盐、光致抗蚀剂组合物及用于制备光致抗蚀剂图案的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102816097A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102816097A(43)申请公布日2012.12.12(21)申请号201210186846.XG03F7/004(2006.01)(22)申请日2012.06.07G03F7/00(2006.01)(30)优先权数据2011-1289202011.06.09JP2011-1667692011.07.29JP2011-2771962011.12.19JP(71)申请人住友化学株式会社地址日本国东京都(72)发明人增山达郎向井优一(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人贺卫国(51)Int.Cl.C07C381/12(2006.01)C07C309/10(2006.01)C07C303/32(2006.01)C07D321/10(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书5151页页附图附图11页(54)发明名称盐、光致抗蚀剂组合物及用于制备光致抗蚀剂图案的方法(57)摘要本发明提供盐、光致抗蚀剂组合物及用于制备光致抗蚀剂图案的方法。本发明公开一种由式(I)表示的盐，其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基，A1表示C1-C30一价有机基团，X1表示其中氢原子可以被羟基代替的C1-C10脂族烃基，m1和m2各自独立地表示1至4的整数，以及Z+表示有机阳离子。CN1028697ACN102816097A权利要求书1/2页1.一种由式(I)表示的盐：其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基，A1表示C1-C30一价有机基团，X1表示其中氢原子可以被羟基代替的C1-C10脂族烃基，m1和m2各自独立地表示1至4的整数，以及Z+表示有机阳离子。2.根据权利要求1所述的盐，其中，A1表示其中氢原子可以被羟基或卤素基团代替并且其中亚甲基可以被氧原子、磺酰基或羰基代替的C3-C30脂环族烃基。3.根据权利要求1或2所述的盐，其中，A1表示其中氢原子可以被羟基代替并且其中亚甲基可以被氧原子、磺酰基或羰基代替的C3-C30脂环族烃基。4.根据权利要求1或2所述的盐，其中，X1是C1-C5脂族烃基。5.根据权利要求1或2所述的盐，其中，X1是C2-C5脂族烃基。6.根据权利要求1或2所述的盐，其中，m1是2。7.根据权利要求1或2所述的盐，其中，Z+是由式(b2-1-1)表示的有机阳离子：其中，Rb19、Rb20和Rb21在每次出现时独立地是卤素原子、羟基、C1-C18烷基、C3-C18脂环族烃基、或C1-C12烷氧基，以及v2、w2和x2各自独立地表示0至5的整数。8.根据权利要求7所述的盐，其中，Rb19、Rb20和Rb21是甲基。9.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含根据权利要求1或2所述的盐以及难溶于或不溶于碱性水溶液但通过酸的作用而可溶于碱性水溶液的树脂。10.根据权利要求9所述的光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物进一步包括具有由式(FI)表示的结构单元的树脂：2CN102816097A权利要求书2/2页其中，RF1表示氢原子或甲基，AF1表示C1-C6烷烃二基，以及RF2表示具有氟原子的C1-C10烃基。11.一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括以下步骤(1)至(5)：(1)将根据权利要求9或10所述的光致抗蚀剂组合物涂覆在基板上的步骤，(2)通过进行干燥而形成光致抗蚀剂膜的步骤，(3)将所述光致抗蚀剂膜曝光于辐射的步骤，(4)烘焙曝光过的光致抗蚀剂膜的步骤，以及(5)将烘焙过的光致抗蚀剂膜用碱性显影液显影，从而形成光致抗蚀剂图案的步骤。3CN102816097A说明书1/51页盐、光致抗蚀剂组合物及用于制备光致抗蚀剂图案的方法技术领域[0001]本发明涉及一种盐、一种光致抗蚀剂组合物以及一种用于制备光致抗蚀剂图案的方法。背景技术[0002]已被积极研究的用于用ArF曝光的光致抗蚀剂组合物被用于采用光刻工艺的半导体微制造。这样的光致抗蚀剂组合物包含：具有酸不稳定基团(acid-labilegroup)的树脂、溶剂和包含盐的酸生成剂(acidgenerator)。[0003]US2008/166660A提及一种光致抗蚀剂组合物，该组合物包括所述树脂、包含三苯基锍＝4-氧代金刚烷-1-基-氧基羰基(二氟)甲磺酸盐的盐。发明内容[0004]本发明提供一种适合用于光刻工艺的光致抗蚀剂组合物。[0005]本发明涉及以下内容：[0006]<1>一种由式(I)表示的盐：[0007][0008]其中Q1和Q2各自独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基，[0009]A1表示C1-C30一价有机基团，[0010]X1表示其中氢原子可以被羟基代替的C1-C10脂