预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/8
2/8
3/8
4/8
5/8
6/8
7/8
8/8

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115360123A(43)申请公布日2022.11.18(21)申请号202211018834.6(22)申请日2022.08.24(71)申请人北京华林嘉业科技有限公司地址101118北京市通州区宋庄镇后夏公庄村村委会东南1000米(72)发明人耿彪耿仕昂(74)专利代理机构北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙)11591专利代理师凌云(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)B08B3/04(2006.01)B08B3/08(2006.01)B08B3/12(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种晶片无片盒清洗方法(57)摘要本发明涉及一种晶片无片盒清洗方法,通过将晶片依次进行C/C清洗、第一次SC1清洗、第二次SC1清洗、第一次OFR清洗、第二次OFR清洗、SC2清洗、QDR清洗、第三次OFR清洗、干燥。本发明主要是通过对SC1清洗、SC2清洗与其余清洗流程搭配组合,清洗流程短,操作简便;本发明能够有效清除8寸及以上尺寸的晶片表面的颗粒,减少表面颗粒、污物以及金属残留物的残留量,大幅提高晶片品质。最终清洗效果能够达到:颗粒指标≥0.16μm10EA,颗粒指标≥0.12μm20EA;清洗后的晶片表面总金属含量≤1E10atomS/cm2,金属包括16类(Na,Al,K,Ca,Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Au,Ag,V,Hg)。CN115360123ACN115360123A权利要求书1/1页1.一种晶片无片盒清洗方法,其特征在于包括以下步骤:将晶片依次进行C/C清洗、第一次SC1清洗、第二次SC1清洗、第一次OFR清洗、第二次OFR清洗、SC2清洗、QDR清洗、第三次OFR清洗、干燥;所述晶片使用无片盒清洗设备进行清洗;所述C/C清洗的清洗液为超纯水;第一次SC1清洗和第二次SC1清洗的清洗液均为氨水、双氧水和水的混合液;第一次OFR清洗、第二次OFR清洗和第三次OFR清洗的清洗液均为去离子水;所述QDR清洗的清洗液为去离子水;所述SC2清洗的清洗液为盐酸、双氧水和水的混合液。2.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法,其特征在于:所述C/C清洗的温度为15~25℃,第一次SC1清洗和第二次SC1清洗的温度为80±5℃,第一次OFR清洗、第二次OFR清洗和第三次OFR清洗的的温度为15~25℃,所述QDR清洗的温度为15~25℃,所述SC2清洗的温度为80±5℃。3.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法,其特征在于:第一次SC1清洗、第二次SC1清洗、第一次OFR清洗、第二次OFR清洗、SC2清洗、QDR清洗、第三次OFR清洗均采用清洗液循环模式,清洗液循环过程中采用过滤器进行循环过滤,采用在线浓度仪在线监测清洗液的浓度;当清洗液的浓度低于设定值,采用定量泵补充清洗液。4.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法,其特征在于:所述干燥的温度为30~80℃。5.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法,其特征在于:第一次SC1清洗、第二次SC1清洗、第一次OFR清洗、第二次OFR清洗、SC2清洗、第三次OFR清洗均采用兆声清洗。6.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法,其特征在于:所述兆声清洗的频率为950~1200kHz。7.根据权利要求6所述的一种晶片无片盒清洗方法,其特征在于:第一次SC1清洗时,兆声清洗的频率为960kHz;第二次SC1清洗时,兆声清洗的频率为990kHz;第一次OFR清洗时,兆声清洗的频率为1040kHz;第二次OFR清洗时,兆声清洗的频率为1110kHz;SC2清洗时,兆声清洗的频率为1070kHz;第三次OFR清洗时,兆声清洗的频率为1030kHz。8.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法,其特征在于:所述无片盒清洗设备包括用来固定晶片的固定槽、用来驱动固定槽进行摇摆动作的摇摆驱动机构。2CN115360123A说明书1/6页一种晶片无片盒清洗方法技术领域[0001]本发明涉及一种晶片无片盒清洗方法,属于晶片清洗技术领域。背景技术[0002]半导体晶片的清洗方法常采用化学方法清洗,化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗晶片表面的杂质及油污发生化学反应或溶解作用,使杂质从被清洗晶片的表面脱附,然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗,从而获得洁净表面的过程。化学清洗可分为湿法化学清洗和干法化学清洗,其中湿法化学清洗在半导体清洗工艺中仍处于主导地位。[0003]湿法化学清洗包括溶液浸泡法[0004](1)溶液浸泡法。溶液浸泡法是将晶片浸泡在化学溶液中来达到清除表面污染的一种方法。它是湿法化学清洗中最常用的一种方法。选用不同的溶液可以达到清除晶