用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115236953A(43)申请公布日2022.10.25(21)申请号202210426174.9(22)申请日2022.04.21(30)优先权数据10-2021-00522532021.04.22KR10-2022-00473822022.04.18KR(71)申请人金雄地址韩国大田广域市(72)发明人金雄(74)专利代理机构北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444专利代理师刘晔葛强(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图2页(54)发明名称用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法(57)摘要本发明涉及在制造FPD(LCD、OLED)的工艺中用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物以及利用其的方法。具体地，根据本发明的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物不仅在低温下也能够在短时间内剥离光致抗蚀剂，而且能够在没有对于下膜的表面损伤的情况下进行剥离，同时在清洗后不在衬底上残留光致抗蚀剂残留物。CN115236953ACN115236953A权利要求书1/2页1.一种用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其包含用以下化学式1表示的胺化合物，[化学式1]在所述化学式1中，R1和R2分别独立地为氢、(C1‑C10)烷基或羟基(C1‑C10)烷基，L1和L2分别独立地为(C1‑C12)亚烷基，并且所述L1和L2的亚烷基的‑CH2‑可用‑O‑取代。2.如权利要求1所述的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，用所述化学式1表示的胺化合物用以下化学式2、化学式3或化学式4表示，[化学式2][化学式3][化学式4]在所述化学式2至4中，a、b、c、d、e和f分别独立地为1或2的整数。3.如权利要求1所述的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其包含所述化学式1的胺化合物、非质子性极性有机溶剂和甘醇基化合物。4.如权利要求3所述的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，所述非质子性极性有机溶剂包含选自由N,N‑二甲基丙酰胺、N‑甲基甲酰胺、二甲基亚砜、二甲基乙酰胺、二乙基亚砜、二丙基亚砜、环丁砜、N‑甲基吡咯烷酮、吡咯烷酮、N‑乙基吡咯烷酮、二丙二醇单乙醚和N,N'‑二烷基甲酰胺构成的集群中的一种或两种以上。5.如权利要求3所述的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，所述甘醇基化合物为亚烷基二醇单烷基醚。6.如权利要求5所述的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，所述亚烷基二醇单烷基醚包含选自由乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二甘醇单甲醚、二甘醇单乙醚、二甘醇单丙醚、二甘醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单丁醚、三甘醇单甲醚、三甘醇单乙醚、三甘醇单丙醚、三甘醇单丁醚、三丙二醇单甲醚、三丙二醇单乙醚、三丙二醇单丙醚和三丙二醇单丁醚构成的集群中的一种或两种以上。7.如权利要求3所述的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其还包含防腐蚀剂。8.如权利要求7所述的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，所述防腐蚀剂包含选自2CN115236953A权利要求书2/2页由苯并咪唑基化合物、三唑基化合物和四唑基化合物构成的集群中的一种或两种以上。9.如权利要求8所述的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，所述三唑基化合物包含以下化学式5的化合物，[化学式5]10.如权利要求8所述的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，所述苯并咪唑基化合物包含以下化学式6的化合物，[化学式6]11.如权利要求7所述的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，对于整个用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物的总重量，包含30至60重量％的非质子性极性有机溶剂、20至60重量％的甘醇基化合物、0.1至10重量％的所述化学式1的化合物、0.005至0.6重量％的防腐蚀剂。12.一种光致抗蚀剂剥离方法，包括：在形成有下膜的衬底上形成光致抗蚀剂图案；用所述光致抗蚀剂图案来图案化下膜；以及利用根据权利要求1至11中的任一项所述的用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物来剥离光致抗蚀剂。13.如权利要求12所述的光致抗蚀剂剥离方法，所述下膜包括包含铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合`金的金属膜、氧化硅膜或氮化硅膜的绝缘膜、或者它们的组合。3CN115236953A说明书1/12页用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法技术领域[0001]本发明涉及用于去除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法。背景技术[0002]通常，LED、OLED等的平板显示(FlatPanelDisplay,FPD)器件的精细电路通过光刻工艺来实现。光刻工艺1)将光致抗蚀剂均匀地涂覆在形成在衬底上的导电金属膜或绝缘膜上，2)选择性地对它