一种可有效清洗晶圆表面的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114420538A(43)申请公布日2022.04.29(21)申请号202111674388.X(22)申请日2021.12.31(71)申请人至微半导体（上海）有限公司地址200241上海市闵行区紫海路170号1幢3层03室(72)发明人廖世保陈丁堃邓信甫毛明军(74)专利代理机构上海申新律师事务所31272代理人竺路玲(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)B08B3/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种可有效清洗晶圆表面的方法(57)摘要本发明公开了一种可有效清洗晶圆表面的方法，涉及到半导体技术领域，包括S1、将晶圆夹持在晶圆承载平台上，驱动晶圆承载平台按照第一转速进行旋转；S2、通过喷嘴正对晶圆的中心部分，使喷嘴的轴线与晶圆表面垂直，通过喷嘴喷射第一清洗液；S3、旋转喷嘴，使喷嘴的轴线与晶圆表面呈30～45°夹角，并持续向晶圆表面喷射第二清洗液；S4、喷射第二清洗液时，保持喷嘴倾斜角度不变，并驱动喷嘴沿晶圆的半径方向往复移动。本发明中，能够将第二清洗液有效扩散至晶圆的边缘区域，能够有效去除晶圆表面的杂质并快速的移除第一清洗液残留物，且第一转速为线性增加，使得第一清洗液以及第二清洗液可以形成瑞流，便于更多的清洗液堆积在晶圆的边缘。CN114420538ACN114420538A权利要求书1/1页1.一种可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，包括：S1、将晶圆夹持在晶圆承载平台上，并驱动所述晶圆承载平台按照第一转速进行旋转；S2、通过喷嘴正对所述晶圆的中心部分，并使得所述喷嘴的轴线与所述晶圆表面垂直，通过所述喷嘴喷射第一清洗液；S3、旋转所述喷嘴，使得所述喷嘴的轴线与所述晶圆表面呈30～45°夹角，并持续向晶圆表面喷射第二清洗液；S4、喷射所述第二清洗液时，保持所述喷嘴倾斜角度不变，并驱动所述喷嘴沿所述晶圆的半径方向往复移动。2.如权利要求1所述的可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，所述第一转速呈线性增加至指定转速直至完成所述第二清洗液的清洗过程。3.如权利要求1所述的可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，所述第一清洗液清洗过程中，由所述晶圆的中心部分向所述晶圆表面通入热气流。4.如权利要求1所述的可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，所述晶圆承载平台上正对所述晶圆的中心部分设有氮气喷头。5.如权利要求1所述的可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，所述第一清洗液的喷射时间为13～17s。6.如权利要求1所述的可有效清洗晶圆表面的方法，其特征在于，所述第二清洗液的喷射时间为32～35s。2CN114420538A说明书1/3页一种可有效清洗晶圆表面的方法技术领域[0001]本发明涉及到半导体技术领域，尤其涉及到一种可有效清洗晶圆表面的方法。背景技术[0002]在半导体制造的工艺中，通常需要对晶圆的表面以及边缘进行清洗，以去除晶圆表面上的膜层以及杂质，保证后续工艺正常进行。[0003]现有技术清洗晶圆清洗的方法为，向晶圆边缘及表面提供清洗溶液，但是晶圆边缘及表面膜层清洗不完全；且在清洗后容易形成残留物，造成半导体产品具有缺陷。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种可有效清洗晶圆表面的方法，用于解决上述技术问题。[0005]本发明采用的技术方案如下：[0006]一种可有效清洗晶圆表面的方法，包括：[0007]S1、将晶圆夹持在晶圆承载平台上，并驱动所述晶圆承载平台按照第一转速进行旋转；[0008]S2、通过喷嘴正对所述晶圆的中心部分，并使得所述喷嘴的轴线与所述晶圆表面垂直，通过所述喷嘴喷射第一清洗液；[0009]S3、旋转所述喷嘴，使得所述喷嘴的轴线与所述晶圆表面呈30～45°夹角，并持续向晶圆表面喷射第二清洗液；[0010]S4、喷射所述第二清洗液时，保持所述喷嘴倾斜角度不变，并驱动所述喷嘴沿所述晶圆的半径方向往复移动。[0011]作为优选，所述第一转速呈线性增加至指定转速直至完成所述第二清洗液的清洗过程。[0012]作为优选，所述第一清洗液清洗过程中，由所述晶圆的中心部分向所述晶圆表面通入热气流。[0013]作为优选，所述晶圆承载平台上正对所述晶圆的中心部分设有氮气喷头。[0014]作为优选，所述第一清洗液的喷射时间为13～17s。[0015]作为优选，所述第二清洗液的喷射时间为32～35s。[0016]上述技术方案具有如下优点或有益效果：[0017]本发明中，向晶圆的表面喷射第一清洗液和第二清洗液，且喷射第二清洗液时，喷嘴旋转至倾斜状态并进行往复式的摆动，能够将第二清洗液有效扩散至晶圆的边缘区域，能够有效去除晶圆表面的杂质并快速的移除第一清洗液