工艺腔的清洁方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115415054A(43)申请公布日2022.12.02(21)申请号202211132885.1(22)申请日2022.09.16(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201314上海市浦东新区良腾路6号(72)发明人王骏杰吴智勇(74)专利代理机构上海思捷知识产权代理有限公司31295专利代理师郑星(51)Int.Cl.B03C3/80(2006.01)B03C3/88(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称工艺腔的清洁方法(57)摘要本发明提供了一种工艺腔的清洁方法，对晶圆进行刻蚀工艺后，贯穿静电吸盘的顶针将放置于静电吸盘上的晶圆向上顶起，以将晶圆与静电吸盘分离；在所述顶针向上顶起晶圆的过程中，通过贯穿所述静电吸盘的背氦出气孔向静电吸盘的表面通入清洁气体，以吹走静电吸盘上附着的部分刻蚀生成物。本发明通过向静电吸盘上的背氦出气孔通入清洁气体，减少静电吸盘上的刻蚀生成物堆积，避免静电吸盘上的背氦出气孔堵塞，从而避免静电吸盘在刻蚀工艺中温度不均，进而提高产品良率。本发明还在将晶圆移出工艺腔之后对工艺腔依次进行了第一清洁工艺和第二清洁工艺，大幅减少了工艺腔中残留的刻蚀生成物，避免刻蚀生成物在下一次刻蚀工艺中污染晶圆。CN115415054ACN115415054A权利要求书1/1页1.一种工艺腔的清洁方法，其特征在于，包括：对晶圆进行刻蚀工艺后，贯穿静电吸盘的顶针将放置于静电吸盘上的所述晶圆向上顶起，以将所述晶圆与所述静电吸盘分离；在所述顶针向上顶起所述晶圆的过程中，通过贯穿所述静电吸盘的背氦出气孔向所述静电吸盘的表面通入清洁气体，以吹走所述静电吸盘上附着的部分刻蚀生成物。2.如权利要求1所述的工艺腔的清洁方法，其特征在于，所述清洁气体包括氦气，所述清洁气体的气体流量为10sccm～20sccm，通入所述清洁气体的时间为5sec～10sec。3.如权利要求1所述的工艺腔的清洁方法，在将所述晶圆与所述静电吸盘分离之后，将所述晶圆移出所述工艺腔。4.如权利要求3所述的工艺腔的清洁方法，其特征在于，在将所述晶圆移出所述工艺腔之后，还包括：对所述工艺腔进行第一清洁工艺，以去除所述工艺腔的腔体内壁附着的刻蚀生成物。5.如权利要求4所述的工艺腔的清洁方法，其特征在于，在进行所述第一清洁工艺之后，还包括：对所述工艺腔进行第二清洁工艺，以去除所述静电吸盘的表面剩余的刻蚀生成物。6.如权利要求5所述的工艺腔的清洁方法，其特征在于，在进行所述第一清洁工艺和所述第二清洁工艺的过程中，持续向所述背氦出气孔通入所述清洁气体。7.如权利要求6所述的工艺腔的清洁方法，其特征在于，所述清洁气体包括氦气，且所述清洁气体的气体流量为10sccm～20sccm。8.如权利要求5所述的工艺腔的清洁方法，其特征在于，所述第一清洁工艺的工艺压力为50mTorr～80mTorr，工艺气体包括三氯化硼。9.如权利要求8所述的工艺腔的清洁方法，其特征在于，所述第二清洁工艺的工艺压力为10mTorr～20mTorr，工艺气体包括氯气。10.如权利要求1～9中任一项所述的工艺腔的清洁方法，其特征在于，所述晶圆的刻蚀工艺为铝刻蚀工艺，所述刻蚀生成物包括含铝生成物。2CN115415054A说明书1/4页工艺腔的清洁方法技术领域[0001]本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种工艺腔的清洁方法。背景技术[0002]在半导体集成电路制造工艺中，采用AMATOPUS机台进行铝刻蚀时，刻蚀过程中容易产生含铝的刻蚀生成物并残留在工艺腔内。随着作业时数的增长，工艺腔中的生成物累计到一定厚度时会附着在上腔体和静电吸盘(ElectrostaticChuck，ESC)的表面，严重时甚至会堵塞静电吸盘上的背氦(BHe)出气孔，导致后续的刻蚀过程中静电吸盘无法实现晶圆的有效降温，使晶圆上的刻蚀图形出现异常，从而影响产品良率。[0003]鉴于此，需要一种方法去除工艺腔中的刻蚀生成物，避免静电吸盘上的背氦出气孔堵塞，从而避免静电吸盘在刻蚀工艺中温度不均。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种工艺腔的清洁方法，去除工艺腔中的刻蚀生成物，避免静电吸盘上的背氦出气孔堵塞，从而避免静电吸盘在刻蚀工艺中温度不均。[0005]为了达到上述目的，本发明提供了一种工艺腔的清洁方法，包括：对晶圆进行刻蚀工艺后，贯穿静电吸盘的顶针将放置于静电吸盘上的所述晶圆向上顶起，以将所述晶圆与所述静电吸盘分离；在所述顶针向上顶起所述晶圆的过程中，通过贯穿所述静电吸盘的背氦出气孔向所述静电吸盘的表面通入清洁气体，以吹走所述静电吸盘上附着的部分刻蚀生成物。[0006]可选的，所述清洁气体包括氦气，所述清洁气体的气体流量为10sccm～20s