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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115997278A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202080104419.5(51)Int.Cl.(22)申请日2020.08.19H01L21/60(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.01.31(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2020/0312262020.08.19(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/038700JA2022.02.24(71)申请人株式会社新川地址日本东京武藏村山市伊奈平二丁目51番地之1(72)发明人瀬山耕平(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205专利代理师梁瑜黄健权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称基板保持具以及接合系统和接合方法(57)摘要本发明的接合系统(90)包括:接合装置(80),将半导体芯片(45)接合于单片基板(41);以及基板保持具(10),保持单片基板(41),接合装置(80)包括:平台(31),在载置面(13a)之上吸附固定基板保持具(10),基板保持具(10)包括:板状的基座(11),在上表面(11a)载置单片基板(41),下表面(11b)吸附固定于载置面(31a);以及定位构件(21),设于基座(11)之上,规定单片基板(41)的位置。CN115997278ACN115997278A权利要求书1/2页1.一种基板保持具,保持供接合半导体芯片的单片基板,且所述基板保持具的特征在于包括:板状的基座,在上表面载置所述单片基板,下表面吸附固定于接合装置的平台的载置面;以及定位构件,设于所述基座之上,规定载置于所述基座的所述上表面的、所述单片基板的位置。2.根据权利要求1所述的基板保持具,其特征在于所述基座在载置所述单片基板的区域设有沿厚度方向贯通的贯通孔,所述贯通孔在所述下表面吸附固定于所述接合装置的所述平台的载置面时,与设于所述接合装置的所述平台的吸附孔连通。3.根据权利要求1所述的基板保持具,其特征在于所述基座在上表面载置多个所述单片基板,在载置各所述单片基板的各区域分别设有沿厚度方向贯通的多个贯通孔,各所述贯通孔在所述下表面吸附固定于所述接合装置的所述平台的载置面时,与设于所述接合装置的所述平台的至少一个吸附孔连通。4.根据权利要求3所述的基板保持具,其特征在于所述基座在所述下表面设有使所述多个贯通孔连通的槽。5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板保持具,其特征在于对于所述基座而言,所述上表面的上平面度值及所述下表面的下平面度值为基准平面度值以下,且厚度的偏差为基准偏差以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板保持具,其特征在于所述定位构件为形成有供嵌入所述单片基板的至少一个开口的、板状构件,以所述开口构成规定所述单片基板的载置位置的凹部的方式重合于所述基座之上。7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板保持具,其特征在于所述基座为所述上表面及所述下表面经研磨的陶瓷构件,所述定位构件为金属制。8.一种接合系统,包括:接合装置,将半导体芯片接合于单片基板;以及基板保持具,保持所述单片基板,且所述接合系统的特征在于,所述接合装置包括:平台,在载置面之上吸附固定所述基板保持具,所述基板保持具包括:板状的基座,在上表面载置所述单片基板,下表面吸附固定于所述平台的所述载置面;以及定位构件,设于所述基座之上,规定载置于所述基座的所述上表面的、所述单片基板的位置。9.根据权利要求8所述的接合系统,其特征在于所述平台包括吸附孔,所述基座在载置所述单片基板的区域设有沿厚度方向贯通的贯通孔,所述贯通孔在所述下表面吸附固定于所述载置面之上时,与设于所述平台的所述吸附孔连通,将所述单片基板吸附固定于所述基座的所述上表面。2CN115997278A权利要求书2/2页10.根据权利要求8所述的接合系统,其特征在于所述基板保持具在所述上表面载置多个所述单片基板,所述定位构件分别规定载置于所述基座的所述上表面的、多个所述单片基板的各位置,所述平台包括至少一个吸附孔,所述基座在载置多个所述单片基板的各区域分别设有沿厚度方向贯通的贯通孔,各所述贯通孔在所述下表面吸附固定于所述载置面时,与至少一个所述吸附孔连通,将各所述单片基板分别吸附固定于所述基座的所述上表面。11.根据权利要求10所述的接合系统,其特征在于所述基座在所述下表面设有使多个所述贯通孔连通的槽。12.根据权利要求8至11中任一项所述的接合系统,其特征在于对于所述基座而言,所述上表面的上平面度值及所述下表面的下平面度值为基准平面度值以下,且厚度的偏差为基准偏差以下。13.根据权利要求8至12中任一项所述的接合系统,其特征在于所述定位构件为形成有供嵌入所述单片基板的至少一个开口的、板状