盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102924341A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102924341A(43)申请公布日2013.02.13(21)申请号201210274523.6C07D327/08(2006.01)(22)申请日2012.08.03C07D327/06(2006.01)C07D333/46(2006.01)(30)优先权数据C07D307/33(2006.01)2011-1727292011.08.08JPC07D307/00(2006.01)(71)申请人住友化学株式会社C07C25/18(2006.01)地址日本国东京都C07C17/35(2006.01)(72)发明人市川幸司向井优一吉田勋G03F7/004(2006.01)G03F7/00(2006.01)(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人李新红(51)Int.Cl.C07C309/17(2006.01)C07C303/32(2006.01)C07C381/12(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书6868页页附图附图11页(54)发明名称盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法(57)摘要本发明提供盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法。所述盐由式(I)表示，其中：Q1和Q2各自独立表示氟原子或C1-C6全氟烷基；L1表示C1-C20三价脂肪族饱和烃基，其中与脂肪族饱和烃链部分的亚甲基结合的氢原子可以被氟原子或羟基代替并且其中亚甲基可以被氧原子、-NR2-或羰基代替，其中R2表示氢原子或C1-C6烷基，L1-OH的羟基位于L1的脂肪族饱和烃链部分；W表示C3-C36脂环烃基，其中亚甲基可以被氧原子、硫原子、羰基或磺酰基代替，并且其中氢原子可以被羟基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C3-C18脂环烃基或C6-C14芳香族烃基代替；和Z+表示有机阳离子。CN102943ACN102924341A权利要求书1/2页1.一种由式(I)表示的盐：其中Q1和Q2各自独立表示氟原子或C1-C6全氟烷基，L1表示C1-C20三价脂肪族饱和烃基，其中与脂肪族饱和烃链部分的亚甲基结合的氢原子可以被氟原子或羟基代替并且其中亚甲基可以被氧原子、-NR2-或羰基代替，其中R2表示氢原子或C1-C6烷基，L1-OH的羟基位于L1的脂肪族饱和烃链部分，W表示C3-C36脂环烃基，其中亚甲基可以被氧原子、硫原子、羰基或磺酰基代替，并且其中氢原子可以被羟基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C3-C18脂环烃基或C6-C14芳香族烃基代替，并且Z+表示有机阳离子。2.根据权利要求1所述的盐，其中式(I)的L1-OH部分由式(L1-1)表示，其中X0表示单键，可以具有氟原子或羟基的C1-C14二价脂肪族烃基，或由式(a-1)表示的基团其中s表示0或1的整数，X10和X11各自独立表示氧原子、羰基、羰氧基或氧羰基，A10、A11和A12各自独立表示可以具有氟原子或羟基的C1-C12二价脂肪族烃基，*表示与碳原子112111121的连接位置，X表示-O-*、-NR-*、-O-CO-*、-O-CH2-*、-O-CH2-CO-O-*或-NR-CH2-*，其中*1表示与W的结合位置，*0表示与结合到Q1和Q2的碳原子的结合位置，并且m1表示0至6的整数。1121113.根据权利要求2所述的盐，其中X表示-O-*、-NR-*、-O-CO-*、-O-CH2-*211或-NR-CH2-*，其中*表示与W的结合位置。4.根据权利要求1或2所述的盐，其中Z+是三芳基锍阳离子。5.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含根据权利要求1或2所述的盐和树脂，所述树脂难溶或不溶于碱性水溶液但是通过酸的作用可溶于碱性水溶液。2CN102924341A权利要求书2/2页6.根据权利要求5所述的光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物还包含碱性化合物。7.一种用于生产光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括下列步骤(1)至(5)：(1)将根据权利要求5或6所述的光致抗蚀剂组合物涂敷在基材上的步骤，(2)通过进行干燥而形成光致抗蚀剂膜的步骤，(3)将所述光致抗蚀剂膜对辐射曝光的步骤，(4)将曝光的光致抗蚀剂膜烘焙的步骤，和(5)将烘焙的光致抗蚀剂膜显影，由此形成光致抗蚀剂图案的步骤。3CN102924341A说明书1/68页盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法技术领域[0001]本发明涉及一种盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法。背景技术[0002]待用于半导体的光致抗蚀剂组合物通常包含作为酸生成剂的盐。[0003]US2007/0122750A提到由下式表示的盐作为酸生成剂。[000