一种改善硅片塌边的硅片加工机构及方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115741248A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211480330.6(22)申请日2022.11.23(71)申请人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司地址311201浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号(72)发明人徐新华(74)专利代理机构杭州融方专利代理事务所(普通合伙)33266专利代理师沈相权詹雨露(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)B24B19/22(2006.01)B24B41/04(2006.01)B24B41/06(2012.01)B24B57/02(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称一种改善硅片塌边的硅片加工机构及方法(57)摘要本发明公开了一种改善硅片塌边的硅片加工机构及方法，所述打磨头的底端安装有打磨垫和包覆侧板，所述包覆侧板和打磨垫围成的区域为硅片安装腔体，所述包覆侧板的内部设置有输水管和环形分水槽，所述输水管的一端为进水端，所述输水管的另一端延伸至环形分水槽，所述环形分水槽上连接有若干个分水支管，若干个所述分水支管贯穿包覆侧板的内部，所述分水支管的内部与硅片安装腔体相连通；所述打磨机构包括；打磨盘，所述打磨盘的表面由中心向外依次设置有内环下陷区、环形研磨片和外环下陷区。防止腐蚀性溶液残留在硅片与包覆侧板的间隙内，使得硅片的边沿过度腐蚀，造成硅片塌边。CN115741248ACN115741248A权利要求书1/2页1.一种改善硅片塌边的硅片加工机构，其特征在于，包括：打磨头(3)和位于其下方的打磨机构；所述打磨头(3)的底端安装有打磨垫(2)和包覆侧板(1)，所述包覆侧板(1)和打磨垫(2)围成的区域为硅片安装腔体，所述包覆侧板(1)的内部设置有输水管(101)和环形分水槽(103)，所述输水管(101)的一端为进水端，所述输水管(101)的另一端延伸至环形分水槽(103)，所述环形分水槽(103)上连接有若干个分水支管(102)，若干个所述分水支管(102)贯穿包覆侧板(1)的内部，所述分水支管(102)的内部与硅片安装腔体相连通；所述打磨机构包括；打磨盘(6)，所述打磨盘(6)的表面由中心向外依次设置有内环下陷区(605)、环形研磨片(601)和外环下陷区(604)，所述内环下陷区(605)和外环下陷区(604)的顶面高度均低于环形研磨片(601)的顶面高度，所述环形研磨片(601)的边沿倒角。2.根据权利要求1所述的一种改善硅片塌边的硅片加工机构，其特征在于，所述内环下陷区(605)和外环下陷区(604)为表面光滑，所述内环下陷区(605)的中心位置设置有中部漏水槽(602)，所述中部漏水槽(602)的底端连接有漏水槽导管(603)，所述漏水槽导管(603)倾斜设置。3.根据权利要求1所述的一种改善硅片塌边的硅片加工机构，其特征在于，所述输水管(101)的进水端通过管道连接到磨头液泵(302)，所述磨头液泵(302)位于打磨头(3)的一侧，所述打磨头(3)的顶端设置有储水盒(301)。4.根据权利要求1所述的一种改善硅片塌边的硅片加工机构，其特征在于，所述打磨盘(6)的边沿通过轴承安装于打磨盘安装槽(8)内侧壁，所述打磨盘安装槽(8)的内部底端设置有打磨电机(803)，所述打磨电机(803)的顶端输出端连接到打磨盘(6)的底端，所述打磨盘安装槽(8)的内部底端设置有打磨盘承托台(801)，所述打磨盘承托台(801)的顶端抵触到打磨盘(6)的底端，所述打磨盘承托台(801)的顶端设置有滑动滚珠。5.根据权利要求4所述的一种改善硅片塌边的硅片加工机构，其特征在于，所述打磨盘安装槽(8)的两侧设置有出水管(802)，所述出水管(802)的一端连接到漏水槽导管(603)的末端，所述出水管(802)的另一端通向外部空间。6.根据权利要求1所述的一种改善硅片塌边的硅片加工机构，其特征在于，所述环形研磨片(601)的上方设置有涂液机构(7)，所述涂液机构(7)的顶端设置有腐蚀液容腔(702)，所述腐蚀液容腔(702)的底端设置有漏液层(703)，所述漏液层(703)的底端抵触到刷液辊(701)的顶端，所述刷液辊(701)通过转轴安装于涂液机构(7)的内侧，所述腐蚀液容腔(702)的顶端设置有加液口。7.根据权利要求1所述的一种改善硅片塌边的硅片加工机构，其特征在于，所述打磨机构的一侧设置有清洁机构，所述清洁机构包括：清洁海绵(10)、中空中轴(1001)和清洁棉外壳体(9)；所述清洁棉外壳体(9)的内侧通过中空中轴(1001)转动连接有清洁海绵(10)，所述中空中轴(1001)的外侧设置有出液口(1002)，所述出液口(1002)位于清洁海绵(10)内部，所述中空中轴(1