掩膜组件以及曝光显影方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114815497A(43)申请公布日2022.07.29(21)申请号202210612050.X(22)申请日2022.05.31(71)申请人云谷（固安）科技有限公司地址065500河北省廊坊市固安新兴示范产业园区(72)发明人吉小龙(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258专利代理师娜拉(51)Int.Cl.G03F1/54(2012.01)G03F7/30(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图7页(54)发明名称掩膜组件以及曝光显影方法(57)摘要本申请提供一种掩膜组件以及曝光显影方法，掩膜组件包括至少一个掩膜板，掩膜板具有沿第一方向并排设置的拼接区和非重叠曝光区，掩膜板包括遮挡部和透光部；遮挡部包括位于拼接区的第一遮挡部和位于非重叠曝光区的第二遮挡部，第一遮挡部和第二遮挡部用于遮挡光线；透光部连接于遮挡部并用于曝光显影，透光部包括位于拼接区的第一透光部和位于非重叠曝光区的第二透光部，第一遮挡部位于第一透光部背离非重叠曝光区的一侧，其中，第一透光部的透光率大于零，且小于第二透光部的透光率。本申请提供的掩膜组件能够降低基板上本该被保留的图案被刻蚀掉的风险，降低基板上形成的图案的线宽变细或者断线的风险。CN114815497ACN114815497A权利要求书1/2页1.一种掩膜组件，其特征在于，包括至少一个掩膜板，所述掩膜板具有沿第一方向并排设置的拼接区和非重叠曝光区，所述掩膜板包括：遮挡部，包括位于所述拼接区的第一遮挡部和位于所述非重叠曝光区的第二遮挡部，所述第一遮挡部和所述第二遮挡部用于遮挡光线；透光部，连接于所述遮挡部并用于曝光显影，所述透光部包括位于所述拼接区的第一透光部和位于所述非重叠曝光区的第二透光部，所述第一遮挡部位于所述第一透光部背离所述非重叠曝光区的一侧，其中，所述第一透光部的透光率大于零，且小于所述第二透光部的透光率。2.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述第一透光部的透光率为所述第二透光部的透光率的一半。3.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，同一所述掩膜板上，所述拼接区包括第一拼接子区和所述第二拼接子区，所述第一拼接子区和所述第二拼接子区分别设置于所述非重叠曝光区相对的两侧；所述第一拼接子区内所述第一透光部的透光率为a1，所述第二拼接子区内所述第一透光部的透光率为a2，所述非重叠曝光区内所述第二透光部的透光率为c，a1＞0，a2＞0，且a1+a2＝c；优选的，a1＝a2＝c/2。4.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，所述拼接区包括位于所述第一掩膜板的第一拼接子区和位于所述第二掩膜板的第二拼接子区，其中，所述第一拼接子区内所述第一透光部的透光率为b1，所述第二拼接子区内所述第二透光部的透光率为b2，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板的所述非重叠曝光区内的所述第二透光部的透光率均为d，b1+b2＝d；优选的，b1＝b2＝d/2。5.根据权利要求3或4所述的掩膜组件，其特征在于，所述第一拼接子区内所述第一透光部和同一所述掩膜板上所述第二遮挡部的最小间距d1、所述第二拼接子区内所述第一透光部的宽度W2满足：d1≥W2；和/或所述第二拼接子区内所述第一透光部和同一所述掩膜板上所述第二遮挡部的最小间距d2、所述第一拼接子区内所述第一透光部的宽度W1满足：d2≥W1。6.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述第一透光部与所述第二遮挡部的最小间距d满足：d≥2μm。7.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，沿所述第一方向，第一透光部的宽度W满足：W≥0.6μm。8.一种曝光显影方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板包括并排设置的第一曝光区、二次曝光区和第二曝光区，所述二次曝光区位于所述第一曝光区和所述第二曝光区之间；提供掩膜组件，所述掩膜组件包括至少一个掩膜板，所述掩膜板具有沿第一方向并排设置的拼接区和非重叠曝光区；所述掩膜板包括遮挡部和透光部，所述遮挡部包括位于所述拼接区的第一遮挡部和位于所述非重叠曝光区的第二遮挡部，所述第一遮挡部和所述第2CN114815497A权利要求书2/2页二遮挡部用于遮挡光线；所述透光部连接于所述遮挡部并用于曝光显影，所述透光部包括位于所述拼接区的第一透光部和位于所述非重叠曝光区的第二透光部，所述第一遮挡部位于所述第一透光部背离所述非重叠曝光区的一侧，其中，所述第一透光部的透光率大于零，且小于所述第二透光部的透光率；采用所述掩膜组件对所述第一曝光区和所述二次曝光区进行第一次曝光显影，所述掩膜板覆盖所述二次曝光区和所述第一曝光区；采用所述掩膜组件对所述第二曝光区和所述二次曝光区进行第二次曝光显影，所述掩膜板覆盖所述