衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112750720A(43)申请公布日2021.05.04(21)申请号202011018794.6(22)申请日2020.09.24(30)优先权数据2019-1980802019.10.31JP2020-1454752020.08.31JP(71)申请人株式会社国际电气地址日本东京都(72)发明人守田修久保修一山冈雄治(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256代理人李文屿(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/677(2006.01)权利要求书2页说明书15页附图7页(54)发明名称衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质(57)摘要本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，提供能够使成膜处理开始时的炉内状况稳定化的技术。具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序的技术，在前处理工序的第一步骤中，判定是否执行对构成装置的部件进行维护的保养制程程序。CN112750720ACN112750720A权利要求书1/2页1.半导体器件的制造方法，具有调整处理炉内的处理环境的前处理工序、处理衬底的成膜工序以及后处理工序，其中，在所述前处理工序的第一步骤中，判定是否执行对构成装置的部件进行维护的保养制程程序。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述前处理工序的第一步骤包含执行副制程程序的工序，在所述副制程程序的第一步骤中判定是否执行所述保养制程程序。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述副制程程序的第一步骤中，具有对执行所述保养制程程序的设定进行确认的工序和对预先设定的维护项目的当前值与阈值进行比较的工序。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，构成为在所述维护项目的当前值到达所述阈值的情况下，执行所述保养制程程序，并执行所述副制程程序的第一步骤之后的下一步骤。5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述副制程程序还具有搬送衬底的移载步骤，构成为在执行所述副制程程序的第一步骤后执行所述移载步骤。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，构成为在执行所述移载步骤后，使所述副制程程序结束并向所述前处理工序的第一步骤之后的下一步骤转移。7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，构成为在所述保养制程程序没有正常结束的情况下，强制性地使所述副制程程序结束，并执行所述后处理工序。8.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，构成为在所述保养制程程序结束后将所述维护项目的当前值设为零。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述前处理工序的第一步骤中，如果设定有规定的维护处理，则执行副制程程序，如果没有设定所述规定的维护处理，则不执行副制程程序，执行所述前处理工序。10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述前处理工序至少包含将衬底装填于衬底保持件的工序、以及调整供处理炉的下侧的衬底保持件和衬底待机的移载环境的工序。11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述保养制程程序包含从由吹扫制程程序、预热制程程序以及清洁制程程序构成的组选择的至少一个制程程序。12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，所述吹扫制程程序构成为在处理炉内的温度和/或压力维持在规定值的状态下执行供给吹扫气体的工序。13.根据权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，所述吹扫制程程序包含将衬底保持件插入处理炉内的工序和从处理炉取出衬底保持2CN112750720A权利要求书2/2页件的工序。14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，所述吹扫制程程序还包含用于冷却所述衬底保持件的冷却工序。15.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，从由“使用次数”、“使用时间”、“装置内滞留时间”、“累积膜厚”、“可使用剩余片数”、“待机时间”、“维护处理执行次数”、“虚设晶片的使用次数”、“虚设晶片累积膜厚”构成的组选择至少一个以上作为所述维护项目。16.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，从由“无指定”、“警报报告”、“禁止执行作业”、“手动启动维护作业”、“自动启动维护作业”、“警报制程程序调用”构成的组选择一个作为所述维护处理。17.根据权利要求16所述的半导体器件的制造方法，其中，在选择所述“警报制程程序调用”作为所述维护处理的情况下，执行副制程程序。18.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，作为构成所述装置的部件，从由设为“FOUP”的晶片盒、设为“WAFER”的晶片、设为“BOAT”的晶舟、设为“TUBE”的反应管、设为“EQU