确定聚焦的方法、检查设备、图案形成装置、衬底以及器件制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CN104395830A(43)申请公布日(43)申请公布日2015.03.04(21)申请号201380032940.2(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任(22)申请日2013.06.03公司11021代理人张启程(30)优先权数据61/663,1152012.06.22US(51)Int.Cl.61/740,4062012.12.20USG03F7/20(2006.01)G03F1/44(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2014.12.22(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2013/0613702013.06.03(87)PCT国际申请的公布数据WO2013/189724EN2013.12.27(71)申请人ASML荷兰有限公司地址荷兰维德霍温(72)发明人P·海恩王淑锦C·李维斯鲍国峰权利要求书4页说明书23页附图22页(54)发明名称确定聚焦的方法、检查设备、图案形成装置、衬底以及器件制造方法(57)摘要一种确定光刻设备的聚焦的方法具有以下步骤。使用光刻过程在衬底上形成第一和第二结构，第一结构包括具有轮廓的特征，所述轮廓具有依赖于聚焦和例如剂量或像差的曝光扰动的不对称度。第二结构包括具有轮廓的特征，所述第二结构的特征轮廓对聚焦的敏感度与第一结构不同且对曝光扰动的敏感度与第一结构不同。散射仪信号用于确定用于形成第一结构的聚焦值。这可以通过使用第二散射仪信号和/或曝光过程中使用的所记录的曝光扰动设置以选择在使用第一散射仪信号或使用具有与第一和第二散射仪信号相关的参数的模型确定聚焦值中使用的校准曲线来完成。CN104395830ACN104395830A权利要求书1/4页1.一种确定在衬底上的光刻过程中使用的光刻设备的聚焦的方法，所述方法包括下述步骤：(a)接收包括通过使用光刻过程形成的第一结构的衬底；(b)在用辐射照射第一结构的同时检测散射辐射以获得第一散射仪信号；(c)基于具有至少一个特征的第一结构和基于用于形成第一结构的曝光扰动的信息，使用第一散射仪信号以确定用于形成第一结构的聚焦值，所述至少一个特征具有轮廓，所述轮廓具有依赖于光刻设备在衬底处的曝光扰动和聚焦的不对称度。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述曝光扰动包括曝光剂量。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述曝光扰动包括像差。4.根据任一项前述权利要求所述的方法，其中衬底还包括使用光刻过程形成的第二结构，所述方法还包括在使用辐射照射第二结构的同时检测散射辐射以获得第二散射仪信号；其中，所述方法还包括：基于具有至少一个特征的第二结构，使用第二散射仪信号以确定用于形成第一结构的聚焦值，所述第二结构的所述至少一个特征包括具有依赖于光刻设备在衬底处的曝光扰动和聚焦的形式的轮廓，但是对光刻设备在衬底处的聚焦的敏感度与第一结构不同且对光刻设备的曝光扰动的敏感度与第一结构不同。5.根据权利要求4所述的方法，其中第一结构和第二结构是镜像对称的，并且其中第二结构对光刻设备的曝光扰动的敏感度与第一结构的不同在于具有相似的敏感度幅值但是符号相反，并且其中，使用第二散射仪信号确定用于形成第一结构的聚焦值的步骤包括：使用第一散射仪信号和第二散射仪信号之间的差异。6.根据权利要求4或5所述的方法，还包括步骤：使用光刻过程在衬底上形成第一结构，所述第一结构包括具有轮廓的至少一个特征，所述第一结构的所述至少一个特征的所述轮廓具有依赖于光刻设备在衬底上的曝光扰动和聚焦的不对称度；和，使用光刻过程在衬底上形成第二结构，所述第二结构具有至少一个特征，所述第二结构的所述至少一个特征包括具有依赖于光刻设备在衬底上的曝光扰动和聚焦的形式的轮廓，但是对光刻设备在衬底上的聚焦的敏感度与第一结构不同且对光刻设备的曝光扰动的敏感度与第一结构不同。7.根据权利要求6或所述的方法，其中使用光刻过程形成第一和第二结构的步骤同时执行。8.根据权利要求4至7中任一项所述的方法，其中通过使用图像平面检测散射测量法执行在照射第一结构和第二结构的同时检测散射辐射的步骤。9.根据权利要求4至7中任一项所述的方法，其中通过使用光瞳平面检测散射测量法执行在照射第一结构和第二结构的同时检测散射辐射的步骤。10.根据权利要求4至9中任一项所述的方法，同时地执行在照射第一结构和第二结构的同时检测散射辐射的步骤。11.根据权利要求4至10中任一项所述的方法，其中第一散射仪信号和第二散射仪信号用于基于具有轮廓的第二结构的至少一个特征确定用于形成第一结构的聚焦值，所述第二结构的所述至少一个特征的所述轮廓具有依赖于光刻设备的曝光扰动的不对称度和在用于确定聚焦值的第二散射仪信号中产生不对称信息。12.根据权利要求4至1