6所述的研磨片，其特征在于，研磨后的上述研磨片满足下式3：[式3]0.027≤Vmp(10)/{Vv(0)+Vvv(80)+Vmc(10，80)}≤3.100在上述式3中，上述Vmp(10)以及Vv(0)的含义与上述内容中的定义相同，上述Vvv(80)为相当于上游80％至100％的谷的空隙体积，上述Vmc(10，80)为相当于上游10％至80％的芯部的材料体积。9.根据权利要求8所述的研磨片，其特征在于，上述Vvv(80)为0.200至10.000，上述Vmc(10，80)为0.200至11.000，上述Vv(0)、Vv