半导体加工腔室以及晶圆处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110911338A(43)申请公布日2020.03.24(21)申请号201811075687.X(22)申请日2018.09.14(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人郗宁(74)专利代理机构北京律智知识产权代理有限公司11438代理人王艺涵阚梓瑄(51)Int.Cl.H01L21/687(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称半导体加工腔室以及晶圆处理方法(57)摘要本发明公开一种半导体加工腔室以及晶圆处理方法。半导体加工腔室包括：升降平台，设置有多个竖直延伸的通孔；设置在升降平台下方的基座组件，设置有多个开口朝上且竖直延伸的盲孔；以及多根顶针，包括贯穿所述通孔且插入到所述盲孔中的直杆以及从所述直杆的顶端径向向外伸出的限位部。与现有技术相比，本发明省去了一个专门用来升降顶针的平台，却没有省去相应的功能，这种半导体加工腔室的结构更加简单、可靠、制作成本也更低，同时，这种半导体加工腔室中的顶针也不会因为有这种倾斜的顶针升降平台而被折断。CN110911338ACN110911338A权利要求书1/2页1.一种半导体加工腔室，其特征在于，包括：升降平台，设置有多个竖直延伸的通孔；设置在升降平台下方的基座组件，设置有多个开口朝上且竖直延伸的盲孔；以及多根顶针，包括贯穿所述通孔且插入到所述盲孔中的直杆以及从所述直杆的顶端径向向外伸出的限位部。2.如权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述升降平台上升能挂住所述限位部以带动所述顶针上升，所述升降平台下降能使得所述顶针的顶端伸到所述升降平台的上方。3.如权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述基座组件包括多个竖直设置的筒体，每个筒体上设置有一个所述盲孔。4.如权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述通孔至少设置3个，所述盲孔至少设置3个，所述顶针至少设置3根，所有所述顶针不设置在同一竖直平面内。5.如权利要求4所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述顶针设置有三根，每两根所述顶针之间的距离相等。6.如权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述半导体加工腔室还包括从升降平台向下延伸的支撑柱，所述支撑柱用于驱动所述升降平台上升和下降。7.如权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述升降平台还设置有多个由每个通孔的顶端的内周壁径向向外凸出形成的让位空间，所述限位部能容纳于所述让位空间。8.如权利要求7所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述让位空间的形状与所述限位部的形状相匹配。9.如权利要求8所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述限位部为环形，所述让位空间为环空空间。10.如权利要求9所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述限位部的外径从顶端到底端渐缩，所述让位空间的内径从顶端到底端渐缩。11.如权利要求1所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述半导体加工腔室还包括容纳所述升降平台、所述基座组件和所述顶针的腔体；所述腔体设置有位于升降平台上方且朝向升降平台喷气的送气口，所述送气口连接到送气管，用于将反应气体运送至所述半导体加工腔室内。12.如权利要求11所述的半导体加工腔室，其特征在于，所述半导体加工腔室还包括设置在所述腔体内且位于升降平台上方的喷头；所述喷头顶部设置为连接所述送气口以及底部设置多个出气孔，多个所述出气孔用于均匀地喷射出反应气体。13.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括以下步骤：提供如权利要求1～12任意一项所述的半导体加工腔室；所述升降平台下降到平台上平面低于所述顶针的顶端，此时所述顶针的顶端高度为初始高度；将晶圆放置在顶针的顶部以使得所述顶针支撑起所述晶圆；所述升降平台上升至平台上平面高于所述初始高度以平托起所述晶圆并将所述顶针2CN110911338A权利要求书2/2页挂起。14.根据权利要求13所述的晶圆处理方法，其特征在于，还包括以下步骤：所述升降平台下降到平台上平面低于所述初始高度以使得所述顶针支撑起所述晶圆；将所述晶圆从所述顶针的顶部取下。3CN110911338A说明书1/6页半导体加工腔室以及晶圆处理方法技术领域[0001]本发明总体来说涉及一种半导体加工领域，具体而言，涉及一种半导体加工腔室以及晶圆处理方法。背景技术[0002]在半导体生产加工工艺中，常常需要将晶圆输送到半导体加工腔室内进行加工。为了方便机械臂将晶圆输送到半导体加工腔室内的第一升降台上，半导体加工腔室还设置有顶针装置和第二升降台。第二升降台设置在第一升降台的下方，顶针装置包括底板以及从顶板垂直伸出的多根顶针。顶针装置放置在第二升降台上，底板抵接于第二升降台，并且顶针贯穿第一升降台。