一种晶圆传送装置和晶圆传送方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115424965A(43)申请公布日2022.12.02(21)申请号202211073820.4(22)申请日2022.09.02(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人周斌陈新谭志豪(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291专利代理师朱琳爱义(51)Int.Cl.H01L21/677(2006.01)H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)B08B7/00(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图6页(54)发明名称一种晶圆传送装置和晶圆传送方法(57)摘要本申请公开了一种晶圆传送装置和晶圆传送方法，涉及半导体设备制造领域。其中，晶圆传送装置包括处理腔室、导气管道和加热组件，本申请实施例通过在处理腔室的腔室内壁与外壳之间设置导气管道并在导气管道与腔室内壁间设置加热组件，使传送装置启动后通过加热组件对处理腔室和导气管道同时进行加热以起到气体烘干的效果，减少晶圆上的残留腐蚀气体在传送过程中冷凝生成聚合物。由此降低对晶圆传送装置造成污染和腐蚀，在保护晶圆传送装置的同时提高产品良率、降低运营成本。CN115424965ACN115424965A权利要求书1/2页1.一种晶圆传送装置，其特征在于，所述晶圆传送装置包括：处理腔室，包括气闸腔室和真空传送腔室；所述气闸腔室用于对晶圆进行预处理，所述真空传送腔室用于将预处理后的晶圆传送至工艺腔室进行工艺处理；导气管道，位于所述处理腔室的腔室内壁与外壳之间，用于向所述处理腔室内通入第一指定气体以平衡所述处理腔室内外的气压；加热组件，位于所述导气管道与所述腔室内壁之间，用于对所述处理腔室和所述导气管道进行加热。2.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述导气管道与所述处理腔室连通的一端设有扩散器，所述扩散器用于将所述导气管道内的第一指定气体通入所述处理腔室。3.根据权利要求2所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述扩散器外套设有清洁组件，所述清洁组件为连接动力装置的镂空网状套筒，所述动力装置与所述镂空网状套筒通过可旋转连杆结构连接，所述可旋转连杆结构在所述动力装置驱动下带动所述镂空网状套筒旋转；其中，所述导气管道内的第一指定气体通过所述镂空网状套筒的镂空区域通入所述处理腔室。4.根据权利要求3所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述镂空区域内包含均匀分布的镂空孔洞，所述镂空孔洞的形状为圆形、椭圆形、扇形以及正多边形中的至少一种，所述镂空孔洞的尺寸为3‑6毫米，相邻镂空孔洞的孔洞中心间距为6‑12毫米。5.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述处理腔室内设有排气装置，所述排气装置用于排除所述处理腔室内的气体。6.根据权利要求5所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述处理腔室内还设有气体检测装置，所述气体检测装置与所述排气装置的排气口相邻；所述气体检测装置用于检测所述处理腔室内的第二指定气体的浓度，所述第二指定气体为对所述晶圆传送装置具备腐蚀性的腐蚀气体。7.根据权利要求1‑6中任一所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述加热组件的表面覆盖有保温层。8.一种晶圆传送方法，其特征在于，应用于权利要求1‑7中任一所述的晶圆传送装置，所述晶圆传送方法包括：在晶圆传输过程中通过所述加热组件对所述处理腔室和所述导气管道进行加热，以挥发所述处理腔室内的气体；在所述加热过程中对所述处理腔室内的第二指定气体的浓度进行检测，并根据检测到的第二指定气体的浓度调整所述加热组件的功率；所述第二指定气体为对所述晶圆传送装置具备腐蚀性的腐蚀气体。9.根据权利要求8所述的晶圆传送方法，其特征在于，所述处理腔室内设有排气装置，所述排气装置用于对所述处理腔室执行排气操作；所述晶圆传送方法还包括：检测所述晶圆传送装置内的晶圆传送状态，若检测到所述晶圆由大气环境传输至所述处理腔室，则在预设时段内控制所述排气装置执行排气操作。10.根据权利要求8所述的晶圆传送方法，其特征在于，所述在所述加热过程中对所述处理腔室内的第二指定气体的浓度进行检测，并根据检测到的第二指定气体的浓度调整所2CN115424965A权利要求书2/2页述加热组件的功率，包括：若所述第二指定气体的浓度小于浓度阈值，则控制所述加热组件采用第一加热功率执行加热操作；若所述第二指定气体的浓度大于或等于所述浓度阈值，则控制所述加热组件采用第二加热功率执行加热操作；所述第二加热功率大于所述第一加热功率。11.根据权利要求10所述的晶圆传送方法，其特征在于，所述第一加热功率使得所述处理腔室内的温度被设置为43℃‑47℃；和/或所述第二加热功率使得所述处理腔室内的温度被设置为53℃