光学邻近修正掩膜.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102998895A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102998895A(43)申请公布日2013.03.27(21)申请号201110269209.4(22)申请日2011.09.13(71)申请人华邦电子股份有限公司地址中国台湾台中市(72)发明人叶癸廷(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人任默闻(51)Int.Cl.G03F1/36(2012.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书44页页附图附图66页(54)发明名称光学邻近修正掩膜(57)摘要本发明公开了一种光学邻近修正掩膜，其包括二个开口图案以及一对散射条图案。开口图案沿一第一方向排列于一基底上，且彼此隔开一既定距离。一对散射条图案沿垂直于第一方向的一第二方向排列于基底上，且邻近于每一开口图案的二个相对侧。从侧视观点，每一散射条图案在第一方向及第二方向上，不与开口图案重叠，且每一开口图案与每一散射条图案之间存在180°的相移。本发明的光学邻近修正掩膜，可降低开口图案边缘的光强度但不降低开口图案本身的光强度，进而改善经由掩膜转印至光阻上的开口图案的轮廓，并增加光刻工艺中的对比度。另外，由于光刻工艺中的对比度的增加，因此可增加光阻材料的选择弹性或进一步增加光学邻近修正掩膜的工艺容许度。CN102985ACN102998895A权利要求书1/1页1.一种光学邻近修正掩膜，其特征在于，包括：二个开口图案，沿一第一方向排列于一基底上，且彼此隔开一既定距离；以及一对散射条图案，沿垂直于所述第一方向的一第二方向排列于所述基底上，且邻近于每一开口图案的二个相对侧；其中从侧视观点，每一散射条图案在所述第一方向及所述第二方向上，不与所述开口图案重叠，且其中每一开口图案与每一散射条图案之间存在180°的相移。2.如权利要求1所述的光学邻近修正掩膜，其特征在于，每一开口图案具有0°的相位，而每一散射条图案具有180°的相位。3.如权利要求1所述的光学邻近修正掩膜，其特征在于，每一开口图案具有180°的相位，而每一散射条图案具有0°的相位。4.如权利要求1所述的光学邻近修正掩膜，其特征在于，每一开口图案为矩形，其具有一长边平行每一散射条图案的一长边，且平行所述第二方向。5.如权利要求1所述的光学邻近修正掩膜，其特征在于，每一散射条图案的宽度与所述既定距离的比不超过0.5。6.如权利要求1所述的光学邻近修正掩膜，其特征在于，所述开口图案与每一散射条图案排列定义出一边对边距离，且所述边对边距离在0至80纳米的范围。7.一种光学邻近修正掩膜，其特征在于，包括：多个矩形开口图案，沿一第一方向排列于一基底上，以在所述矩形开口图案之间定义出多个间隔区；以及多对散射条图案，分别沿垂直于所述第一方向的一第二方向排列于所述基底上，使每一对散射条图案邻近于一对应的间隔区的二个相对侧；其中从侧视观点，每一散射条图案在所述第一方向及所述第二方向上，不与所述矩形开口图案重叠，且其中每一矩形开口图案与每一散射条图案之间存在180°的相移。8.如权利要求7所述的光学邻近修正掩膜，其特征在于，每一矩形开口图案具有一长边平行每一散射条图案的一长边，且平行所述第二方向。9.如权利要求7所述的光学邻近修正掩膜，其特征在于，所述矩形开口图案与每一散射条图案排列定义出一边对边距离，且所述边对边距离在0至80纳米的范围。10.如权利要求7所述的光学邻近修正掩膜，其特征在于，每一间隔区具有一宽度沿所述第一方向延伸，且每一散射条图案的宽度与每一间隔区的宽度的比不超过0.5。2CN102998895A说明书1/4页光学邻近修正掩膜技术领域[0001]本发明涉及一种光学光刻技术，特别是有关于一种用于制造接触孔洞(contacthole)的光学邻近修正(opticalproximitycorrection，OPC)掩膜。背景技术[0002]在半导体装置制造中，对应于各个特征图案(例如，接触孔洞)通常通过光刻工艺所使用的掩膜转印至晶片上的光阻。之后，通过刻蚀工艺将特征图案形成于晶片上。然而，由于光线绕射或其他因素，掩膜上的图案并无法顺利转印至光阻上而造成特征图案制造上的困难。因此，半导体装置制造的其中一个目标就是使原始设计图案能够通过掩膜准确地转印至晶片上的光阻。[0003]目前，已经有发展出许多光学邻近修正掩膜，使原始设计图案能够更准确地转印至光阻上。一种熟习的光学邻近修正掩膜为在掩膜上增加次解析(subresolution)的散射条(scatteringbar)图案。由于散射条图案很细小，因此光学邻近修正掩膜中的散射条图案无法通过曝光工艺而转印至光阻上，但可改善光刻技术中图案的锐利度(sharpness)。例如，美国专利编号第6,238,825号揭露一种具