半导体元器件的干蚀刻方法.pdf
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半导体元器件的干蚀刻方法.pdf
本发明中公开了一种半导体元器件的干蚀刻方法,该方法包括:在硅基底材料上依次形成SiO2层、低介电常数绝缘材料层、顶层、含Si的底部抗反射层和光阻层;对含Si的底部抗反射层和光阻层进行蚀刻后,对顶层和低介电常数绝缘材料层进行蚀刻,并去除蚀刻过程中产生的残留物;对由于进行所述蚀刻后而暴露出的顶层进行氟气处理,使得在对顶层进行蚀刻的同时不对顶层之下的低介电常数材料进行蚀刻;去除对顶层进行蚀刻时所产生的残留物。通过使用上述的半导体元器件的干蚀刻方法,解决了顶部收缩和弓形轮廓的问题,使得所形成的顶层具有较好的轮廓,
制作半导体装置的沟槽结构的干式蚀刻方法.pdf
本发明涉及制作半导体装置的沟槽结构的干式蚀刻方法。所述干式蚀刻方法包括以下步骤:步骤1:提供半导体基材。半导体基材上设置有图案化的光阻层且放置于反应腔室。步骤2:引入第一蚀刻气体至反应腔室以进行第一蚀刻方法,而形成沟槽。第一蚀刻气体包括六氟化硫、氧气、氦、三氟化氮以及第一有机硅化物。步骤3:引入第二蚀刻气体至反应腔室以进行第二蚀刻方法,而将沟槽往下蚀刻。第二蚀刻气体包括六氟化硫、氧气、氦以及第二有机硅化物。步骤4:引入第三蚀刻气体至反应腔室以进行第三蚀刻方法。第三蚀刻气体包括氢溴酸、氧气以及氦。
半导体器件的边角蚀刻方法.pdf
一种半导体器件的边角蚀刻方法,包括:提供包括器件区域以及位于器件区域周围的边角区域的衬底;在器件区域的衬底上形成半导体器件、第一层间介质层、第一导电插塞以及第二层间介质层,并在第二层间介质层中形成接触孔;对接触孔进行清洗;进行第一边角蚀刻,以去除边角区域的剩余的第二氧化物层;进行第二边角蚀刻,以去除边角区域的金属层,而保留第一氧化物层以及半导体层;本发明具有以下优点:能够较为快速的去除晶圆的边角区域上的第二氧化物层,以将所述第二氧化物层下方的金属层暴露出来;较为完整地保留在所述边角区域,使得在后续形成导电
蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法.pdf
本申请公开了一种蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法,应用于蚀刻氧化物半导体器件,该蚀刻液包括在蚀刻液中的质量百分比为12%至25%的氧化剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5%至3%的螯合剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5%至5%的蚀刻剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01%至2%的腐蚀抑制剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01%至2%辅助蚀刻剂、以及余量的水性介质;本申请的蚀刻液不含氟元素以及蚀刻液中辅助蚀刻剂的增加,在保证氧化物半导体层不受损的情况下,辅助蚀刻剂可以对钼系金属的尾缘及其尖端的残渣作进一步蚀刻,
蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法.pdf
本发明提供一种蚀刻液,其对具有包含TiN的第1层、与包含选自3族~11族的过渡金属的至少1种金属的第2层的基板进行处理,而选择性除去第1层,且包含六氟硅酸化合物与0.05质量%以上、且小于10质量%的氧化剂。