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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113835293A(43)申请公布日2021.12.24(21)申请号202010594925.9(22)申请日2020.06.24(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司(72)发明人王占雨朱继承王何宁胡月(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人徐文欣(51)Int.Cl.G03F1/36(2012.01)G03F7/20(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称光学邻近修正方法和掩膜版的制作方法(57)摘要一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法,其中光学邻近修正方法包括:提供目标图形;根据若干经验规则,分别对所述目标图形进行模拟修正,获取与各经验规则对应的模拟修正图形;根据若干模拟修正图形,获取参考经验规则;根据所述参考经验规则,对所述目标图形进行所述第一修正处理,获取第一目标修正图形;对所述第一目标修正图形进行第二修正处理,获取第二目标修正图形,所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。所述方法能够有效提升光学邻近修正后的图形效果。CN113835293ACN113835293A权利要求书1/2页1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:提供目标图形;根据若干经验规则,分别对所述目标图形进行模拟修正,获取与各经验规则对应的模拟修正图形;根据若干模拟修正图形,获取参考经验规则;根据所述参考经验规则,对所述目标图形进行第一修正处理,获取第一目标修正图形;对所述第一目标修正图形进行第二修正处理,获取第二目标修正图形,所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,根据若干经验规则,分别对所述目标图形进行模拟修正,获取与各经验规则对应的模拟修正图形的方法包括:根据经验规则,分别对所述目标图形的边缘进行偏移处理,获取与各经验规则对应的模拟偏移图形;分别对各模拟偏移图形进行模拟曝光,获取与各经验规则对应的模拟修正图形。3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述偏移处理的偏移量X包括:奈奎斯特值/3、奈奎斯特值/6或者奈奎斯特值/12。4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,根据若干模拟修正图形,获取参考经验规则的方法包括:获取各模拟修正图形的第二边缘放置误差;获取若干第二边缘放置误差中的最小值;将所述最小值对应的模拟修正图形作为参考图形;将所述参考图形对应的经验规则作为参考经验规则。5.如权利要求3所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述第二修正处理的方法包括:根据若干模拟修正图形,获取第二修正模型;根据所述第二修正模型,对所述第一目标修正图形进行多次光学邻近修正迭代。6.如权利要求5所述的光学邻近修正方法,其特征在于,根据若干模拟修正图形,获取第二修正模型的方法包括:根据各经验规则进行的N次偏移,获取N个偏移量X、以及与各经验规则对应的N个模拟修正图形的位置信息C(X);根据N个偏移量X和N个位置信息C(X),获取修正系数dc/dx;根据修正系数dc/dx,得到第二修正模型为,Xi表示第二修正处理中的第i次光学邻近修正的偏移量,Ci-1-T表示第二修正处理中进行的第i-1次光学邻近修正的第三边缘放置误差,T表示目标图形的位置信息。7.如权利要求6所述的光学邻近修正方法,其特征在于,根据N个偏移量X和N个位置信息C(X),获取所述修正系数dc/dx,C0表示偏移量为0时的模拟修正图形的位置信息,C3表示根据经验规则,偏移量X为奈奎斯特值/3的模拟修正图形的位置信息,C6表示根据经验规则,偏移量X为奈奎斯特值/6的模拟修正图形的位置信息,C12表示根据经验规则,偏移量X为奈奎斯特值/12的模拟修正图形的位置信息。8.如权利要求6所述的光学邻近修正方法,其特征在于,根据所述第二修正模型,对所2CN113835293A权利要求书2/2页述第一目标修正图形进行多次光学邻近修正迭代的方法包括:获取目标修正图形;获取目标修正图形的第三边缘放置误差;根据第二修正模型和第三边缘放置误差,对所述目标修正图形进行一次光学邻近修正,获取光学邻近修正图形;获取光学邻近修正图形的第一边缘放置误差;当所述光学邻近修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之外时,进行下一次光学邻近修正。9.如权利要求8所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取目标修正图形的方法为:进行第一次光学邻近修正时,将第一目标修正图形作为目标修正图形。10.如权利要求8所述的光学邻近修正方法,其特征在于,获取目标修正图形的方法为:进行第一次光学邻近修正以后的任一次光学邻近修正时,将