单晶硅片倒角加工方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103056742A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103056742103056742A(43)申请公布日2013.04.24(21)申请号201210442491.6(22)申请日2012.11.07(71)申请人上海合晶硅材料有限公司地址201617上海市松江区贵南路500号(72)发明人沈辉辉黄春峰谢江华(74)专利代理机构上海脱颖律师事务所31259代理人李强(51)Int.Cl.B24B9/06(2006.01)权利要求书1页权利要求书1页说明书2页说明书2页(54)发明名称单晶硅片倒角加工方法(57)摘要本发明公开了一种单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，利用砂轮打磨硅片边缘，去除设定径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角；打磨次数为三次以上，三次以上打磨去除设定径向长度的硅片。本发明中的单晶硅片倒角加工方法，可以将硅片不良率降低一半，因划伤导致的硅片不良率从0.15%降低至0.087%。而且使用本发明中的方法加工的硅片用于生产外延片，外延片未产生滑移线，提高了外延片的合格率。CN103056742ACN10356742ACN103056742A权利要求书1/1页1.单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，利用砂轮打磨硅片边缘，去除设定径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角；打磨次数为三次以上，三次以上打磨去除设定径向长度的硅片。2.根据权利要求1所述的单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，分四次打磨去除设定径向长度的硅片。3.根据权利要求2所述的单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，前两次每次打磨去除硅片径向长度大于等于后两次每次去除硅片径向长度。4.根据权利要求3所述的单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，总去除硅片径向长度为0.7mm，第一次打磨去除径向长度为0.45-0.60mm；第二次打磨去除径向长度为0.01-0.1mm；第三次打磨去除径向长度为0.01-0.05mm；剩余需去除径向长度由第四次打磨去除。2CN103056742A说明书1/2页单晶硅片倒角加工方法技术领域[0001]本发明涉及一种单晶硅片倒角加工方法。背景技术[0002]为了增加单晶硅片的应力，需要对硅片边缘进行加工，使硅片边缘形成倒角。利用砂轮打磨可形成倒角。其中一种加工方法是分两次打磨加工，打磨去除径向长度为0.7mm。采用两次打磨的方法，因打磨而划伤硅片导致的硅片不良率达到了0.15%。采用两次打磨的加工方法的另一个缺点是加工的硅片在外延后会产生滑移线，产生滑移线的外延片比例最高达到7%。滑移线的长度约为3-5mm。发明内容[0003]本发明的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供一种可降低硅片不良率的单晶硅片倒角加工方法。[0004]为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现：[0005]单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，利用砂轮打磨硅片边缘，去除设定径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角；打磨次数为三次以上，三次以上打磨去除设定径向长度的硅片。[0006]优选地是，分四次打磨去除设定径向长度的硅片。[0007]优选地是，前两次每次打磨去除硅片径向长度大于等于后两次每次去除硅片径向长度。[0008]优选地是，总去除硅片径向长度为0.7mm，第一次打磨去除径向长度为0.45-0.60mm；第二次打磨去除径向长度为0.01-0.1mm；第三次打磨去除径向长度为0.01-0.05mm；剩余需去除径向长度由第四次打磨去除。[0009]本发明中的去除径向长度，是指硅片最外侧边缘处沿径向长度方向的去除径向长度，即沿径向长度方向去除的最大值。[0010]本发明中的单晶硅片倒角加工方法，可以将硅片不良率降低一半，因划伤导致的硅片不良率从0.15%降低至0.087%。而且使用本发明中的方法加工的硅片用于生产外延片，外延片未产生滑移线，提高了外延片的合格率。具体实施方式[0011]下面对本发明进行详细的描述：[0012]实施例1[0013]单晶硅片倒角加工方法，利用砂轮打磨硅片边缘，去除0.7mm径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角。打磨次数为四次，第一次打磨去除径向长度为0.5mm；第二次打磨去除径向长度为0.1mm；第三次打磨去除径向长度为0.05mm；第四次打磨去除0.05mm。[0014]实施例23CN103056742A说明书2/2页[0015]单晶硅片倒角加工方法，利用砂轮打磨硅片边缘，去除0.7mm径向长度的硅片，使硅片边缘形成倒角。打磨次数为四次，第一次打磨去除径向长度为0.5mm；第二次打磨去除径向长度为0.08mm；第三次打磨去除径向长度为0.05mm；第四次打磨去除0.07mm。[0016]实施例3[0017]单晶硅片倒角加工方法，利用砂轮打磨硅片边缘，去除0.7mm径向长度的硅片