半导体器件、其制造方法以及其制造装置.pdf
是湛****21
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半导体器件、其制造方法以及其制造装置.pdf
本发明提供能防止氧化物半导体的特性变化且寄生电容较小的半导体器件、其制造方法和其制作装置。在具有自下方层叠栅电极(12)、IGZO膜(40)以及沟道保护膜(17)而成的层叠构造的TFT(10)中,通过将具有反映了栅电极的宽度的光致抗蚀剂掩模(41a)用作掩模而将沟道保护膜局部去除,从而使IGZO膜局部暴露,将IGZO膜的暴露的部分和沟道保护膜的残留的部分置于自氟化硅气体和氮气混合而成的、不含有氢的处理气体生成的等离子体中,并利用由含有氟的氮化硅膜构成的钝化膜(18)来覆盖IGZO膜的暴露的部分和沟道保护膜
有机发光器件的制造方法、其制造系统及其制造装置.pdf
本发明提供一种有机发光器件的制造方法,采用如下的制造装置,该制造装置在遮住外部光并配置着照射由500nm以上的波长成分构成的光的照明装置的环境下设置,并具有:制造装置本体,该制造装置本体具有用于排出包括有机发光材料的墨的墨排出部;以及透光性的管,该透光性的管形成收容着所述墨的箱和所述墨排出部之间的墨输送路的至少一部分。在该有机发光器件的制造方法中,在对透光性的管照射的光的照度E(勒克司)和光照射的时间的长度T(小时)的累计照度ET满足ET≥α×17500(勒克司×小时)(常数α≥1)的关系时,取出墨输送路
半导体装置和半导体器件及其制造方法.pdf
本申请涉及一种半导体装置,其包括具有优选单片半导体衬底,特别是硅衬底(2)的晶圆(1),以及在半导体衬底(2)内和/或上延伸的至少一个集成电子部件(3),其中,所述晶圆(1)包括具有集成电子部件(3)或至少一个集成电子部件的前段制程(5),以及包括位于前段制程(5)上方的后段制程(6)和光子平台(8),所述光子平台(8)在背离前段制程(5)的晶圆(1)的侧面(9)制造,平台包括至少一个波导(12)和至少一个电光器件(15),特别是至少一个光电探测器和/或至少一个电光调制器,其中所述光子平台(8)的电光器件
研磨片、其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法.pdf
本发明的实例涉及一种半导体的化学机械研磨(chemicalmechanicalplanarization,CMP)工序中使用的研磨片、其制造方法以及利用其的半导体器件的制造方法,本发明实例的研磨片可通过在进行研磨后调节研磨片的表面粗糙度特性来提高研磨率、显著减少晶圆的表面残留物、表面划痕以及振痕。
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