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衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质.pdf
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衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质.pdf
本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，提供能够使成膜处理开始时的炉内状况稳定化的技术。具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序的技术，在前处理工序的第一步骤中，判定是否执行对构成装置的部件进行维护的保养制程程序。
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提供一种得到良好的膜质的衬底处理装置。进行：原料气体供给工序，在将收容于处理室的衬底维持在第一温度的同时，向所述处理室供给原料气体；第一除去工序，向所述处理室供给以比所述第一温度高的第二温度加热的非活性气体，除去残留在所述处理室中的所述原料气体；反应气体供给工序，向所述处理室供给反应气体；以及第二除去工序，向所述处理室供给非活性气体，除去残留在所述处理室中的所述反应气体。
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包括通过进行规定次数的包括如下工序的循环而在衬底上形成膜的工序，所述循环包括如下工序：对处理室内的衬底供给原料气体；将残留于处理室内的原料气体排出；对处理室内的衬底供给反应气体；将残留于处理室内的反应气体排出，在供给原料气体的工序中，在实质上停止了处理室内的排气的状态下，向处理室内供给原料气体，其后，在实质上停止了处理室内的排气及原料气体的供给的状态下，向处理室内供给惰性气体。
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本发明提供一种结构，具有：处理室，其对至少表面的一部分上形成有硅膜的衬底进行处理；升降机构，其使载置上述衬底的衬底载置部升降；第1气体供给系统，其将含卤族元素的处理气体向上述衬底供给；第2气体供给系统，其将非活性气体向上述衬底供给，其中非活性气体用于将上述处理气体向上述处理室外排出；排气部，其为了对上述处理气体及上述非活性气体进行排气而设在上述处理室的侧壁附近；和控制部，其以如下方式对上述升降机构、上述第1气体供给系统及上述第2气体供给系统进行控制：在调整了上述衬底载置部和上述排气部的高度的状态下，供给上
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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置。在使用经等离子体激发的含氧气体对在衬底上形成的硅膜和硅氮化膜进行氧化时,将上述膜选择性地氧化而形成氧化层。包括(a)将包含氧及氢的处理气体进行等离子体激发而生成反应种的工序;(b)将反应种供给至衬底,将分别露出于衬底之上而形成的硅膜及硅氮化膜的表面进行氧化的工序,其中,处理气体中所含的氧与氢的比率被以下述方式进行了调节,即,使得在(b)中,将硅氮化膜的表面氧化而形成的第2氧化层的厚度相对于将硅膜的表面氧化而形成的第1氧化层的厚度而言的比
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