基板清洁腔室以及清洁与调节方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102755976A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102755976A(43)申请公布日2012.10.31(21)申请号201210229794.XC25F7/00(2006.01)(22)申请日2008.05.02H01J37/32(2006.01)H01L21/02(2006.01)(30)优先权数据11/745,4512007.05.08US(62)分案原申请数据200880017116.92008.05.02(71)申请人应用材料公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人维内特·H·梅塔卡尔·M·布朗约翰·A·帕皮通丹尼尔·J·霍夫曼史蒂文·C·香农基思·A·米勒维杰·D·帕克(74)专利代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司11006代理人徐金国钟强(51)Int.Cl.B08B7/00(2006.01)权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书99页页附图附图44页(54)发明名称基板清洁腔室以及清洁与调节方法(57)摘要基板清洁室包括具有拱形表面的轮廓顶电极，所述拱形表面面对基板支撑件且具有可变的横截面厚度，以改变拱形表面与基板支撑件之间的间隙大小好提供横跨基板支撑件的可变的等离子体密度。清洁室的介电环包括底部、脊部以及覆盖基板支撑件的外围唇部的径向向内架部。底部挡板包括具有至少一外围壁的圆形盘。同时描述了清洁室的清洁与调节处理。CN1027596ACN102755976A权利要求书1/2页1.一种从一或多个基板除去材料的工艺，包括：(a)在处理室中从第一批基板中的每个基板除去一定量材料，其中从第一批中的每个基板除去材料在所述处理室的内部表面上形成了第一处理残余物；(b)通过从调节基板的表面溅射材料，在所述第一处理残余物上方沉积包含调节材料的调节层，所述调节材料不同于从所述第一批中的基板除去的材料；以及(c)在处理室中从第二批基板中的每个基板除去一定量材料，其中从第二批中的每个基板除去材料在所述调节层上方形成了第二处理残余物。2.如权利要求1所述的工艺，还包括在移除上面形成有所述内部表面的工艺套组之前，顺序地重复步骤(b)和(c)至少10次。3.如权利要求1所述的工艺，其中所述调节基板包括含硅基板，所述含硅基板具有位于表面上方的材料层，其中所述调节材料包括金属。4.如权利要求1所述的工艺，其中所述调节材料包括铝或钛。5.如权利要求1所述的工艺，其中从所述第一批基板除去的材料包括氮化硅。6.如权利要求1所述的工艺，其中从所述第一批基板除去的材料包括聚酰亚胺。7.如权利要求6所述的工艺，其中所述调节材料包括金属。8.如权利要求1所述的工艺，还包括：通过从所述调节基板的表面溅射材料，在所述第二处理残余物上方沉积额外的包含调节材料的调节层，其中所述调节材料包括铝或钛。9.如权利要求1所述的工艺，其中所述第一处理残余物具有至少约1微米的厚度。10.如权利要求1所述的工艺，其中所述调节层具有至少约500埃的厚度。11.如权利要求1所述的工艺，其中步骤(a)包括通过传送双频电功率到清洁气体，在所述处理室中激发所述清洁气体，所述双频电功率包括至少约1∶2的第一频率与第二频率的功率比，所述第一频率小于所述第二频率。12.如权利要求11所述的工艺，其中所述第一频率是13.5MHz。13.如权利要求11所述的工艺，其中所述第二频率是60MHz。14.如权利要求1所述的工艺，其中步骤(a)还包括设定顶电极与基板支撑件之间的间隙，其中在步骤(a)期间在第一批产物基板中为经处理的每个基板设定所述间隙。15.一种从一或多个基板除去材料的工艺，包括：(a)在处理室中通过溅射从第一批基板中的每个基板除去一定量材料，其中从第一批中的每个基板除去一定量材料在所述处理室的内部表面上形成了包含硅的第一处理残余物；(b)通过从位于调节基板的表面上的层溅射材料，在所述第一处理残余物上方沉积包含铝或钛的调节层；以及(c)在处理室中通过溅射从第二批基板中的每个基板除去一定量材料，其中从第二批中的每个基板除去一定量材料在所述调节层上方形成了包含硅的第二处理残余物。16.如权利要求15所述的工艺，还包括在移除上面形成有所述内部表面的工艺套组组件之前，顺序地重复步骤(b)和(c)至少10次。17.如权利要求15所述的工艺，其中所述调节基板包括含硅基板，所述含硅基板具有位于表面上方的材料层，其中所述材料层包含铝。2CN102755976A权利要求书2/2页18.如权利要求15所述的工艺，其中所述处理残余物包括氮化硅。19.如权利要求15所述的工艺，其中所述处理残余物还包括聚酰亚胺。20.如权利要求15所述的工艺，其中从所述第一批和所述第二批中的每个基板除去一定量材料各自还包括通过传送双频电功率到清洁气体来激发所述清洁