一种半导体引线框架封装结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031230A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202310113726.5(22)申请日2023.02.10(71)申请人广东汇芯半导体有限公司地址528000广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一(72)发明人冯宇翔黄浩(74)专利代理机构佛山市禾才知识产权代理有限公司44379专利代理师刘羽波(51)Int.Cl.H01L23/495(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L21/56(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称一种半导体引线框架封装结构及其制造方法(57)摘要本发明提供了一种半导体引线框架封装结构及其制造方法，包括：上模、下模、铝基板、可动PIN针、半导体模组、引线框架、铝基板以及塑封料；上模与下模对应设置形成空腔结构，铝基板固定在第二凹槽内，半导体模组固定在铝基板一侧，半导体模组固定连接引线框架，可动PIN针固定连接在半导体模组上，塑封料填充于空腔结构内；引线框架包括固定连接在半导体模组的第一段、由第一段向靠近上模的方向弯折延伸的第二段、以及由第二段向靠近上模和下模的连接位置方向弯折延伸形成的第三段，第三段设置于上模与下模之间，第一段与第二段的连接处设有第一缺角，第二段与第三段的连接处设有第二缺角。本发明制造工艺简单，可靠性高，适用范围广。CN116031230ACN116031230A权利要求书1/2页1.一种半导体引线框架封装结构，其特征在于，包括：上模、下模、铝基板、相对设置的可动PIN针、半导体模组、相对设置的引线框架、铝基板以及塑封料；所述上模上设有第一凹槽，所述下模设有第二凹槽，所述上模与所述下模对应设置形成空腔结构，所述铝基板固定在所述第二凹槽内，所述半导体模组固定在铝基板靠近所述上模的一侧，所述半导体模组的两端分别固定连接所述引线框架，所述可动PIN针间隔且固定连接在所述半导体模组上，所述塑封料填充于所述空腔结构内；所述引线框架包括固定连接在所述半导体模组的第一段、由所述第一段向靠近所述上模的方向弯折延伸的第二段、以及由所述第二段向靠近所述上模和所述下模的连接位置方向弯折延伸形成的第三段，所述第三段设置于所述上模与所述下模之间，所述第一段与所述第二段的连接处设有第一缺角，所述第二段与所述第三段的连接处设有第二缺角。2.如权利要求1所述的半导体引线框架封装结构，其特征在于，所述第一缺角和所述第二缺角均为三角缺角。3.如权利要求2所述的半导体引线框架封装结构，其特征在于，所述三角缺角为直角结构。4.如权利要求1所述的半导体引线框架封装结构，其特征在于，所述半导体模组包括固定于所述铝基板上的贴片电阻、贴片电容以及多个元器件，所述多个元器件通过导线连接于所述铝基板上。5.如权利要求4所述的半导体引线框架封装结构，其特征在于，所述铝基板包括金属基材、设置在所述金属基材上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的铜箔层以及设置在所述铜箔层上的保护层，所述半导体模组穿过所述保护层连接至所述铜箔层形成电连接。6.如权利要求1所述的半导体引线框架封装结构，其特征在于，所述引线框架与所述铝基板之间间隙接触设置，所述可动PIN针连接至所述铝基板上且与所述引线框架间隔。7.如权利要求1所述的半导体引线框架封装结构，其特征在于，所述引线框架与所述铝基板之间过接触设置，所述可动PIN针连接至所述铝基板上且与所述引线框架间隔。8.如权利要求1所述的半导体引线框架封装结构，其特征在于，所述引线框架与所述铝基板之间正常接触设置，所述可动PIN针连接至所述引线框架上。9.一种如权利要求1‑8任一项所述的半导体引线框架封装结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：S1、将已经做好的所述铝基板成品放入特定载具；S2、在所述铜箔层上预留所述元器件安装位，通过刷锡膏或点银胶将半导体逆变电路芯片通过自动粘晶设备贴装到所述元器件安装位上；S3、通过软焊料固晶机将高压功率器件贴装到表面镀银的铜散热片上，形成元器件半成品；S4、通过自动贴片SMT设备将所述贴片电容、所述贴片电阻及所述元器件半成品贴装到所述元器件安装位上；S5、将整个所述元器件半成品包括载具一起过回流炉将所有的元器件焊接到对应安装位上；S6、通过视觉检查AOI设备对元器件焊接质量进行检测；S7、通过喷淋和超声的清洗方式，清除残留在所述绝缘层上的助焊剂和铝屑的异物；2CN116031230A权利要求书2/2页S8、通过绑定导线，使所述元器件和所述铝基板的电路布线形成电连接；S9、通过机械手或人工将所述引线框架放置到特制载具使所述引线框架放置到所述铝基板对应的安装位上；S10、通过封装设备在所述特定模