半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114721234A(43)申请公布日2022.07.08(21)申请号202210322669.7(22)申请日2022.03.29(71)申请人昆山一鼎工业科技有限公司地址215300江苏省苏州市昆山市玉山镇望山北路399号(72)发明人陈利解门松明珠周爱和(74)专利代理机构常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙)32409专利代理师吴霜(51)Int.Cl.G03F7/30(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置(57)摘要本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造的技术领域，具体涉及半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置，这种半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置包括：相对设置的上显影槽和下显影槽；上显影槽的下部设置有若干上喷嘴，下显影槽的上部设置有若干下喷嘴，上喷嘴和下喷嘴错位相对，若干上喷嘴为阵列分布，一列上的上喷嘴呈W分布，若干下喷嘴为阵列分布，一列上的下喷嘴呈W分布；上显影槽和下显影槽设置有上下移动机构，上下移动机构包括竖向滑动杆、设于竖向滑动杆上的上连接块和下连接块。这种半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置具有能够多角度清除产品表面微小颗粒残留，便于后续加工，提升产品质量的效果。CN114721234ACN114721234A权利要求书1/1页1.一种半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置，其特征在于，包括：相对设置的上显影槽(1)和下显影槽(2)；所述上显影槽(1)的下部设置有若干上喷嘴(11)，所述下显影槽(2)的上部设置有若干下喷嘴(21)，所述上喷嘴(11)和下喷嘴(21)错位相对，若干所述上喷嘴(11)为阵列分布，一列上的所述上喷嘴(11)呈W分布，若干所述下喷嘴(21)为阵列分布，一列上的所述下喷嘴(21)呈W分布；所述上显影槽(1)和下显影槽(2)设置有上下移动机构(3)，所述上下移动机构(3)包括竖向滑动杆(31)、设于竖向滑动杆(31)上的上连接块(32)和下连接块(33)，所述上连接块(32)连接于所述上显影槽(1)，所述下连接块(33)连接于所述下显影槽(2)；所述竖向滑动杆(31)上设置有转动机构(4)，所述转动机构(4)包括与竖向滑动杆(31)同轴连接的转动动力件(41)和设于连接块上的固定块件(42)，所述固定块件(42)包括与上连接块(32)连接的上固定块(421)和与下连接块(33)连接的下固定块(422)。2.如权利要求1所述的半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置，其特征在于，所述上显影槽(1)的两侧均设置有上滑移板(5)，两块所述上滑移板(5)相对面均设置有上横向滑移轨道(51)，所述上显影槽(1)设置有与上横向滑移轨道(51)滑动连接的上滚轮(12)。3.如权利要求2所述的半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置，其特征在于，所述下显影槽(2)的两侧均设置有下滑移板(6)，两块所述下滑移板(6)相对面均设置有下横向滑移轨道(61)，所述下显影槽(2)设置有与下横向滑移轨道(61)滑动连接的下滚轮(22)。4.如权利要求3所述的半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置，其特征在于，所述上显影槽(1)和下显影槽(2)上均设置有显影液喷出压力装置(7)；所述显影液喷出压力装置(7)包括设于所述上显影槽(1)的上喷射管(71)和设于下显影槽(2)的下喷射管(72)；所述上喷射管(71)和下喷射管(72)内喷射显影液，显影液交叉对向喷射流动。5.如权利要求4所述的半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置，其特征在于，还包括显影液喷出压力感应模块，所述显影液喷出压力感应模块设于所述上喷射管(71)和所述下喷射管(72)上，所述显影液喷出压力感应模块以感应显影液喷出压力。6.如权利要求5所述的半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置，其特征在于，所述上喷射管(71)和所述下喷射管(72)连接放置显影液的母槽，所述母槽上还设置有显影液温度控制模块，以控制母槽的显影液温度。7.如权利要求6所述的半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置，其特征在于，所述母槽中设置有显影液浓度自动控制模块，以显影液主成分浓度定时分析自动补加。2CN114721234A说明书1/4页半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置技术领域[0001]本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造的技术领域，具体涉及半导体引线框架蚀刻产品制造的显影装置。背景技术[0002]在半导体引线框架制造技术领域中，用蚀刻技术将金属素材制造加工成多种多样的高科技领域所需的精密半导体电子产品成为目前十分重要的课题。例如，半导体集成电路的重要技术核心，芯片制造技术是高尖端科学技术发展的重要基础及核心组成部分；半导体引线框架作为集成电路的芯片载体，是电