一种晶片清洗槽及晶片清洗方法.pdf
雨星****萌娃
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一种晶片清洗槽及晶片清洗方法.pdf
本发明涉及半导体材料技术领域,具体是一种晶片清洗槽,包括清洗槽,所述清洗槽的上方设置有夹持臂,夹持臂镜像对称设置有2排,每排等距分布有若干个夹持臂,且每排中夹持臂相靠近的一侧分别设置有调距推拉座,并且每排所述夹持臂的中部和上端分别活动连接有限位支撑杆和夹持控制同步杆,所述夹持臂的下端上下间隔设置有主动支撑轮和被动支撑轮,本发明能通过2排若干个夹持臂批量的对晶片自动夹持,且夹持臂上的主动支撑轮和被动支撑轮能够让晶片的边沿与夹持臂之间滚动连接,使得晶片被夹起后还能够自转,而且通过取放架和喷洗组合管与夹持臂的配
一种晶片清洗槽及晶片清洗方法.pdf
本发明公开了一种晶片清洗槽及晶片清洗方法,涉及半导体材料技术领域。本发明的一种晶片清洗槽,包括槽体以及和槽体相匹配的槽盖,所述槽体内固定安装有旋转装置,所述旋转装置包括转动安装在槽体底面的旋转底座,以及安装在旋转底座上的转动机构和两组驱动机构,所述转动机构包括转动轴,所述转动轴上套设有转动柱,所述转动轴的两端和对应的驱动机构之间连接有支撑杆,一侧所述支撑杆上固定安装有旋转电机,所述旋转电机的输出轴和转动轴固定连接。本发明公开了一种晶片清洗槽及晶片清洗方法,通过在槽体内设置的旋转装置,保证了晶片各部分在清洗
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一种干法清洗锗晶片的方法.pdf
本申请涉及半导体材料的加工技术领域,具体公开了一种干法清洗锗晶片的方法,所述方法包括如下步骤:(1)向真空混合腔中分别通入氮气等离子体和氦气等离子体,得到混合等离子体;其中,所述氮气等离子体通入所述真空混合腔的通入体积和所述氦气等离子体通入所述真空混合腔的通入体积的比值为1:(0.1~0.2);(2)将锗晶片置于真空清洗腔中并升温至280~320℃;之后,向所述真空清洗腔中通入所述混合等离子体,所述混合等离子体对所述锗晶片进行清洗并使所述锗晶片表面钝化;(3)降温至20~30℃。本申请能够有效去除锗晶片表