一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114774877A(43)申请公布日2022.07.22(21)申请号202210506190.9(22)申请日2022.05.10(71)申请人苏州迈为科技股份有限公司地址215200江苏省苏州市吴江区芦荡路228号(72)发明人张永胜解传佳武瑞军莫超超杨肸曦彭孝龙周振国(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332专利代理师李林(51)Int.Cl.C23C14/54(2006.01)C23C14/35(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备(57)摘要本发明属于溅射镀膜技术领域，公开了一种提高旋转靶材利用率的溅射方法及溅射设备。该提高旋转靶材利用率的溅射方法中，在线获取位于真空室内的所述靶材的形貌信息；根据所述靶材的形貌信息自动生成所述靶材的外径形貌拟合图；根据所述外径形貌拟合图，自动控制所述靶材轴向各处的磁场强度，以使所述靶材均匀消耗。在线获取靶材刻蚀情况并自动调整磁场强度，不需要对真空室破除真空后取出靶材调整更方便，且有利于提高调整频率，从而能够及时调整靶材轴向各处的磁场强度，有利于增大靶材利用率的调整幅度。本发明提供的溅射设备能够在线获取靶材表面刻蚀情况并调整对应位置磁场强度，不需人工操作，效率高，调整及时，能明显改善靶材的利用率。CN114774877ACN114774877A权利要求书1/2页1.一种提高旋转靶材利用率的溅射方法，其特征在于，包括：在线获取位于真空室内的所述靶材的形貌信息；根据所述靶材的形貌信息自动生成所述靶材的外径形貌拟合图；根据所述外径形貌拟合图，自动控制所述靶材轴向各处的磁场强度，以使所述靶材均匀消耗。2.根据权利要求1所述的提高旋转靶材利用率的溅射方法，其特征在于，在线获取位于真空室内的所述靶材的形貌信息包括：在生产间隙期间，在线获取所述靶材上沿轴向排列的多个采集点的径向尺寸。3.根据权利要求1所述的提高旋转靶材利用率的溅射方法，其特征在于，根据所述外径形貌拟合图，自动控制所述靶材轴向各处的磁场强度包括：根据所述外径形貌拟合图，获取刻蚀均匀位置以及刻蚀深点的位置；减弱与所述刻蚀深点对应位置处的磁场强度。4.根据权利要求3所述的提高旋转靶材利用率的溅射方法，其特征在于，减弱与所述刻蚀深点对应位置处的磁场强度包括：获取所述刻蚀深点与所述刻蚀均匀位置的尺寸差；获取所述尺寸差所在差值区间；获取与所述差值区间对应的磁场强度减弱值；根据所述磁场强度减弱值调整与所述刻蚀深点对应位置处的磁场强度。5.根据权利要求4所述的提高旋转靶材利用率的溅射方法，其特征在于，当所述刻蚀深点与所述刻蚀均匀位置的尺寸差为0.5mm‑1.5mm时，所述磁场强度减弱值为140Gs‑160Gs；当所述刻蚀深点与所述刻蚀均匀位置的尺寸差为1.5mm‑2.5mm时，所述磁场强度减弱值为280Gs‑320Gs。6.一种溅射设备，其特征在于，包括：真空室(10)；靶材(20)，转动设置于所述真空室(10)内；磁控组件(30)，设置于所述靶材(20)内；检测机构(40)，设置于所述真空室(10)内，用于检测所述靶材(20)的形貌信息；调节机构(50)，所述调节机构(50)被配置为根据所述检测机构(40)的检测结果选择性调整所述靶材(20)轴向各处的磁场强度。7.根据权利要求6所述的溅射设备，其特征在于，所述检测机构(40)包括：导轨(41)，设置于所述真空室(10)内且沿所述靶材(20)的轴向延伸；检测件(42)，滑动设置于所述导轨(41)上，用于检测所述检测件(42)到所述靶材(20)的径向距离；检测驱动件，用于驱动所述检测件(42)沿所述导轨(41)滑动。8.根据权利要求7所述的溅射设备，其特征在于，所述检测机构(40)还包括：移动挡板(43)，活动设置于所述检测件(42)与所述靶材(20)之间，所述移动挡板(43)被配置为在所述靶材(20)溅射时将所述靶材(20)与所述检测件(42)隔开。9.根据权利要求6‑8中任一项所述的溅射设备，其特征在于，所述磁控组件(30)包括磁轭(31)和磁铁阵列，所述磁轭(31)设置于所述靶材(20)内，所述磁铁阵列设置于所述磁轭2CN114774877A权利要求书2/2页(31)上；所述调节机构(50)包括沿所述靶材(20)轴向分布的多个调节组件，所述调节组件的输出端与所述磁轭(31)连接，所述调节组件的输出端能够沿所述靶材(20)的径向往复移动，以带动与所述调节组件输出端连接处的所述磁轭靠近或远离所述靶材(20)。10.根据权利要求9所述的溅射设备，其特征在于，所述磁控组件(30)还包括封装结构(33)，所述封装结构(33)设置于所述靶材(20)内，所述封装