基板处理方法和腔室清洁方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031130A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202211327100.6(22)申请日2022.10.26(30)优先权数据10-2021-01438492021.10.26KR(71)申请人细美事有限公司地址韩国忠清南道(72)发明人李元硕尹荣培(74)专利代理机构北京市中伦律师事务所11410专利代理师杨黎峰张玫(51)Int.Cl.H01J37/32(2006.01)H01L21/67(2006.01)B08B7/00(2006.01)权利要求书2页说明书17页附图15页(54)发明名称基板处理方法和腔室清洁方法(57)摘要本发明构思提供了一种基板处理方法。所述基板处理方法包括：通过将过程等离子体传送到腔室的处理空间来处理基板；以及通过将清洁介质供应到定位在所述处理空间下方的所述腔室的排气空间来清洁排气空间。CN116031130ACN116031130A权利要求书1/2页1.一种基板处理方法，包括：通过将过程等离子体传送到腔室的处理空间来处理基板；以及通过将清洁介质供应到所述腔室的定位在所述处理空间下方的排气空间来清洁排气空间。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中所述处理空间和所述排气空间由具有通孔的排气挡板来分隔，所述通孔使所述处理空间和所述排气空间流体连通。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中所述清洁介质是由清洁气体产生的清洁等离子体。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中所述清洁等离子体由远程等离子体源产生，所述远程等离子体源激发所述清洁气体并且产生所述清洁等离子体。5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中通过由供应端口将所述清洁等离子体加入到所述排气空间来执行所述清洁，所述供应端口面向在所述处理空间处支撑所述基板的支撑单元的一侧。6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其中执行所述清洁的时间的至少一部分与执行所述处理的时间重叠。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中在执行所述处理之后，另外执行所述清洁持续一段设定时间。8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中在执行所述处理之前，另外执行所述清洁持续一段设定时间。9.根据权利要求1或权利要求2所述的基板处理方法，其中所述清洁介质是中性气体，所述中性气体已经从通过激发清洁气体而产生的清洁等离子体中捕获了离子。10.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中所述清洁气体包括CF4、NF3、N2、O2、F2、Ar或其组合中的至少一种。11.一种用于清洁具有内部空间的腔室的腔室清洁方法，所述内部空间通过排气挡板分隔成用于处理基板的处理空间和排气空间，所述处理空间和所述排气空间通过形成在所述排气挡板处的通孔而流体连通，所述方法包括通过将清洁等离子体传送到所述处理空间和所述排气空间之中的所述排气空间来清洁所述排气空间。12.根据权利要求11所述的方法，其中在通过将过程等离子体传送到所述处理空间来处理所述基板的同时执行对所述排气空间的所述清洁。13.根据权利要求11所述的方法，其中在通过将过程等离子体传送到所述处理空间来处理所述基板之后执行对所述排气空间的所述清洁。14.根据权利要求11至13中任一项所述的方法，进一步包括通过将所述清洁等离子体传送到所述处理空间以清洁所述处理空间和所述排气空间来清洁所述处理空间和所述排气空间之中的所述处理空间。15.根据权利要求14所述的方法，其中在从所述处理空间取出所述基板之后执行清洁所述处理空间。16.一种基板处理方法，包括：将基板放入腔室的内部空间，所述内部空间被分隔成处理空间和排气空间，在所述处理空间处，通过排气挡板处理所述基板，所述排气挡板包围在所述内部空间处支撑所述基2CN116031130A权利要求书2/2页板的支撑单元，所述排气空间排出所述处理空间的气氛，并且所述排气挡板具有将所述处理空间和所述排气空间流体连通的通孔，通过将过程等离子体传送到被支撑在所述支撑单元上的所述基板来处理所述基板；通过将清洁等离子体传送到所述排气空间来去除附着到所述排气空间的杂质，从而清洁所述排气空间；以及从所述内部空间取出所述基板。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述清洁所述排气空间与所述处理所述基板一起执行。18.根据权利要求17所述的方法，其中在完成所述处理所述基板之后，执行所述清洁所述排气空间。19.根据权利要求17所述的方法，进一步包括通过将清洁等离子体供应到所述处理空间清洁以清洁所述处理空间和所述排气空间来清洁所述处理空间和所述排气空间之中的所述处理空间，并且其中所述清洁所述排气空间与所述清洁所述处理空间一起执行。20.根据权利要求16至19中任一项所述的基板处理方法，其中被激发成所述清洁等离子体的清洁气体包括CF4