晶圆热处理腔室.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110896040A(43)申请公布日2020.03.20(21)申请号201811063808.9(22)申请日2018.09.12(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司11438代理人袁礼君阚梓瑄(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称晶圆热处理腔室(57)摘要本公开提供了一种晶圆热处理腔室，属于半导体技术领域。该腔室包括：壳体；载物台，设于所述壳体内；加热装置，至少部分设于所述壳体内，用于对所述载物台上的物体加热；测温装置，至少部分设于所述壳体内；阻隔板，设于所述载物台与所述测温装置之间。本公开可以降低热处理过程中晶圆残留物质挥发的气体对于热处理腔室控温精度的影响，改善晶圆热处理效果。CN110896040ACN110896040A权利要求书1/1页1.一种晶圆热处理腔室，其特征在于，包括：壳体；载物台，设于所述壳体内；加热装置，至少部分设于所述壳体内，用于对所述载物台上的物体加热；测温装置，至少部分设于所述壳体内；阻隔板，设于所述载物台与所述测温装置之间。2.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述载物台为环形结构，所述加热装置包括红外灯管，所述测温装置包括高温计；所述腔室还包括：反射板，设于所述阻隔板的远离所述载物台的一侧，所述高温计嵌入所述反射板中。3.根据权利要求2所述的腔室，其特征在于，所述阻隔板的外周与所述壳体的内壁贴合。4.根据权利要求2所述的腔室，其特征在于，所述阻隔板为透明阻隔板。5.根据权利要求4所述的腔室，其特征在于，所述透明阻隔板的材质包括SiO2、Al2O3、ZrO2中的至少一种。6.根据权利要求2所述的腔室，其特征在于，所述载物台与所述阻隔板之间的距离为第一高度，所述阻隔板与所述反射板之间的距离为第二高度，所述第一高度小于或等于所述第二高度。7.根据权利要求6所述的腔室，其特征在于，所述第一高度为0.5～0.8mm，所述第二高度为0.8～1.0mm，所述阻隔板的厚度为0.8～1.8mm。8.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述载物台在所述阻隔板所在平面的投影位于所述阻隔板的边缘以内。9.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述腔室还包括：支撑杆，用于支撑所述阻隔板，所述阻隔板在所述支撑杆上的高度可调。10.根据权利要求1所述的腔室，其特征在于，所述载物台通过转轴与所述壳体转动连接。11.根据权利要求10所述的腔室，其特征在于，所述阻隔板通过所述转轴与所述壳体转动连接。2CN110896040A说明书1/6页晶圆热处理腔室技术领域[0001]本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆热处理腔室。背景技术[0002]在半导体制造中，热处理工艺经常被用于对晶圆进行内部晶格修复、离子激活以及生成氧化层、氮化层等。在热处理工艺中，通常将晶圆置于热处理设备的腔室中，控制腔室达到工艺所需的温度，使晶圆内部发生预期的变化。[0003]现有的热处理腔室中，多数是在热处理腔室内部设置测温装置，通过测温装置的反馈调节加热装置的功率，使热处理腔室达到工艺温度。可见，热处理腔室的控温精度极大的依赖于测温装置的精度。然而在半导体的热处理工艺中，由于前置工艺可能导致晶圆表面存在光刻胶、离子注入杂质物等残留物质，在热处理中这些残留物质以气体形式挥发到腔室中，可能对测温装置产生腐蚀，或者在测温装置外部形成镀层等，影响测温装置的精度，进而影响热处理腔室的控温精度，导致晶圆热处理工艺不良。[0004]需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。发明内容[0005]本公开的目的在于提供一种晶圆热处理腔室，进而至少在一定程度上克服现有的晶圆热处理腔室控温精度较低的问题。[0006]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。[0007]根据本公开的一个方面，提供一种晶圆热处理腔室，包括：壳体；载物台，设于所述壳体内；加热装置，至少部分设于所述壳体内，用于对所述载物台上的物体加热；测温装置，至少部分设于所述壳体内；阻隔板，设于所述载物台与所述测温装置之间。[0008]在本公开的一种示例性实施例中，所述加热装置包括红外灯管，所述载物台为环形结构，所述测温装置包括高温计；所述腔室还包括：反射板，设于所述阻隔板的远离所述载物台的一侧，所述高温计嵌入所述反射板中。[0009]在本公开的一种示例性实施例中，所述阻隔板的外周与所述壳体