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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115993753A(43)申请公布日2023.04.21(21)申请号202111216495.8(22)申请日2021.10.19(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司(72)发明人陈术严中稳(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327专利代理师高静(51)Int.Cl.G03F1/36(2012.01)权利要求书3页说明书14页附图7页(54)发明名称光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质(57)摘要一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质,修正方法包括:提供设计版图,包括多个设计图形;获取对应设计版图的网格状的初始边界线,初始边界线经过设计图形,且初始边界线与经过的设计图形具有至少两个第一交点;在初始边界线上获取分割点,分割点位于初始边界线经过的设计图形的两侧、并与经过的设计图形的第一交点具有预设距离,位于相邻分割点之间、且经过设计图形的初始边界线作为第一边界线,剩余初始边界线作为第二边界线;在设计图形外侧形成第三边界线,第三边界线通过分割点与第二边界线交替首尾相接,第三边界线和第二边界线构成目标边界线。本发明有利于减少设计图形因被分割而产生跳变现象的概率。CN115993753ACN115993753A权利要求书1/3页1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:提供设计版图,所述设计版图包括多个设计图形;获取对应所述设计版图的网格状的初始边界线,所述网格状的初始边界线经过所述设计图形,且所述初始边界线与经过的所述设计图形具有至少两个第一交点;在所述初始边界线上获取分割点,所述分割点位于所述初始边界线经过的所述设计图形的两侧、并与经过的所述设计图形的所述第一交点具有预设距离,位于相邻所述分割点之间、且经过所述设计图形的初始边界线作为第一边界线,剩余初始边界线作为第二边界线;在所述设计图形外侧形成第三边界线,所述第三边界线通过所述分割点与所述第二边界线交替首尾相接,所述第三边界线和第二边界线构成目标边界线,所述目标边界线将所述设计版图分为多个子区域。2.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述在所述设计图形外侧形成第三边界线,包括:沿所述设计图形的轮廓形成所述第三边界线。3.如权利要求2所述的光学邻近修正方法,其特征在于,在所述初始边界线上获取分割点的步骤包括:对所述设计图形进行膨胀处理,使所述设计图形的每条边向所述设计图形外侧等距平移,形成扩张图形,其中,所述等距平移的距离为所述预设距离;获取所述扩张图形与所述初始边界线的第二交点,作为所述分割点;所述在所述设计图形外侧形成第三边界线,包括:沿所述初始边界线任一侧的所述扩张图形的轮廓,形成与所述轮廓相重合的第三边界线。4.如权利要求3所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述形成所述扩张图形之后,获取所述扩张图形与所述初始边界线的第二交点之前,还包括:判断相邻所述扩张图形是否交叠,并在相邻所述扩张图形交叠的情况下,去除相邻所述扩张图形交叠部分的轮廓线。5.如权利要求3所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述对所述设计图形进行膨胀处理,还包括:所述扩张图形包括通过所述初始边界线分割的两个子图形;所述沿所述初始边界线任一侧的所述扩张图形的轮廓,形成与所述轮廓相重合的第三边界线,包括:沿两个所述子图形中面积更小的所述子图形的轮廓,形成与所述轮廓重合的第三边界线。6.如权利要求1至3任一项所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述预设距离为3nm至5nm。7.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述光学邻近修正方法还包括:去除所述第一边界线。8.如权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,在所述设计图形外侧形成第三边界线后,还包括:当位于所述第二边界线同侧且相邻的第三边界线之间的最小间距小于或等于预设尺寸时,将相邻的所述第三边界线作为待处理边界线;在所述待处理边界线中,分别选取与所述第二边界线具有最大垂直距离的边作为基准边;比较所述基准边至第二边界线的垂直距离,将垂直距离更小的所述基准边所对应的待处理边界线作为第一待处理边界线,另一个所述待处理边界线作为第二待处理边界线;将所述第一待处理边界线的基准边向所述第二待处理边界线延长,直至与所述第二待2CN115993753A权利要求书2/3页处理边界线相接触,所述第二待处理边界线、第一待处理边界线和第二边界线围成封闭图形;去除所述封闭图形中,所述第一待处理边界线的基准边之外的其余轮廓线。9.如权利要求8所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述预设尺寸为20nm至30nm。10.如