一种溅射后LCD靶材的处理方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114686839A(43)申请公布日2022.07.01(21)申请号202210324311.8(22)申请日2022.03.29(71)申请人广东江丰电子材料有限公司地址516001广东省惠州市惠州仲恺高新区东江产业园东新大道106号创新大厦18楼1803T号房(72)发明人姚力军潘杰王学泽赵丽李闯范文新周伟君(74)专利代理机构北京远智汇知识产权代理有限公司11659专利代理师牛海燕(51)Int.Cl.C23C14/58(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种溅射后LCD靶材的处理方法(57)摘要本发明提供一种溅射后LCD靶材的处理方法，所述处理方法包括对溅射后LCD靶材的背板进行喷砂处理，去除背板上残留的溅射物。所述处理方法操作简单，处理成本较低，实现了溅射后LCD靶材中背板的回收利用；而且喷砂处理中用到的砂料可以回收重复利用，不会对环境造成污染，是一种绿色经济的靶材回收处理方法，适合大规模推广应用。CN114686839ACN114686839A权利要求书1/1页1.一种溅射后LCD靶材的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括对溅射后LCD靶材的背板进行喷砂处理，去除背板上残留的溅射物。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述喷砂处理在喷砂机中进行。3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述喷砂处理采用的砂料包括白刚玉。4.根据权利要求1～3任一项所述的处理方法，其特征在于，所述喷砂处理的砂料粒径包括12目～60目，优选为46目。5.根据权利要求1～4任一项所述的处理方法，其特征在于，所述喷砂处理的气压为7～8.5MPa。6.根据权利要求1～5任一项所述的处理方法，其特征在于，所述喷砂处理的时间为15～20min。7.根据权利要求1～6任一项所述的处理方法，其特征在于，所述喷砂处理时，喷砂枪与背板的垂直距离为100～150mm。8.根据权利要求1～7任一项所述的处理方法，其特征在于，所述喷砂处理后背板的粗糙度为5～10μm。9.根据权利要求1～8任一项所述的处理方法，其特征在于，在对所述溅射后LCD靶材的背板进行喷砂处理之前，对溅射后LCD靶材的非喷砂面进行保护处理。10.根据权利要求1～9任一项所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括对溅射后LCD靶材的非喷砂面进行保护处理后，在喷砂机中对溅射后LCD靶材的背板进行喷砂处理，去除背板上残留的溅射物；所述喷砂处理采用的砂料包括白刚玉；所述喷砂处理的砂料粒径包括12目～60目；所述喷砂处理的气压为7～8.5MPa，喷砂处理的时间为15～20min，喷砂枪与背板的垂直距离为100～150mm；所述喷砂处理后背板的粗糙度为5～10μm。2CN114686839A说明书1/5页一种溅射后LCD靶材的处理方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种溅射后LCD靶材的处理方法。背景技术[0002]在半导体工业中，靶材组件是由符合溅射性能的靶材和与所述靶材结合、具有一定强度的背板构成。背板可以在所述靶材组件装配至溅射基台中起到支撑作用，并具有传导热量的功效。[0003]靶材组件的种类相当多，根据形状分为长靶，方靶，圆靶；根据成份可分为金属靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材；根据应用不同又分为半导体关联陶瓷靶材、记录介质陶瓷靶材、显示陶瓷靶材、超导陶瓷靶材和巨磁电阻陶瓷靶材等；根据应用领域分为微电子靶材、磁记录靶材、光碟靶材、贵金属靶材、薄膜电阻靶材、导电膜靶材、表面改性靶材、光罩层靶材、装饰层靶材、电极靶材、其他靶材。[0004]靶材组件用于磁控溅射镀膜，溅射镀膜是一种新型的物理气相镀膜(PVD)方式。在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为氩气)，在电场的作用下，氩气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极附近形成高密度的等离子体，氩离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。[0005]靶材组件在实际使用过程中，由于溅射原理、方式等原因，靶材的使用率仅为30‑50％。对废旧靶材组件进行处理并回收能够降低资源和能源消耗，减轻环境压力。[0006]CN109320231A公开了一种ITO靶材的回收处理方法，采用抛光和加热的方式去除回收的ITO靶材的表面粗铟和表面杂质，接着再将其粉碎成纳米粉末状，之后放入烧结炉中高温烧结提纯，得到提纯后的旧料粉末，再将旧料粉末混匀到新料粉末中，加入纯水制成混合浆料，然后对混合浆料进行脱泡处理，放入成型模具中制成靶材胚料，