研磨装置及研磨方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106660193A(43)申请公布日2017.05.10(21)申请号201580034242.5(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司720(22)申请日2015.02.2601代理人李婷刘林华(30)优先权数据2014-1289752014.06.24JP(51)Int.Cl.B24B49/02(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B24B7/17(2006.01)2016.12.23B24B41/047(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据B24B47/12(2006.01)PCT/JP2015/0557192015.02.26B24B49/10(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据G01B21/22(2006.01)WO2015/198635JA2015.12.30H01L21/304(2006.01)(71)申请人胜高股份有限公司地址日本东京都(72)发明人西村好信权利要求书1页说明书7页附图6页(54)发明名称研磨装置及研磨方法(57)摘要本发明提供一种研磨装置及研磨方法，本发明的双头研磨加工装置（1）具备：主轴驱动部（30），其使可安装砂轮（10）的主轴（31）旋转；移动部（90），其使主轴驱动部（30）沿接近远离晶片（W）的方向移动；及倾斜测量部（60），其测量主轴驱动部（30）的移动所伴随的主轴（31）的倾斜的变化。CN106660193ACN106660193A权利要求书1/1页1.一种研磨装置，其利用砂轮研磨被研磨物，其特征在于，具备：主轴驱动部，其使可安装所述砂轮的主轴旋转；移动部，其使所述主轴驱动部沿接近远离所述被研磨物的方向移动；及倾斜测量部，其测量所述主轴驱动部的移动所伴随的所述主轴的倾斜的变化。2.根据权利要求1所述的研磨装置，其特征在于，将具有平面状的被测量面的测量构件安装于所述主轴驱动部，所述倾斜测量部测量所述被测量面的倾斜的变化，作为所述主轴的倾斜的变化。3.根据权利要求1或2所述的的研磨装置，其特征在于，具备：状态判断部，其根据所述倾斜测量部中的测量结果，判断所述移动部是否为异常状态；及通知部，其通知所述状态判断部的判断结果。4.一种研磨方法，其利用砂轮研磨被研磨物，其特征在于，包括：接近工序，使主轴驱动部接近所述被研磨物，该主轴驱动部使可安装所述砂轮的主轴旋转；研磨工序，通过所述主轴驱动部使所述主轴旋转，并利用所述砂轮研磨所述被研磨物；远离工序，使所述主轴驱动部远离所述被研磨物；及测量工序，测量所述主轴驱动部的移动所伴随的所述主轴的倾斜的变化。2CN106660193A说明书1/7页研磨装置及研磨方法技术领域[0001]本发明涉及一种研磨装置及研磨方法。背景技术[0002]以往，已知有关于被研磨物的研磨的技术（例如，参考专利文献1、专利文献2）。[0003]在专利文献1中，公开有一种用于对作为被研磨物的半导体晶片（以下称为晶片）进行研磨（表面加工）的装置。[0004]在该装置中，可偏向地支承设置有按压到晶片的双面的环状底盘的旋转轴的至少一方，并测量该被可偏向地支承的旋转轴的倾斜角度，并根据所测量的倾斜角度推测晶片形状，并将推测结果与目标形状进行比较运算，并根据运算结果，使被可偏向地支承的旋转轴偏向。[0005]在专利文献2中，公开有一种用于对作为被研磨物的晶片进行同时双面研磨的方法。[0006]在用于实施该方法的装置中，在被固定于相对向的同一线上的主轴的两个旋转的研磨砥石之间，对晶片进行机械加工。晶片是在机械加工期间沿轴向以实质上无约束力的形式通过两个静压轴承来引导，且沿径向通过导向环来引导，且通过驱动装置来旋转的。并且，在半导体晶片的研磨期间，通过至少两个传感器测量至少一个静压轴承与研磨砥石之间的径向距离，并根据所述距离计算主轴位置的水平方向及垂直方向的校正位置，并与该计算对应地校正主轴位置。[0007]专利文献专利文献1：日本特开平11-254312号公报专利文献2：日本特开2009-95976号公报但是，在如专利文献1、专利文献2所记载的结构中，一般设置有移动部，所述移动部使移动侧环状底盘或研磨盘（以下，有时存在将移动侧环状底盘和研磨盘统称为砂轮的情况）沿接近远离晶片的方向移动。例如，在移动部具备导轨及滑动保持部的情况下，有可能发生如下现象，所述导轨与使砂轮旋转的驱动部一体设置，所述滑动保持部以可滑动的方式保持该导轨。[0008]若重复驱动部相对于晶片的移动，则例如滑动保持部磨损，而有可能导致导轨的端部与滑动保持部部分接触。若在该部分接触的状态下重复砂轮的接近远离，则促进滑动保持部的磨损，而有可能导致导轨的晃动变大。[0009]并且，若导轨的晃动变大，