薄膜沉积腔室的清洁方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111101114A(43)申请公布日2020.05.05(21)申请号201910811467.7(22)申请日2019.08.29(30)优先权数据10-2018-01299152018.10.29KR(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人朴明俊金镇宽朴敏慧朴柱明安相焕(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人范心田(51)Int.Cl.C23C16/44(2006.01)B08B7/00(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称薄膜沉积腔室的清洁方法(57)摘要公开了一种薄膜沉积腔室的清洁方法，可以包括：i)在薄膜沉积腔室中同时提供氧等离子体和氟等离子体，以至少部分地去除薄膜沉积腔室中的包括碳(C)的第一残留物和包括硅(Si)的第二残留物，以及ii)在薄膜沉积腔室中提供氟等离子体而不提供氧等离子体，以去除在薄膜沉积腔室中剩余的第二残留物。CN111101114ACN111101114A权利要求书1/2页1.一种薄膜沉积腔室的清洁方法，所述清洁方法包括以下步骤：i)在所述薄膜沉积腔室中同时提供氧等离子体和氟等离子体，以至少部分地去除所述薄膜沉积腔室中的包括碳(C)的第一残留物和包括硅(Si)的第二残留物；以及ii)在所述薄膜沉积腔室中提供氟等离子体而不提供氧等离子体，以去除在所述薄膜沉积腔室中剩余的所述第二残留物。2.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，顺序且重复地执行步骤i)和步骤ii)。3.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，在执行步骤i)和步骤ii)之后，重复执行步骤ii)。4.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，所述氧等离子体和所述氟等离子体是通过将氧源气体和氟源气体同时供应到等离子体产生单元中来产生的。5.根据权利要求4所述的清洁方法，其中，所述氧源气体包括氧气O2，所述氟源气体包括选自由NF3、CF4和C2F6构成的组中的至少一种。6.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，步骤i)和步骤ii)在所述薄膜沉积腔室中在没有任何衬底的情况下发生。7.根据权利要求1所述的清洁方法，其中，在执行步骤i)之前，所述清洁方法还包括：执行氧气(O2)气体处理，以部分地去除所述薄膜沉积腔室中的所述第一残留物。8.根据权利要求1所述的清洁方法，还包括：将惰性气体供应到所述薄膜沉积腔室中，以将所述第一残留物和/或所述第二残留物与所述薄膜沉积腔室分离。9.根据权利要求8所述的清洁方法，其中，所述惰性气体包括选自由氦气(He)、氩气(Ar)和氮气(N2)构成的组中的至少一种。10.根据权利要求8所述的清洁方法，其中，在执行步骤ii)之后，执行将所述惰性气体供应到所述薄膜沉积腔室中。11.根据权利要求8所述的清洁方法，其中，在执行步骤i)之后，执行将所述惰性气体供应到所述薄膜沉积腔室中。12.一种薄膜沉积腔室的清洁方法，所述清洁方法包括以下步骤：i)将氧气(O2)气体供应到所述薄膜沉积腔室中，以部分地去除所述薄膜沉积腔室中的包括碳(C)的第一残留物；ii)在所述薄膜沉积腔室中同时提供氧等离子体和氟等离子体，以至少部分地去除所述薄膜沉积腔室中的所述第一残留物和包括硅(Si)的第二残留物；以及iii)在所述薄膜沉积腔室中提供氟等离子体而不提供氧等离子体，以去除在所述薄膜沉积腔室中剩余的所述第二残留物。13.根据权利要求12所述的清洁方法，其中，顺序且重复地执行步骤i)至步骤iii)。14.根据权利要求12所述的清洁方法，其中，在执行步骤i)至步骤iii)一次或多次之后，顺序且重复地执行步骤ii)和步骤iii)。15.根据权利要求12所述的清洁方法，还包括：将惰性气体供应到所述薄膜沉积腔室中，以将所述第一残留物和/或所述第二残留物与所述薄膜沉积腔室分离。16.根据权利要求15所述的清洁方法，其中，在执行步骤iii)之后，执行将所述惰性气2CN111101114A权利要求书2/2页体供应到所述薄膜沉积腔室中。17.一种薄膜沉积腔室的清洁方法，所述清洁方法包括以下步骤：i)在所述薄膜沉积腔室中提供氧等离子体而不提供氟等离子体，以部分地去除所述薄膜沉积腔室中的包括碳(C)的第一残留物；ii)在所述薄膜沉积腔室中同时提供氧等离子体和氟等离子体，以至少部分地去除所述薄膜沉积腔室中的所述第一残留物和包括硅(Si)的第二残留物；iii)在所述薄膜沉积腔室中提供氟等离子体而不提供氧等离子体，以去除在所述薄膜沉积腔室中剩余的所述第二残留物；以及iv)将惰性气体供应到所述薄膜沉积腔室中，以将剩余的第一残留物和/或剩余的第二残留物与所述薄膜沉积腔室分离。18.根据权利要求17所述的清洁方法，其中，顺序且重复地执行步骤i)至步骤