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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105935912A(43)申请公布日2016.09.14(21)申请号201610112959.3(22)申请日2016.02.29(30)优先权数据2015-0411752015.03.03JP(71)申请人株式会社迪思科地址日本东京都(72)发明人竹之内研二(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127代理人李辉于靖帅(51)Int.Cl.B24B7/22(2006.01)B24D5/06(2006.01)B24D3/28(2006.01)H01L21/304(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称磨削磨轮和磨削装置以及晶片的磨削方法(57)摘要提供磨削磨轮和磨削装置以及晶片的磨削方法,对由难磨削材料形成的晶片或者包含金属的晶片顺畅地进行磨削。磨削磨轮(74)包含如下的部分:磨削磨具(74a),其是使金刚石磨粒(P1)与作为光催化材料粒的氧化钛粒(P2)混合并借助树脂粘结剂(B1)固定而成的;以及轮基台(74b),其在自由端部呈环状地配设磨削磨具(74a)。CN105935912ACN105935912A权利要求书1/1页1.一种磨削磨轮,其中,该磨削磨轮具有:环状的轮基台,其具有下端部;以及多个磨削磨具,它们固定安装于该轮基台的该下端部的外周,是使磨粒与光催化材料混合并借助粘结剂固定而成的。2.根据权利要求1所述的磨削磨轮,其中,所述磨粒是金刚石磨粒,所述光催化材料粒是氧化钛(TiO2)粒。3.一种晶片的磨削方法,其特征在于,该晶片的磨削方法具有如下的工序:晶片保持工序,在卡盘工作台上保持晶片;磨削工序,将使磨粒与光催化材料混合并借助粘结剂固定而成的多个磨削磨具推抵于保持在该卡盘工作台上的晶片上,一边供给磨削水一边使该磨削磨具和该卡盘工作台旋转而对晶片进行磨削;以及光照射工序,在晶片的磨削过程中,对该磨削磨具照射激发光催化材料粒的光而对所供给的磨削水赋予基于羟基自由基的氧化力。4.一种磨削装置,其中,该磨削装置具有:卡盘工作台,其对晶片进行吸引保持;磨削单元,其具有:主轴;轮安装座,该轮安装座固定于该主轴的下端部;以及磨削磨轮,该磨削磨轮具有环状的基台以及固定安装于该基台的下端部外周的多个磨削磨具,且该磨削磨轮以能够装拆的方式装配于该轮安装座;磨削水供给单元,其对所述多个磨削磨具供给磨削水;以及光照射单元,其对该磨削磨轮的该磨削磨具照射激发光催化材料粒的光而对所供给的磨削水赋予基于羟基自由基的氧化力。2CN105935912A说明书1/6页磨削磨轮和磨削装置以及晶片的磨削方法技术领域[0001]本发明涉及对晶片进行磨削的磨削磨轮和具有磨削磨轮的磨削装置以及晶片的磨削方法。背景技术[0002]对于在正面上通过分割预定线(间隔道)划分而形成有IC、LSI、LED和SAW器件等器件的晶片而言,在借助具有能够使磨削磨轮旋转的磨削装置对晶片背面进行磨削并形成为规定的厚度之后,借助划片装置、激光加工装置等分割装置分割成各个器件,并用于各种电子设备等。[0003]并且,磨削装置包含如下的部分:卡盘工作台,其对晶片进行保持;磨削单元,其以能够旋转的方式安装了呈环状地配设有磨削磨具的磨削磨轮,该磨削磨具对保持于卡盘工作台上的晶片进行磨削;磨削水供给单元,其对磨削区域供给磨削水;以及磨削进给单元,其使磨削单元接近及远离卡盘工作台,该磨削装置能够将晶片高精度地磨削至所期望的厚度(例如,参照专利文献1)。[0004]专利文献1:日本特开2001-284303号公报[0005]但是,在晶片由氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)或者镓砷(GaAs)等难磨削材料形成的情况下,存在磨削磨轮的磨削能力降低、生产性降低的问题。并且,在对由金属形成的晶片或者在晶片的背面局部地露出了金属电极的晶片进行磨削的情况下,存在由于金属的延展性而导致磨削变困难的问题。发明内容[0006]因此,本发明的目的在于提供一种磨削磨轮和使用了该磨削磨轮的晶片的磨削方法,该磨削磨轮能够对由难磨削材料形成的晶片或者包含金属的晶片进行顺畅地磨削。[0007]根据本发明的第1方面,提供一种磨削磨轮,该磨削磨轮具有:环状的轮基台,其具有下端部;以及多个磨削磨具,它们固定安装于该轮基台的该下端部的外周,是使磨粒与光催化材料混合并借助粘结剂固定而成的。[0008]优选所述磨粒是金刚石磨粒,所述光催化材料粒是氧化钛(TiO2)粒。[0009]根据本发明的第2方面,提供一种晶片的磨削方法,其特征在于,所述晶片的磨削方法具有如下的工序:晶片保持工序,在卡盘工作台上保持晶片;磨削工序,将使磨粒与光催化材料混合并借助粘结剂固定而成的多个磨削磨具推抵于保持在该卡盘工作台上的晶片上,一边供给磨