用于在UV腔室中调节晶圆处理轮廓的方法及装置.pdf
骊英****bb
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相关资料
用于在UV腔室中调节晶圆处理轮廓的方法及装置.pdf
提供用以提供遍布基板表面的均匀UV辐射照射轮廓的方法与装置。在一实施例中,一种基板处理工具包括:处理腔室,该处理腔室定义处理区域;基板支撑件,该基板支撑件用以支撑基板在该处理区域内;紫外线(UV)辐射源,该UV辐射源和该基板支撑件隔离,且该UV辐射源被配置成朝向设置在该基板支撑件上的该基板传输紫外线辐射;以及光透输窗口,该光透射窗口设置在该UV辐射源与该基板支撑件之间,该光透射窗口具有被涂覆在该光透射窗口上的光学膜层。在一示例中,该光学膜层在径向方向上具有非均匀厚度轮廓,其中该光学膜层在该光透射窗口的周边
晶圆热处理腔室.pdf
本公开提供了一种晶圆热处理腔室,属于半导体技术领域。该腔室包括:壳体;载物台,设于所述壳体内;加热装置,至少部分设于所述壳体内,用于对所述载物台上的物体加热;测温装置,至少部分设于所述壳体内;阻隔板,设于所述载物台与所述测温装置之间。本公开可以降低热处理过程中晶圆残留物质挥发的气体对于热处理腔室控温精度的影响,改善晶圆热处理效果。
晶圆处理方法及晶圆处理装置.pdf
本申请涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理方法及晶圆处理装置。所述晶圆处理方法包括如下步骤:建立映射关系,所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理温度一一对应的多个降温处理时间,所述热处理温度是炉管制程中炉管达到的最高温度,所述降温处理时间根据晶圆的温度从所述热处理温度降低到目标温度的时间确定;获取目标晶圆处理工艺条件中的目标热处理温度;根据所述映射关系获取与所述目标热处理温度对应的目标降温处理时间;根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温。本申请节省了扩散机台对晶
晶圆处理装置及晶圆处理方法.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。所述晶圆处理装置包括:支撑台,具有用于承载晶圆的承载面;喷嘴,位于所述支撑台上方,且仅具有气体喷口,所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动,所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体,以除去所述晶圆表面残留的液体。本发明一方面,减少了所述晶圆表面液体的残留;另一方面,减少甚至是避免了晶圆易出现图案坍塌的问题,提高了晶圆产品的良率。
半导体加工腔室以及晶圆处理方法.pdf
本发明公开一种半导体加工腔室以及晶圆处理方法。半导体加工腔室包括:升降平台,设置有多个竖直延伸的通孔;设置在升降平台下方的基座组件,设置有多个开口朝上且竖直延伸的盲孔;以及多根顶针,包括贯穿所述通孔且插入到所述盲孔中的直杆以及从所述直杆的顶端径向向外伸出的限位部。与现有技术相比,本发明省去了一个专门用来升降顶针的平台,却没有省去相应的功能,这种半导体加工腔室的结构更加简单、可靠、制作成本也更低,同时,这种半导体加工腔室中的顶针也不会因为有这种倾斜的顶针升降平台而被折断。