处理腔室部件的清洁方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112930580A(43)申请公布日2021.06.08(21)申请号201980068601.7(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公(22)申请日2019.10.07司31100代理人侯颖媖张鑫(30)优先权数据16/182,4072018.11.06US(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L21/324(2006.01)2021.04.16H01L21/67(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01J37/32(2006.01)PCT/US2019/0550192019.10.07H05H1/46(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2020/096720EN2020.05.14(71)申请人应用材料公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人B·S·权P·K·库尔施拉希萨K·D·李S·博贝克权利要求书1页说明书10页附图5页(54)发明名称处理腔室部件的清洁方法(57)摘要提供了一种清洁半导体处理腔室的部件的方法。所述方法包含将部件中的残留物暴露于含有含氮气体和含氧气体的工艺等离子体。部件中的残留物经历化学反应，从而清洁部件。清洁了部件，将部件恢复到运行工艺化学反应之前的条件。CN112930580ACN112930580A权利要求书1/1页1.一种从处理腔室部件移除残留物的方法，包括：在设置在处理腔室的处理区域内的所述处理腔室部件的表面上形成残留物；以及将在所述处理腔室部件的所述表面上形成的所述残留物暴露于第一工艺等离子体，同时将所述处理腔室部件的所述表面设置在所述处理区域内并加热至第一温度，其中：所述第一工艺等离子体包括含氮气体和含氧气体；以及通过射频(RF)偏压所述处理腔室部件来形成所述第一工艺等离子体。2.如权利要求1所述的方法，其中所述处理腔室部件包括喷头，所述喷头包括多个孔隙，其中所述喷头包括铝，并且在将所述喷头暴露于所述第一工艺等离子体之后，所述孔隙的所述表面包括薄膜，所述薄膜包括铝(Al)和氮(N)。3.如权利要求2所述的方法，其中所述多个孔隙包括内通道、倾斜部分、和外通道，其中所述倾斜部分流体地连接所述内通道和所述外通道，并且所述残留物设置在所述多个孔隙中的至少一个孔隙的所述倾斜部分上。4.如权利要求2所述的方法，其中施加至所述喷头的所述RF偏压包含施加约800W与约2500W之间的RF功率。5.如权利要求2所述的方法，其中所述残留物包括碳(C)和氧(O)。6.如权利要求5所述的方法，其中所述将所述残留物暴露于所述第一工艺等离子体使所述残留物经历化学反应，使得在所述将所述残留物暴露于所述第一工艺等离子体之后，所述残留物包括比碳(C)更高百分比的氮(N)。7.一种从处理腔室部件移除残留物的方法，包括：将设置在处理腔室的处理区域中的处理腔室部件上形成的残留物暴露于第一工艺等离子体，其中所述第一工艺等离子体包括含氮气体，同时所述处理腔室部件被加热至第一温度；以及将所述残留物暴露于第二工艺等离子体，同时所述处理腔室部件设置在所述处理区域中，其中所述第二工艺等离子体包括含氧气体，同时所述处理腔室部件被加热至第二温度。8.如权利要求7所述的方法，其中所述处理腔室部件包括喷头，所述喷头包括铝(Al)，并且在将所述喷头暴露于所述第一工艺等离子体和所述第二工艺等离子体之后，所述孔隙的所述表面包括薄膜，所述薄膜包括铝(Al)和氮(N)。9.如权利要求8所述的方法，其中所述多个孔隙具有倾斜部分。10.如权利要求9所述的方法，其中所述多个孔隙包括内通道、倾斜部分、和外通道，其中所述倾斜部分流体地连接所述内通道和所述外通道，并且所述形成的残留物设置在所述多个孔隙中的至少一个孔隙的所述倾斜部分上。11.如权利要求8所述的方法，其中射频(RF)偏压被施加至所述处理腔室部件。12.如权利要求8所述的方法，其中所述残留物包括碳(C)和氧(O)。13.如权利要求12所述的方法，其中所述将所述残留物暴露于所述第一工艺等离子体使所述残留物经历化学反应，使得在所述将所述残留物暴露于所述第一工艺等离子体之后，所述残留物包括比碳(C)更高百分比的氮(N)。14.如权利要求7所述的方法，其中所述第一温度和所述第二温度基本上相等。2CN112930580A说明书1/10页处理腔室部件的清洁方法背景技术技术领域[0001]本发明的实施例涉及一种方法，并且更具体地，涉及清洁在处理腔室中使用的部件的方法。相关技术说明[0002]清洁工艺对于半导体制造中的膜沉积是至关重要的，因为它们影响在沉积的膜中形成的缺陷数量和晶片上工艺的稳定性。由于半导体器件开始需要更高的存储器密度，并且因此需要更