用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113138544A(43)申请公布日2021.07.20(21)申请号202110023695.5(22)申请日2021.01.08(30)优先权数据10-2020-00071122020.01.20KR(71)申请人株式会社LG化学地址韩国首尔(72)发明人宋贤宇孙成旼韩东一朴泰文李东勋(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人高世豪冷永华(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)权利要求书2页说明书11页(54)发明名称用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法(57)摘要本发明涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法，所述用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物具有优异的光致抗蚀剂剥离力，并且可以在剥离过程期间抑制下部金属层的腐蚀并有效地除去氧化物。所述剥离剂组合物包含：其中氮经1至2个碳数为1至5的线性或支化烷基取代的酰胺化合物；胺化合物；极性有机溶剂；水合肼；和基于三唑的化合物。CN113138544ACN113138544A权利要求书1/2页1.一种用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，包含：其中氮经1至2个碳数为1至5的线性或支化烷基取代的酰胺化合物；胺化合物；极性有机溶剂；水合肼；和基于三唑的化合物。2.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：所述水合肼与所述基于三唑的化合物之间的重量比为50:1至1:10。3.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：基于100重量份的所述胺化合物，所述剥离剂组合物以1重量份至100重量份的量包含所述水合肼。4.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：基于100重量份的所述胺化合物，所述剥离剂组合物以1重量份至25重量份的量包含所述基于三唑的化合物。5.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：所述基于三唑的化合物包括选自以下中的一种或更多种化合物：2,2’[[(甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基]双乙醇、4,5,6,7‑四氢‑1H‑苯并三唑、1H‑苯并三唑、1H‑1,2,3‑三唑和甲基1H‑苯并三唑。6.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：所述胺化合物包括重均分子量为95g/mol或更大的环状胺化合物。7.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：所述胺化合物包括选自以下中的一种或更多种化合物：1‑咪唑烷乙醇、4‑咪唑烷乙醇、羟乙基哌嗪和氨乙基哌嗪。8.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：所述其中氮经1至2个碳数为1至5的线性或支化烷基取代的酰胺化合物包括以下化学式1的化合物：[化学式1]在所述化学式1中，R1为氢、甲基、乙基或丙基，R2为甲基或乙基，R3为氢或者碳数为1至5的线性或支化烷基，以及R1和R3任选地彼此连接以形成环。9.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中：2CN113138544A权利要求书2/2页所述极性有机溶剂包括选自以下中的一者或更多者：亚烷基二醇单烷基醚、吡咯烷酮、砜和亚砜。10.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中所述剥离剂组合物包含：10重量％至50重量％的所述其中氮经1至2个碳数为1至5的线性或支化烷基取代的酰胺化合物；0.1重量％至10重量％的所述胺化合物；20重量％至60重量％的所述极性有机溶剂；0.01重量％至10重量％的所述水合肼；0.01重量％至5.0重量％的所述基于三唑的化合物；和剩余量的水，其中所述剥离剂组合物中各组分的含量百分数之和等于100重量％。11.一种用于剥离光致抗蚀剂的方法，包括使用根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂的步骤。3CN113138544A说明书1/11页用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法技术领域[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请要求于2020年1月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10‑2020‑0007112号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。[0003]本发明涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法。更特别地，本发明涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法，所述用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物具有优异的光致抗蚀剂剥离力并且可以在剥离过程期间抑制下部金属层的腐蚀并有效地除去氧化物。背景技术[0004]液晶显示装置的微电路过程或半导体集成电路的制造过程包括：在基底上形成多种下部层，例如导电金属层(例如铝、铝合金、铜、铜合金、钼、钼合金等)