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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110026881A(43)申请公布日2019.07.19(21)申请号201811597659.4B24B1/00(2006.01)(22)申请日2018.12.26(30)优先权数据2018-0014122018.01.09JP(71)申请人信越半导体株式会社地址日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号(72)发明人山田健人田中忠雄中村正三神头宏俊(74)专利代理机构北京京万通知识产权代理有限公司11440代理人许天易(51)Int.Cl.B24B37/00(2012.01)B24B37/34(2012.01)权利要求书1页说明书6页附图3页(54)发明名称研磨装置及研磨方法(57)摘要本发明提供一种研磨装置,是为批次式,包含贴附有研磨布的定盘,中心滚筒及导引滚筒,以及支承晶圆且与上述二个滚筒为得以旋转地接触的顶轮,研磨装置在通过定盘的旋转而使顶轮旋转的同时,将以顶轮所支承的晶圆推靠在研磨布而进行研磨,其中顶轮将支承晶圆的底盘予以支承在下方,而在与上述二个滚筒为相对向的区域设置有一个以上的外周沟,以外周沟以外的对向区域与上述二个滚筒接触,或是上述二个滚筒,在与顶轮相对向的区域设置有一个以上的滚筒沟,以滚筒沟以外的对向区域与顶轮接触。CN110026881ACN110026881A权利要求书1/1页1.一种研磨装置,是为批次式,所述研磨装置包含:定盘,贴附有研磨布;中心滚筒及导引滚筒,分别配设在所述定盘上的中心及外周;以及顶轮,支承晶圆,而与所述中心滚筒及所述导引滚筒为得以旋转地接触,所述研磨装置在通过所述定盘的旋转而使所述顶轮旋转的同时,将以所述顶轮所支承的所述晶圆推靠在所述研磨布而进行研磨,其中,所述顶轮将支承所述晶圆的底盘予以支承在下方,所述顶轮在外周侧面中,在与所述中心滚筒及所述导引滚筒相对向的区域设置有一个以上的外周沟,以所述外周沟以外的对向区域与所述中心滚筒及所述导引滚筒接触,或是所述中心滚筒及所述导引滚筒,在各滚筒面中,在与所述顶轮相对向的区域设置有一个以上的滚筒沟,以所述滚筒沟以外的对向区域与所述顶轮接触。2.一种研磨方法,是为批次式,所述研磨方法为:在贴附有研磨布的定盘上的中心及外周分别配设中心滚筒及导引滚筒,将与所述中心滚筒及所述导引滚筒为得以旋转地接触的顶轮所支承的晶圆,在通过所述定盘的旋转而使所述顶轮旋转的同时予以推靠在所述研磨布而进行研磨,其中,通过所述顶轮与所述中心滚筒及所述导引滚筒接触,且一边通过所述顶轮将支承所述晶圆的底盘予以支承在下方,而一边研磨所述晶圆时,使所述顶轮的外周侧面中,与所述中心滚筒及所述导引滚筒相对向的区域设置有一个以上的外周沟,以所述外周沟以外的对向区域与所述中心滚筒及所述导引滚筒接触而进行研磨,或是使所述中心滚筒及所述导引滚筒,在各滚筒面中,与所述顶轮相对向的区域设置有一个以上的滚筒沟,以所述滚筒沟以外的对向区域与所述顶轮接触而进行研磨。3.一种研磨装置,是为批次式,所述研磨装置包含:定盘,贴附有研磨布;中心滚筒及导引滚筒,分别配设在所述定盘上的中心及外周;以及顶轮,支承晶圆,而与所述中心滚筒及所述导引滚筒为得以旋转地接触,所述研磨装置在通过所述定盘的旋转而使所述顶轮旋转的同时,将以所述顶轮所支承的所述晶圆推靠在所述研磨布而进行研磨,其中,所述顶轮将支承所述晶圆的底盘予以支承在下方,所述中心滚筒及所述导引滚筒与所述顶轮为透过O型环接触。4.一种研磨方法,是为批次式,所述研磨方法为:在贴附有研磨布的定盘上的中心及外周分别配设中心滚筒及导引滚筒,将与所述中心滚筒及所述导引滚筒为得以旋转地接触的顶轮所支承的晶圆,在通过所述定盘的旋转而使所述顶轮旋转的同时予以推靠在所述研磨布而进行研磨,其中,通过所述顶轮与所述中心滚筒及所述导引滚筒接触,且一边通过所述顶轮将支承所述晶圆的底盘予以支承在下方,而一边研磨所述晶圆时,使所述中心滚筒及所述导引滚筒与所述顶轮为透过O型环接触而进行研磨。2CN110026881A说明书1/6页研磨装置及研磨方法技术领域[0001]本发明是关于一种批次式的研磨装置及研磨方法。背景技术[0002]在现有技术中,为了研磨硅晶圆等的晶圆,使用有包含用于支承晶圆的顶轮、及接触该顶轮所支承的晶圆而研磨晶圆表面的研磨布等的批次式的研磨装置。使用研磨装置,所追求的是具有没有伤痕而平坦性高的表面的研磨晶圆(专利文献1)。[0003]此处说明关于已知的一般批次式研磨装置。[0004]研磨装置中,贴附在定盘的研磨布的上方相对向地设置有复数个能够上下移动的顶轮。该顶轮的下方,配设有在研磨中支承一片以上的晶圆的底盘,顶轮支承该底盘。[0005]此外,定盘上在其中心及外周分别配设有中央滚筒及导引滚筒。顶轮在该定