光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115903368A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202110988906.9(22)申请日2021.08.26(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限公司(72)发明人杜杳隽(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327专利代理师高静(51)Int.Cl.G03F1/36(2012.01)G03F7/20(2006.01)权利要求书3页说明书18页附图8页(54)发明名称光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质(57)摘要一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供目标图形；将目标图形的边分割为多个第一线段，包括两端点、位于两端点间的第一采样点；利用第一线段，对目标图形进行第一光学邻近修正处理，形成第一初始修正后图形、相应第一模拟图形；判断端点处，第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准；未达到修正标准时，在端点处设立第二采样点，在第二采样点两侧截取部分长度的第一线段平移至目标位置，构成第二线段，剩余第一线段作为第三线段，形成第二初始修正后图形；利用第二线段和第三线段，对第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，形成光罩图形。本发明提高光学邻近修正的效果。CN115903368ACN115903368A权利要求书1/3页1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供目标图形；将所述目标图形的轮廓对应的边分割为多个依次相连的第一线段，所述第一线段包括两个端点、以及位于所述两个端点之间的第一采样点；利用多个所述第一线段，对所述目标图形进行第一光学邻近修正处理，直至所述第一采样点处的边缘放置误差的绝对值位于第一阈值范围内，形成第一初始修正后图形、以及与所述第一初始修正后图形相对应的第一模拟图形；判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准；当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准时，将所述第一初始修正后图形作为光罩图形；当所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准时，在所述端点位置处设立第二采样点，且在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，截取相邻所述第一采样点之间的部分长度的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段，所述第二采样点位于所述第二线段上，剩余所述第一线段作为第三线段，所述第三线段与所述第二线段交替设置，形成第二初始修正后图形；利用多个所述第二线段和第三线段，对所述第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，直至所述第一采样点和第二采样点处的边缘放置误差的绝对值均位于第二阈值范围内，形成光罩图形。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述提供目标图形的步骤中，所述目标图形的延伸方向为第一方向，且所述目标图形的轮廓具有沿所述第一方向延伸的边；将所述目标图形的轮廓所对应的边分割为多个第一线段的步骤中，将所述目标图形沿所述第一方向延伸的边分割为多个第一线段。3.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准的步骤包括：判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否满足第一预设条件，所述第一预设条件为δ1×δ2＜0，其中，δ1为所述第一线段任一端点处，所述第一模拟图形的边缘放置误差，δ2为所述第一线段另一端点处，所述第一模拟图形的边缘放置误差；当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未满足所述第一预设条件时，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准；当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差满足所述第一预设条件时，判断每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差是否满足第二预设条件，所述第二预设条件为|δ1－δ2|＞预设值，所述预设值为5nm至10nm；当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差未满足所述第二预设条件时，所述第一模拟图形的边缘放置误差达到修正标准；当每个所述端点位置处，所述第一模拟图形的边缘放置误差满足所述第二预设条件时，所述第一模拟图形的边缘放置误差未达到修正标准。4.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，将所述目标图形的轮廓对应的边分割为多个第一线段的步骤中，所述第一采样点位于相对应的所述第一线段的中心位置2CN115903368A权利要求书2/3页处。5.如权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，在所述第二采样点两侧的相邻第一线段中，分别截取相邻所述第一采样点之间长度相等的所述第一线段并平移至目标位置，用于构成第二线段