一种压延铜箔粗化处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106350862A(43)申请公布日2017.01.25(21)申请号201610760784.7(22)申请日2016.08.30(71)申请人灵宝金源朝辉铜业有限公司地址472500河南省三门峡市灵宝市城东产业集聚区(72)发明人吴婷徐蛟龙李照华李荣平乔亚峰秦为钊赵磊(74)专利代理机构郑州联科专利事务所(普通合伙)41104代理人时立新(51)Int.Cl.C25F3/02(2006.01)C25F1/04(2006.01)C23G1/20(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图1页(54)发明名称一种压延铜箔粗化处理方法(57)摘要本发明公开了一种压延铜箔粗化处理方法，压延铜箔开卷后依次经过电解脱脂、化学脱脂、活化、粗化、水洗、烘干及收卷；可在生产流水线上进行。通过在弱酸体系中，对压延铜箔只进行一次粗化处理，在铜箔表面生长一层较牢固的二元或三元金属合金镀层。本发明替代传统的复杂粗化工艺，工艺简单，成本低；在铜箔表面形成微细的粗化颗粒，粗糙度低，且比表面积大，抗剥离强度较大，处理后的铜箔属于超低轮廓，符合高频、高速对低轮廓铜箔的应用要求。CN106350862ACN106350862A权利要求书1/1页1.一种压延铜箔粗化处理方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）电解脱脂：将压延铜箔及脱脂阳极浸于电解脱脂槽的脱脂溶液中，压延铜箔作为阴2极，通过接触导电辊进行导电，接通电源，电流密度为3~8A/dm；（2）化学脱脂：将步骤（1）处理后的压延铜箔浸于化学脱脂槽的脱脂溶液中；（3）活化：将步骤（2）处理后的压延铜箔浸于活化槽的活化溶液中；（4）粗化：将粗化阳极及步骤（3）处理后的压延铜箔浸于粗化槽的粗化溶液中，压延铜2箔作为阴极，通过接触导电辊进行导电，接通电源，电流密度为30~55A/dm；（5）水洗、烘干、收卷；其中，压延铜箔的厚度为9~50μm，压延铜箔沿S形行走，以使压延铜箔分别进入电解脱脂槽、化学脱脂槽、活化槽及粗化槽内均呈U形，压延铜箔的行走速度为5~20m/min；步骤（1）所述电解脱脂及步骤（2）所述化学脱脂所用的脱脂溶液是浓度为40~80g/L的氢氧化钠溶液，脱脂溶液的温度为50~70℃；所述电解脱脂槽与化学脱脂槽相连通，脱脂溶3液经过滤后注入电解脱脂槽，并从化学脱脂槽溢流出，脱脂溶液的循环流速为8~15m/h；2+步骤（3）中所述活化溶液是硫酸铜与硫酸的混合溶液，活化溶液中Cu的浓度为5~15g/L、硫酸的浓度为80~200g/L，活化溶液的温度为20~40℃，活化溶液持续注入、同时溢流3出活化槽的循环流速为8~15m/h；步骤（4）中所述粗化溶液为含硫酸铜、助电解质及添加剂的混合水溶液，所述助电解质为镍、锡、锌、钴、钼及钨的硫酸盐或硫化物中的一种或两种，所述添加剂为聚乙二醇400、聚乙二醇6000、十二烷基磺酸钠及脂肪酸钠中的一种；粗化溶液中硫酸铜的浓度为10~30g/L、助电解质的浓度为10~40g/L、添加剂的浓度为1~100ppm；粗化溶液的温度为25~45℃，3pH为2~5，粗化溶液持续注入、同时溢流出粗化槽的循环流速为10~20m/h。2.根据权利要求1所述的压延铜箔粗化处理方法，其特征在于：步骤（1）所述脱脂阳极为不锈钢板；步骤（4）所述粗化阳极为板状的钛涂铱电极。3.根据权利要求1所述的压延铜箔粗化处理方法，其特征在于：步骤（4）中粗化溶液的pH用酒石酸、硼酸、醋酸-醋酸钠缓冲液、柠檬酸-柠檬酸钠缓冲液中的一种或两种来调节。4.根据权利要求1所述的压延铜箔粗化处理方法，其特征在于：步骤（5）中水洗采用纯水连续喷淋清洗。5.根据权利要求1所述的压延铜箔粗化处理方法，其特征在于：步骤（5）中烘干的温度为120~180℃。2CN106350862A说明书1/5页一种压延铜箔粗化处理方法技术领域[0001]本发明属于压延铜箔技术领域，具体涉及一种压延铜箔粗化处理方法。背景技术[0002]数据统计表明，在未来几年，汽车电子、穿戴电子和服务器/存储/通讯外围产品将成为除智能手机外的三类主要驱动FPC（柔性电路板）市场扩大的产品领域。近年来，在电子产品市场的大量冲击下，终端产品要求FPC基材具备信号传输速度更快、传输损失更小的特征，因此，实现信号传输的高频化和高速化的步伐成为FCCL（软性铜箔基材）的发展方向。FCCL由铜箔和PI膜（聚酰亚胺薄膜）压合而成，高频和高速要求铜箔在保持良好的抗剥离强度的同时，具备更低轮廓。[0003]压延铜箔进表面粗糙化处理才可以更好与PI膜较好压合。目前，国内对压延铜箔粗化处理工艺基本模仿电解铜箔的粗化处理方法，采用硫酸铜-硫酸镀铜体系，在大电流冲击且至少两次粗化“烧焦镀”和两次固化“包裹