基板接合系统及接合系统设计的修改方法.pdf
Ch****91
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相关资料
基板接合系统及接合系统设计的修改方法.pdf
本发明提供了接合晶片至具有面向基板或载具的薄板的表面轮廓为可就由借由重新塑形、高度调整器、增加垫片、或借由区域温度控制而得到修改的基板接合系统及接合系统设计的修改方法。该基板接合系统包括:上部构件,其中该上部构件包括上部本体和上部薄板;以及下部构件,其中该下部构件包括:下部薄板、下部本体和用于该下部本体的一支撑结构。如此薄板的经修改的表面轮廓补偿了可能造成经接合的基板的不平坦度的影响。
基板保持具以及接合系统和接合方法.pdf
本发明的接合系统(90)包括:接合装置(80),将半导体芯片(45)接合于单片基板(41);以及基板保持具(10),保持单片基板(41),接合装置(80)包括:平台(31),在载置面(13a)之上吸附固定基板保持具(10),基板保持具(10)包括:板状的基座(11),在上表面(11a)载置单片基板(41),下表面(11b)吸附固定于载置面(31a);以及定位构件(21),设于基座(11)之上,规定单片基板(41)的位置。
片状原材料的接合方法及接合系统.pdf
本发明的片状原材料的接合方法及接合系统实现片状原材料的良好的接合。具有熔断工序、熔接工序和去除工序,该熔断工序是将夹着具有热塑性的粘接性衬布(W)的不具有热塑性的两片片状原材料(C)通过超声波进行熔断,该熔接工序是将通过粘接性衬布对熔断端部进行了拼合的两片片状原材料打开,以在熔断端部处跨越两片该片状原材料的方式在粘接性衬布的相反侧对加强带(T)进行熔接,该去除工序是从熔接有加强带的两片片状原材料将粘接性衬布去除。在熔接工序中会残留有粘接性衬布,因此能够维持通过粘接性衬布产生的接合强度而进行作业。
接合基板的切割方法.pdf
本发明涉及一种接合基板的切割方法,对接合基板等进行划线时,不仅能除去形成有密封部的基板的无用虚设部分使其最大限度地变窄,还能够使切割面平滑地进行切割,在用于对形成于接合基板(10)的上部玻璃部(11a)与下部玻璃部(11b)之间的密封部(8)上进行切割的接合基板(10)的切割方法中,包含以下阶段:对上部玻璃部(11a)及下部玻璃部(11b)的至少一个与密封部(20)接触的位置照射激光,在上部玻璃部(11a)及下部玻璃部(11b)的至少一个的内表面侧形成切割线(13a、13b);以及利用划线轮(70),沿着
封装结构与基板接合方法.pdf
本发明提供一种封装结构与基板接合方法,其中的封装结构包括第一基板、第一载体以及多个铜柱结构。第一基板具有多个阶梯状盲孔,各个阶梯状盲孔包括第一开孔、第二开孔与水平阶梯面,第二开孔的孔径大于第一开孔的孔径,水平阶梯面位于第一开孔与第二开孔的交接处。第一载体则具有多个接垫设置于其表面。各个铜柱结构具有相对的第一端与第二端,其中第一端与接垫电性接触,第二端与上述第一开孔相接,且各个铜柱结构填满各个阶梯状盲孔。