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(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103229277A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103229277103229277A(43)申请公布日2013.07.31(21)申请号201180056998.1(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公(22)申请日2011.11.21司31100代理人徐伟(30)优先权数据61/418,0652010.11.30US(51)Int.Cl.H01L21/26(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日H01L21/3105(2006.01)2013.05.27(86)PCT申请的申请数据PCT/US2011/0617032011.11.21(87)PCT申请的公布数据WO2012/074816EN2012.06.07(71)申请人应用材料公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人S·巴录佳J·C·罗查-阿尔瓦雷斯A·T·迪莫斯权权利要求书2页利要求书2页说明书10页说明书10页附图9页附图9页(54)发明名称用于在UV腔室中调节晶圆处理轮廓的方法及装置(57)摘要提供用以提供遍布基板表面的均匀UV辐射照射轮廓的方法与装置。在一实施例中,一种基板处理工具包括:处理腔室,该处理腔室定义处理区域;基板支撑件,该基板支撑件用以支撑基板在该处理区域内;紫外线(UV)辐射源,该UV辐射源和该基板支撑件隔离,且该UV辐射源被配置成朝向设置在该基板支撑件上的该基板传输紫外线辐射;以及光透输窗口,该光透射窗口设置在该UV辐射源与该基板支撑件之间,该光透射窗口具有被涂覆在该光透射窗口上的光学膜层。在一示例中,该光学膜层在径向方向上具有非均匀厚度轮廓,其中该光学膜层在该光透射窗口的周边区域处的厚度比在该光学膜层的中心区域处的厚度相对更厚。CN103229277ACN103297ACN103229277A权利要求书1/2页1.一种基板处理工具,包含:处理腔室,该处理腔室定义处理区域;基板支撑件,该基板支撑件用以支撑一基板在该处理区域内;紫外线(UV)辐射源,该UV辐射源和该基板支撑件隔离,且该UV辐射源配置成朝向设置在该基板支撑件上的该基板传输紫外线辐射;以及光透射窗口,该光透射窗口设置在该UV辐射源与该基板支撑件之间,该光透射窗口具有被涂覆在该光透射窗口上的第一光学膜层。2.如权利要求1所述的处理工具,其中该第一光学膜层是中心-至-边缘的均匀层,该中心-至-边缘的均匀层完全地且连续地被沉积在该光透射窗口的表面上。3.如权利要求2所述的处理工具,其中该第一光学膜层包含单一抗反射涂层(ARC)或具有多个交替对比折射率层的压合ARC膜堆栈。4.如权利要求1所述的处理工具,其中该第一光学膜层在径向方向上具有非均匀厚度轮廓,其中该第一光学膜层在该光透射窗口的周边区域处的厚度比在该第一光学膜层的中心区域处的厚度相对更厚。5.如权利要求4所述的处理工具,其中该第一光学膜层在该中心区域处具有约20nm到约600nm的总厚度,并且该第一光学膜层在该周边区域处具有约80nm到约2000nm的总厚度。6.如权利要求1所述的处理工具,其中该光透射窗口的该中心区域未被涂覆该第一光学膜层,且该中心区域具有约50mm到100mm的直径。7.如权利要求1所述的处理工具,其中该第一光学膜层被涂覆在该光透射窗口面对该UV辐射源的第一表面上、在该光透射窗口面对该基板支撑件的第二表面上或在该光透射窗口的该第一和第二表面两者上。8.如权利要求3所述的处理工具,其中该压合ARC膜堆栈包含第一层与第二层,该第一层是氧化硅(SiO2)层且该第二层是氧化钛(TiO2)层或氧化锡(SnO2)层。9.如权利要求6所述的处理工具,还包含:红外线吸收层,该红外线吸收层被沉积在该第一光学膜层的该周边区域处,其中该红外线吸收层沿着该光透射窗口的该圆周具有约20mm到约80mm的恒定径向宽度。10.如权利要求1所述的处理工具,更包含:透明喷头,该透明喷头设置在该处理区域内且位于该光透射窗口与该基板支撑件之间,并且该透明喷头具有一或更多个通道被形成穿过该透明喷头,其中该透明喷头被涂覆有第二光学膜层,该第二光学膜层包含单一抗反射涂层(ARC)、具有多个交替对比折射率层的压合ARC膜堆栈、或二色性涂层。11.一种提供遍布基板的表面的均匀UV辐射照射轮廓的方法,该基板被放置在处理腔室中,该方法包含以下步骤:提供处理腔室,该处理腔室定义处理区域,该处理腔室具有UV辐射源;及将从该UV辐射源被放射的紫外线辐射传输通过光透射窗口而朝向设置在基板支撑件上的该基板,其中该光透射窗口被涂覆有第一光学膜层,且该第一光学膜层的厚度被调节成以致设置在该光透射窗口下方的该基板的周边接收比该基板的中心区域更高的UV照射。2CN103229277A权利要