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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN106457507A(43)申请公布日2017.02.22(21)申请号201580020769.2(74)专利代理机构上海华诚知识产权代理有限(22)申请日2015.04.10公司31300代理人肖华(30)优先权数据2014-0879452014.04.22JP(51)Int.Cl.B24B37/013(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B24B37/34(2006.01)2016.10.20B24B49/02(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据B24B49/12(2006.01)PCT/JP2015/0612242015.04.10H01L21/304(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2015/163164JA2015.10.29(71)申请人株式会社荏原制作所地址日本东京都大田区羽田旭町11番1号(72)发明人小林洋一八木圭太木下将毅盐川阳一权利要求书2页说明书14页附图19页(54)发明名称研磨方法及研磨装置(57)摘要本发明关于一种依据来自晶片等基板的反射光所含的光学信息测定膜厚,并研磨该基板的研磨方法及研磨装置。研磨方法准备分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群,在基板上照射光,并接收来自该基板的反射光,根据反射光生成抽样光谱,选择包含形状与抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群,研磨基板,并生成测定光谱,并从选出的光谱群选择形状与研磨基板时所生成的测定光谱最接近的参考光谱,取得对应于选出的参考光谱的膜厚。CN106457507ACN106457507A权利要求书1/2页1.一种研磨方法,其特征在于:准备分别包含对应于不同膜厚的多个参考光谱的多个光谱群,在基板上照射光,并接收来自该基板的反射光,根据前述反射光生成用于选择光谱群的抽样光谱,选择包含形状与前述抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群,研磨前述基板,并生成用于取得膜厚的测定光谱,从被选出的前述光谱群中选择形状与研磨前述基板的过程中所生成的前述测定光谱最接近的参考光谱,取得对应于被选出的前述参考光谱的膜厚。2.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:选择前述光谱群的工序是选择包含与前述抽样光谱的偏差最小的参考光谱的光谱群的工序。3.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:选择前述光谱群的工序是在研磨前述基板时执行的。4.根据权利要求3所述的研磨方法,其特征在于:选择前述光谱群的工序是使用预设的研磨时间内所生成的前述抽样光谱来执行的。5.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:选择前述光谱群的工序是在研磨前述基板前执行的。6.根据权利要求5所述的研磨方法,其特征在于:选择前述光谱群的工序是在前述基板与研磨垫之间存在纯水的状态下对前述基板进行水研磨时执行的。7.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:进一步包含:在研磨前述基板的过程中再次生成抽样光谱,再次选择包含形状与再次生成的前述抽样光谱最接近的参考光谱的光谱群的工序,从再次选出的前述光谱群中选择形状与研磨前述基板的过程中所生成的测定光谱最接近的参考光谱。8.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:按如下方法取得前述多个光谱群:研磨具有与前述基板的膜厚相同或比前述基板的膜厚大的膜厚的参考基板,并在该参考基板上所定义的多个区域照射光,根据从前述多个区域反射的光生成多个参考光谱,将前述多个参考光谱按照前述多个区域分类。9.根据权利要求8所述的研磨方法,其特征在于:预先选择在靠近要监视前述基板的膜厚的区域的区域所取得的多个光谱群。10.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:按如下方法取得前述多个光谱群:从具有与前述基板的膜厚相同或比前述基板的膜厚大的膜厚的多个参考基板中选择一个参考基板,研磨被选出的前述参考基板,并在该参考基板上照射光,2CN106457507A权利要求书2/2页根据从前述参考基板反射的光生成多个参考光谱而取得一个以上光谱群,逐片改变所选择的参考基板,并反复进行在前述参考基板上照射光的工序及取得一个以上光谱群的工序。11.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:分别包含于前述多个光谱群的前述多个参考光谱是通过光反射的模拟而取得的光谱。12.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:进一步包含:预先排除前述多个光谱群中的包含形状彼此接近的参考光谱的光谱群的工序。13.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:前述多个光谱群储存于多个研磨装置所共用的数据库中。14.根据权利要求13所述的研磨方法,其特征在于:共用的前述数据库包含关于前述多个光谱群的选择的历史记录信息。15.一种研磨方法,其特征在于:研磨参考基板而取得包含多个参考光谱的至少一个光谱群,以将前述参