蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法.pdf

本发明提供一种蚀刻液，其对具有包含TiN的第1层、与包含选自3族～11族的过渡金属的至少1种金属的第2层的基板进行处理，而选择性除去第1层，且包含六氟硅酸化合物与0.05质量％以上、且小于10质量％的氧化剂。

2023-06-14

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蚀刻方法以及半导体元件的制造方法.pdf

提供能够与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻具有氮化硅的蚀刻对象物的蚀刻方法。该蚀刻方法具备蚀刻工序，在蚀刻工序中，使蚀刻气体在等离子体的存在下接触具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件，与非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻蚀刻对象物，蚀刻气体含有在分子内具有碳‑氧双键和醚键中的至少一种键的碳原子数为3以下的氟化合物。蚀刻气体中的氟化合物的浓度为0.5体积％以上且40体积％以下，蚀刻对象物具有氮化硅。

2023-06-07

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铜箔用蚀刻液和使用其的印刷电路板的制造方法以及电解铜层用蚀刻液和使用其的铜柱的制造方法.pdf

本发明涉及：边抑制铜布线的侧蚀刻的发生、边能对铜箔进行蚀刻的铜箔用蚀刻液和使用其的铜箔的蚀刻方法和印刷电路板的制造方法。另外，本发明涉及：边抑制电解铜层的侧蚀刻的发生、边能对电解铜层进行蚀刻的电解铜层用蚀刻液和使用其的电解铜层的蚀刻方法和铜柱的制造方法。本发明的蚀刻液的特征在于，含有：过氧化氢(A)、硫酸(B)、和选自由5‑氨基‑1H‑四唑、1,5‑五亚甲基四唑和2‑正十一烷基咪唑组成的组中的至少1种唑化合物(C)，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)的摩尔比处于6～30的范围内，唑化合物(C)的浓度处于0.0

2023-08-05

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蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法.pdf

本申请公开了一种蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法，应用于蚀刻氧化物半导体器件，该蚀刻液包括在蚀刻液中的质量百分比为12％至25％的氧化剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至3％的螯合剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至5％的蚀刻剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％的腐蚀抑制剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％辅助蚀刻剂、以及余量的水性介质；本申请的蚀刻液不含氟元素以及蚀刻液中辅助蚀刻剂的增加，在保证氧化物半导体层不受损的情况下，辅助蚀刻剂可以对钼系金属的尾缘及其尖端的残渣作进一步蚀刻，

2023-11-05

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蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法.pdf

本发明涉及一种蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法，包括：主体，由主体顶面、主体底面、主体外径面及主体内径面围成，主体顶面和主体底面隔开规定间隔，主体外径面为将主体顶面的外侧轮廓线和主体底面的外侧轮廓线相连接的面，主体内径面与主体顶面的内侧轮廓线相连接且包围主体的一部分或全部；及安置部，由安置部顶面、安置部底面及安置部内径面围成，安置部顶面的外径直接连接到主体内径面且安置部顶面位于低于主体顶面的位置，安置部底面与安置部顶面隔开规定间隔且与主体底面连接，安置部内径面为将安置部顶面的内侧轮廓线和安置部底

2023-08-27

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