半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939278A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202210661382.7H01L33/50(2010.01)(22)申请日2022.06.13(30)优先权数据10-2021-01319672021.10.05KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人洪硕佑金铉埈金东均金东湖朴俊勇黄京旭黄俊式(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105专利代理师程丹辰(51)Int.Cl.H01L33/36(2010.01)H01L33/00(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书4页说明书16页附图14页(54)发明名称半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法(57)摘要提供了一种半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法。该半导体发光器件包括：半导体结构，包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；侧延伸结构，与半导体结构的侧壁相邻设置；第一电极，具有延伸穿过第二半导体层和发光层并电连接到第一半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分；以及第二电极，具有电连接到第二半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分。CN115939278ACN115939278A权利要求书1/4页1.一种半导体发光器件，包括：半导体结构，包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；侧延伸结构，与所述半导体结构的侧壁相邻设置；第一电极，具有延伸穿过所述第二半导体层和所述发光层并电连接到所述第一半导体层的第一部分、以及在所述侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分；以及第二电极，具有电连接到所述第二半导体层的第一部分、以及在所述侧延伸结构的所述上表面上在所述水平方向上延伸的第二部分。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一电极的所述第二部分的一部分和所述第二电极的所述第二部分的一部分在所述水平方向上延伸超出所述半导体结构的所述侧壁并设置在所述侧延伸结构上。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，进一步包括设置在所述第二半导体层的表面和所述侧延伸结构的表面上的绝缘层。4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述绝缘层在所述第二半导体层和所述发光层内部与所述第一电极的所述第一部分的侧壁相邻设置，使得所述第一电极与所述第二半导体层和所述发光层间隔开，以及其中所述第二电极的所述第一部分穿过所述绝缘层与所述第二半导体层接触。5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中所述第一电极的所述第二部分和所述第二电极的所述第二部分设置在所述绝缘层的表面上。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述侧延伸结构包括：第一侧延伸结构，与所述半导体结构的所述侧壁间隔开并与所述半导体结构的所述侧壁相邻设置；以及第二侧延伸结构，设置在所述半导体结构的所述侧壁和所述第一侧延伸结构之间。7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中所述第二侧延伸结构延伸到所述第一侧延伸结构的上表面。8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，进一步包括：第一凸块，设置在所述第一电极上；以及第二凸块，设置在所述第二电极上。9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中所述第一凸块的至少一部分和所述第二凸块的至少一部分与所述半导体结构的所述侧壁相邻延伸并面对所述侧延伸结构的表面。10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，进一步包括功能层，所述功能层设置在所述第二半导体层的表面上并包括金属或透明导体。11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述半导体结构的宽度或直径在从1μm至100μm的范围内。12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述半导体发光器件的宽度或直径是所述半导体结构的所述宽度或直径的1.5至2.5倍。13.一种显示装置，包括：显示基板，包括驱动电路；以及多个半导体发光器件，设置在所述显示基板上，2CN115939278A权利要求书2/4页其中每个所述半导体发光器件包括：半导体结构，包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层；侧延伸结构，与所述半导体结构的侧壁相邻设置；第一电极，具有延伸穿过所述第二半导体层和所述发光层并电连接到所述第一半导体层的第一部分、以及在所述侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分；以及第二电极，具有电连接到所述第二半导体层的第一部分、以及在所述侧延伸结构的所述上表面上在所述水平方向上延伸的第二部分。14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述多个半导体发光器件包括彼此相邻设置的第一半导体发光器件和第二半导体发光器件，以及其中所述第一半导体发光器件和所述第二半导体发光器件共用设置在所述第一半导体发光器件和所述第二半导体发光器件之间的单个侧延伸结构