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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108330489A(43)申请公布日2018.07.27(21)申请号201810357688.7C25D5/34(2006.01)(22)申请日2018.04.20(71)申请人云南惠铜新材料科技有限公司地址661400云南省红河哈尼族彝族自治州蒙自经济技术开发区冶金材料加工区个屯路南侧(大屯镇云锡大屯家园旁)(72)发明人邹迪华王鸿国刘吉扬(74)专利代理机构昆明合众智信知识产权事务所53113代理人张玺(51)Int.Cl.C23F1/18(2006.01)C23F1/08(2006.01)C25D7/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种平滑轮廓铜箔表面粗化处理方法(57)摘要本发明公开了一种平滑轮廓铜箔表面粗化处理方法。所述方法对铜箔毛面进行粗化,使用硫酸铜电解液,在经双氧水-硫酸微蚀液处理的铜箔毛面形成均匀的瘤化结晶;经双氧水-硫酸微蚀液处理的铜箔光面形貌不受影响;所述双氧水-硫酸微蚀液的浓度为10-50g/L。本发明的目的是旨在提供一种平滑轮廓铜箔表面处理工序的粗化步骤中,单独对铜箔毛面进行粗化处理,使铜箔毛面形成均匀的瘤化结晶,并使铜箔光面形貌不受影响,满足平滑轮廓铜箔在PCB制作过程中加工需求的平滑轮廓铜箔表面粗化处理方法。CN108330489ACN108330489A权利要求书1/1页1.一种平滑轮廓铜箔表面粗化处理方法,其特征在于,所述方法是在平滑轮廓铜箔表面处理工序中的粗化阶段对铜箔毛面进行粗化,使用硫酸铜电解液,在经双氧水-硫酸微蚀液处理的铜箔毛面形成均匀的瘤化结晶;经双氧水-硫酸微蚀液处理的铜箔光面形貌不受影响;所述双氧水-硫酸微蚀液的浓度为10-50g/L。2.根据权利要求1所述的一种平滑轮廓铜箔表面粗化处理方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)微蚀减成粗化:在铜箔毛面喷淋酸性微蚀液,对铜箔毛面进行微蚀减成粗化;对铜箔毛面进行微蚀减成粗化的同时,在铜箔光面喷淋DI水;(2)阴极极化加成:将经步骤(1)处理的平滑轮廓铜箔和粗化阳极浸于硫酸铜电解液中,平滑轮廓铜箔作为阴极,接通电源,完成表面瘤化。3.根据权利要求2所述的一种平滑轮廓铜箔表面粗化处理方法,其特征在于,步骤(2)所述的粗化阳极为板状的钛电极。4.一种平滑轮廓铜箔表面粗化处理装置,其特征在于,所述装置应用于权利要求1-3中任意一项所述的平滑轮廓铜箔表面粗化处理方法中。5.根据权利要求4所述的一种平滑轮廓铜箔表面粗化处理装置,其特征在于,包括微蚀槽和电沉积槽,所述微蚀槽和电沉积槽上均设置有用于平滑轮廓铜箔行走的导辊;所述平滑轮廓铜箔在微蚀槽和电沉积槽中的行走路线均为V形;所述微蚀槽内部设置有第一喷淋装置、第二喷淋装置和接水槽;所述电沉积槽中设置有板状的钛电极。6.根据权利要求5所述的一种平滑轮廓铜箔表面粗化处理装置,其特征在于,所述第一喷淋装置靠近铜箔毛面设置,所述第二喷淋装置靠近铜箔光面设置;所述接水槽置于微蚀槽底部;所述钛电极靠近铜箔毛面设置;所述电沉积槽内部置有硫酸铜电解液,所述钛电极浸没于硫酸铜电解液中;所述第一喷淋装置用的进液管与微蚀槽连通;所述第二喷淋装置用的进液管与接水槽连通。7.一种高速高频电路用铜箔,其特征在于,采用权利要求1至3中任一项所述的平滑轮廓铜箔表面粗化处理方法而得到。8.一种高速高频电路用铜箔,其特征在于,采用权利要求4至6中任一项所述的平滑轮廓铜箔表面粗化处理装置而得到。9.一种覆铜层压板,其特征在于,采用权利要求7至8中任一项所述的高速高频电路用铜箔与绝缘层树脂粘接而得到。10.一种印制电路板,其特征在于,采用权利要求9所述的覆铜层压板制得。2CN108330489A说明书1/4页一种平滑轮廓铜箔表面粗化处理方法技术领域[0001]本发明涉及一种平滑轮廓铜箔表面粗化处理方法,具体是涉及一种平滑轮廓铜箔表面粗化处理方法、该方法得到的高速高频电路用铜箔、该方法用的平滑轮廓铜箔表面粗化处理装置、该装置得到的高速高频电路用铜箔、使用该方法和/或该装置得到的高速高频电路用铜箔而制得的覆铜层压板、使用该覆铜层压板制得的印制电路板。背景技术[0002]近年来,随着电子产品和移动通讯的高速发展,印制电路板(PCB)的研究和应用也已走向成熟化和精细化,在PCB行业中,平滑轮廓铜箔作为高速高频电路导体将被大量应用于5G通信、微波基站、导航、军用雷达、云服务器等领域,以此来实现电讯号传导过程中的高速度和高频率,减少传输过程的趋肤效应和讯号损耗。[0003]一般地,用于PCB中的平滑轮廓铜箔,要求其与电路板绝缘层接触面必须具有足够的粘接强度,保证印制电路在制造过程中经钻孔、电镀、刻蚀等工序不产生脱落;其次平滑轮廓铜箔