光学邻近修正方法、掩膜版制作及半导体结构的形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114200767A(43)申请公布日2022.03.18(21)申请号202010912778.5(22)申请日2020.09.02(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司(72)发明人王占雨贺婷覃柳莎王杰张迎春(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人徐文欣(51)Int.Cl.G03F1/36(2012.01)G03F7/20(2006.01)权利要求书3页说明书8页附图8页(54)发明名称光学邻近修正方法、掩膜版制作及半导体结构的形成方法(57)摘要一种光学邻近修正方法、掩膜版制作及半导体结构的形成方法，包括：提供第一目标版图，所述第一目标版图中包括第一目标图形和第二目标图形；获取第一曝光图像，所述第一曝光图像中包括第一曝光图形和第二曝光图形；根据所述第一目标版图对所述第一曝光图像进行检测，获取第一缺陷图形和第二缺陷图形；根据所述第一缺陷图形和所述第二缺陷图形获取补偿尺寸；根据所述补偿尺寸对第一目标版图进行补偿修正，获取第二目标版图。由于获取的第二目标版图中的图形经过了补偿修正，因此能够降低因第一目标图形和第二目标图形之间相互吸引而带来的图形位置的偏差，提升了修正后的图形效果，进而提升最终由所述第二目标版图所形成的半导体结构的性能。CN114200767ACN114200767A权利要求书1/3页1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：。提供第一目标版图，所述第一目标版图中包括沿第一方向平行排布的若干第一目标图形和若干第二目标图形；根据所述第一目标版图获取第一曝光图像，所述第一曝光图像中包括若干第一曝光图形和若干第二曝光图形，所述第一曝光图形与所述第一目标图形对应，所述第二曝光图形与所述第二目标图形对应；根据所述第一目标版图对所述第一曝光图像进行检测，在若干所述第一曝光图形中获取第一缺陷图形，在若干所述第二曝光图形中获取第二缺陷图形，所述第一缺陷图形和所述第二缺陷图形相邻，且所述第一缺陷图形和所述第二缺陷图形具有缺陷；根据所述第一缺陷图形和所述第二缺陷图形获取补偿尺寸；根据所述补偿尺寸对第一目标版图进行补偿修正，获取第二目标版图。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述第一曝光图像的方法包括：对所述第一目标版图进行若干次光学邻近修正处理，获取第一光学邻近修正版图；对所述第一光学邻近修正版图进行模拟曝光处理获取所述第一曝光图像。3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述第一曝光图像的方法包括：对所述第一目标版图进行若干次光学邻近修正处理，获取第一光学邻近修正版图；提供基底；根据所述第一光学邻近修正版图对所述基底进行图形化工艺处理，形成半导体结构；对所述半导体结构进行实际曝光处理，获取所述第一曝光图像。4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一目标图形和所述第二目标图形均沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第二目标图形的长度尺寸大于所述第一目标图形的长度尺寸，所述长度尺寸沿所述第二方向。5.如权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取相邻所述第一缺陷图形和所述第二缺陷图形的方法包括：获取所述第一目标版图中相邻所述第一目标图形和第二目标图形之间的若干第一目标间距；获取所述第一曝光图像中与相邻所述第一目标图形和所述第二目标图形对应的相邻所述第一曝光图形和所述第二曝光图形之间的若干第一测量间距，所述第一测量间距与所述第一目标间距数量相等且一一对应；将对应的所述第一目标间距与所述第一测量间距进行对比，若存在一个或多个所述第一测量间距小于对应的所述第一目标间距，则对应的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形为所述第一缺陷图形和所述第二缺陷图形。6.如权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述第一目标版图中相邻所述第一目标图形和所述第二目标图形之间的若干第一目标间距的方法包括：将所述第一目标图形沿所述第二方向进行虚拟延长，直至所述第一目标图形长度尺寸与相邻的所述第二目标图形的长度尺寸相等，获取虚拟第一目标图形；将相邻的所述虚拟第一目标图形和所述第二目标图形沿所述第二方向分割为若干第一分割段，且若干所述第一分割段沿所述第二方向以1～N的序号标示，N为自然数，且N≥2；获取序号相同的相邻所述第一分割段之间的距离，作为所述第一目标间距，并将所述序号作为所述第一目标间距的序号。7.如权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述第一曝光图像中相邻所述第一曝光图形和所述第二曝光图形之间的若干第一测量间距的方法包括：将所述第一曝光图形沿所述第二方向进行虚拟