

多晶硅片的加工方法.pdf
一条****ee
在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便
相关资料
多晶硅片的加工方法.pdf
本发明公开了一种多晶硅片的加工方法,按以下步骤进行:S1、经过铸锭、开方、研磨加工后得到晶棒;S2、粘棒;S3、装料:将载有晶棒的晶托固定在金刚线切片机的切割室内的升降台上,切割室内平行设置有两个导线轮,两导线轮上缠绕有金刚线,升降台上具有沿导线轮轴线方向延伸的T型定位滑槽,晶托上具有适于与T型定位滑槽相配合的T型定位滑块,T型定位滑块与T型定位滑槽插接配合到位后将T型定位滑块在T型定位滑槽内锁定从而完成晶托的固定;S4、切片;S5、卸料及脱胶;S6、检验及包装;本发明中的步骤S2中对晶托锁定的可靠性高,
硅片表面长多晶的方法.pdf
本发明公开了一种硅片表面长多晶的方法,其包括如下步骤:a)、将硅片放置于晶舟上,所述晶舟上设置有多个容置槽,所述多个容置槽之间的间距为2.5‑3.5mm;b)、将放置有硅片的晶舟放入长晶炉内长多晶。本发明中的硅片表面长多晶的方法,将容置槽之间的间距调整为2.5mm‑3.5mm,增加了产能,可将产能提升40%。容置槽的槽壁表面粗糙度设置为为Ra:降低了崩边不良率,可由原有不良率5%降低为1%以下。
多晶硅片制绒装置及方法.pdf
本发明涉及太阳能电池制备技术领域,尤其涉及一种多晶硅片制绒装置及方法,包括制绒槽(1)以及设置在制绒槽内用于带动硅片移动的移动辊(2),所述制绒槽底部靠近硅片进入位置设有回流管(3),所述制绒槽底部靠近硅片退出位置设有进液管(4),且所述制绒槽的硅片进入位置以及硅片退出位置处设有用于阻挡药液流出的挡液轮(5)。这种多晶硅制绒装置及方法制绒效果较好。
高纯度多晶硅片的制备方法.pdf
本发明公开了高纯度多晶硅片的制备方法,将硅料置入高温熔炉中,在无尘环境下加热至1300‑1380℃,保持高温熔炉炉底的硅料不熔化,制得多晶硅;将多晶硅进行切割,对切割后的多晶硅利用清洗剂进行表面清洗处理,其中,清洗剂按照重量份的原料包括:表面活性剂40‑50份、螯合剂22‑30份;向清洗后的多晶硅中加入添加剂和硼的固化剂,并在700‑800℃的温度下处理10min,清理后制得高纯度多晶硅片。本发明能有效地去除现有工艺难以去除的、影响太阳能电池材料中少子寿命和转化效率衰减的硼等关键性杂质元素,使提纯后的多晶
降低多晶硅片翘曲度的方法.pdf
本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的方法,其特征在于,向反应炉管内通入硅烷气体,在反应炉管内温度为600℃~680℃下,在硅片表面生长多晶硅薄膜。本发明通过选择合适的装置和方法,在硅片表面生长多晶薄膜后,WARP增加量最小可达到5.35。且硅片的均匀性也能达到使用要求。