蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115368899A(43)申请公布日2022.11.22(21)申请号202210954603.X(22)申请日2022.08.10(71)申请人TCL华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人金妍伶(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570专利代理师杨瑞(51)Int.Cl.C09K13/00(2006.01)H01L21/3213(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法(57)摘要本申请公开了一种蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法，应用于蚀刻氧化物半导体器件，该蚀刻液包括在蚀刻液中的质量百分比为12％至25％的氧化剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至3％的螯合剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至5％的蚀刻剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％的腐蚀抑制剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％辅助蚀刻剂、以及余量的水性介质；本申请的蚀刻液不含氟元素以及蚀刻液中辅助蚀刻剂的增加，在保证氧化物半导体层不受损的情况下，辅助蚀刻剂可以对钼系金属的尾缘及其尖端的残渣作进一步蚀刻，减少钼系金属的尾缘及其尖端的残渣的残留。CN115368899ACN115368899A权利要求书1/1页1.一种用于蚀刻氧化物半导体器件的蚀刻液，其特征在于，包括：氧化剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为12％至25％；螯合剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至3％；蚀刻剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至5％；腐蚀抑制剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％；辅助蚀刻剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％；以及余量的水性介质；其中，所述蚀刻液中氟元素的含量为0。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述氧化剂包括过氧化氢，所述过氧化氢在所述蚀刻液中的质量百分比为20％至25％。3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、氨三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙基内硝基乙酸、氨基三亚、羟基乙烷‑1,1‑二烯化合物、乙基二胺四甲基磷酸、二亚乙基三胺五甲基磷酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸、甘氨酸中的至少一种；其中，所述螯合剂在所述蚀刻液中的质量百分比为1.5％至2.5％。4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻剂包括甲酸、丁酸、柠檬酸、乙醇酸、草酸、丙二酸、戊酸、丙酸、果酸、葡萄糖酸或丁二酸中的至少一种；其中，所述蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5％至1.5％。5.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述腐蚀抑制剂包括唑类化合物，所述唑类化合物包括3‑氨基‑1,2,3‑三唑、3‑氨基‑1,2,4‑三唑、4‑氨基‑1,2,3‑三唑、4‑氨基‑1,2,4‑三唑、5‑甲基四唑、5‑氨基四唑、咪唑及吡唑组成的化合物中的至少一者；其中，所述腐蚀抑制剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.3％至8％。6.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述辅助蚀刻剂包括醋酸钾、醋酸钠、醋酸铵、醋酸钙、醋酸镁、硝酸钾、硝酸钠、硝酸铵中的至少一者；其中，所述辅助蚀刻剂在所述蚀刻液中的质量百分比为0.1％至0.8％。7.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述水性介质为去离子水。8.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液的PH值为4至7。9.一种氧化物半导体器件的蚀刻方法，其特征在于，包括：提供待蚀刻的氧化物半导体器件，所述氧化物半导体器件包含铜系和钼系金属膜的金属膜层结构；使用如权利要求1至8任一项所述的蚀刻液对所述氧化物半导体器件蚀刻。10.一种氧化物半导体器件，其特征在于，包括铜系和钼系金属膜的金属膜层结构，所述氧化物半导体器件使用如权利要求9所述的蚀刻方法蚀刻得到；其中，所述钼系金属膜的边界和所述铜系金属膜的边界间距小于或等于0.05微米。2CN115368899A说明书1/6页蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法。背景技术[0002]高世代线的薄膜晶体管液晶显示器是显示面板技术的重要发展趋势，在该种面板的工艺中，为了降低阻抗，提高电性，通常会用铜布线。但是铜与玻璃膜及硅的粘合力不好，且为了预防与硅层的Cu扩散，通常使用钼或其合金作为屏障金属。[0003]而蚀刻这种多层结构的金属膜，通常使用双氧水系蚀刻液，而使用双氧水系蚀刻液时，由于铜、钼或其合金蚀刻效果对PH的高低要求不同，且PH较高时也会影响过氧化氢的稳定性，而双氧水系蚀刻液的PH会在1至3之间，但在这个PH区域中含氟化合物的蚀刻液会对玻璃基板及金属氧化物膜层造成损伤