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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114916234A(43)申请公布日2022.08.16(21)申请号202080039920.8(51)Int.Cl.(22)申请日2020.12.08C25D21/04(2006.01)C25D7/12(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2021.11.29(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2020/0456252020.12.08(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/123648JA2022.06.16(71)申请人株式会社荏原制作所地址日本东京都(72)发明人张绍华増田泰之关正也(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227专利代理师康晓宇权利要求书1页说明书9页附图9页(54)发明名称镀覆装置以及镀覆处理方法(57)摘要本发明涉及镀覆装置以及镀覆处理方法。本发明提供一种能够抑制因滞留在隔膜的下表面的工艺气体而导致基板的镀覆品质变差的技术。镀覆装置(1000)具备:镀覆槽(10),在阳极室(13)配置有阳极(11);和基板保持件(30),配置于比阳极室靠上方的位置,并保持作为阴极的基板(Wf),阳极具有沿上下方向延伸的圆筒形状,镀覆装置还具备:气体存积部(60),以在与阳极之间具有空间,并且覆盖阳极的上端、外周面以及内周面的方式设置于阳极室,存积从阳极产生的工艺气体;和排出机构(70),使存积于气体存积部的工艺气体排出到镀覆槽的外部。CN114916234ACN114916234A权利要求书1/1页1.一种镀覆装置,具备:镀覆槽,配置有隔膜,并且在被划分于比所述隔膜靠下方侧的阳极室配置有阳极;和基板保持件,配置于比所述阳极室靠上方的位置,对作为阴极的基板进行保持,其中,所述阳极具有沿上下方向延伸的圆筒形状,所述镀覆装置还具备:气体存积部,以在与所述阳极之间具有空间,并且覆盖所述阳极的上端、外周面以及内周面的方式设置于所述阳极室,存积从所述阳极产生的工艺气体;和排出机构,使存积于所述气体存积部的工艺气体排出到所述镀覆槽的外部。2.根据权利要求1所述的镀覆装置,其中,还具备:阳极掩膜,配置于所述阳极室,具有供在所述阳极与所述基板之间流动的电气通过的开口部;和阳极移动机构,使所述阳极在上下方向移动。3.根据权利要求2所述的镀覆装置,其中,所述阳极掩膜配置为所述阳极掩膜的上表面与所述隔膜的下表面接触。4.根据权利要求2所述的镀覆装置,其中,所述阳极掩膜配置为在所述阳极掩膜的上表面与所述隔膜的下表面之间形成有空间。5.根据权利要求2所述的镀覆装置,其中,所述阳极移动机构经由第一连接部件与所述阳极连接,通过使所述第一连接部件在上下方向移动而使所述阳极在上下方向移动,所述阳极掩膜构成为经由第二连接部件连接于所述第一连接部件,并在所述阳极移动机构使所述第一连接部件移动的情况下与所述阳极一起移动。6.一种镀覆处理方法,是使用镀覆装置的镀覆处理方法,所述镀覆装置具备:镀覆槽,配置有隔膜,并且在被划分于比所述隔膜靠下方侧的阳极室配置有阳极;和基板保持件,配置于比所述阳极室靠上方的位置,对作为阴极的基板进行保持,其中,所述阳极具有沿上下方向延伸的圆筒形状,所述镀覆装置还具备:气体存积部,以在与所述阳极之间具有空间,并且覆盖所述阳极的上端、外周面以及内周面的方式设置于所述阳极室,存积从所述阳极产生的工艺气体;和排出机构,使存积于所述气体存积部的工艺气体排出到所述镀覆槽的外部,所述镀覆处理方法包括:在对所述基板实施镀覆处理的镀覆处理时,通过所述排出机构使存积于所述气体存积部的工艺气体排出到所述镀覆槽的外部。2CN114916234A说明书1/9页镀覆装置以及镀覆处理方法技术领域[0001]本发明涉及镀覆装置以及镀覆处理方法。背景技术[0002]以往,作为对基板实施镀覆处理的镀覆装置,公知有所谓的杯式的镀覆装置(例如,参照专利文献1)。这样的镀覆装置具备:镀覆槽,配置有隔膜,并且在被划分于比该隔膜靠下方侧的阳极室配置有阳极;和基板保持件,配置于比阳极室靠上方的位置,保持作为阴极的基板。另外,在这样的现有的镀覆装置中,阳极具有沿水平方向延伸的平板形状。[0003]此外,作为关于本发明的其他现有技术文献,可列举专利文献2。在该专利文献2中,公开了与阳极掩膜相关的技术。具体而言,在该专利文献2中公开了一种镀覆装置,其具备:阳极掩膜,具有供在阳极与基板之间流动的电气通过的开口部;和变更该开口部的大小的机构(称为开口部可变机构)。根据这样的镀覆装置,通过利用开口部可变机构来变更阳极掩膜的开口部的大小,能够使在阳极与基板之间形成的电场的形成方式变化。[0004]专利文献1:日本特开2008‑19496号公报[0005]专利文献2:日本特开2017‑