粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107429417A(43)申请公布日2017.12.01(21)申请号201680020446.8(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通(22)申请日2016.03.25合伙)11277代理人刘新宇李茂家(30)优先权数据2015-0733562015.03.31JP(51)Int.Cl.C25D7/06(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B32B15/20(2006.01)2017.09.30C25D5/16(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H05K3/18(2006.01)PCT/JP2016/0596712016.03.25H05K3/38(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2016/158775JA2016.10.06(71)申请人三井金属矿业株式会社地址日本东京都(72)发明人饭田浩人松田光由吉川和广河合信之加藤翼权利要求书1页说明书16页附图5页(54)发明名称粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板(57)摘要提供一种在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅镀覆电路密合性、而且对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率也优异的表面轮廓的粗糙化处理铜箔。本发明的粗糙化处理铜箔为在至少一侧具有粗糙化处理面的粗糙化处理铜箔，粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且大致球状突起的平均最大直径bave相对于大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。CN107429417ACN107429417A权利要求书1/1页1.一种粗糙化处理铜箔，其在至少一侧具有粗糙化处理面，所述粗糙化处理面具备由铜颗粒形成的多个大致球状突起，所述大致球状突起的平均高度为2.60μm以下、并且所述大致球状突起的平均最大直径bave相对于所述大致球状突起的平均颈部直径aave的比bave/aave为1.2以上。2.根据权利要求1所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述比bave/aave为5.0以下。3.根据权利要求1或2所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述比bave/aave为1.3～2.0。4.根据权利要求1～3中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述大致球状突起的平均最大直径bave为2.5μm以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，b/a为1.2以上的大致球状突起在存在于所述粗糙化处理面的大致球状突起中所占的比率为60％以上，所述b/a是所述大致球状突起的最大直径b相对于大致球状突起的颈部直径a的比。6.根据权利要求1～5中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述大致球状突起的平均根部间隔距离为0.1～0.3μm。7.根据权利要求1～6中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述大致球状突起以1～10个/μm2的面密度存在。8.根据权利要求1～7中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理铜箔仅在一侧具有所述粗糙化处理面，并且高倾斜大致球状突起在所述大致球状突起的总数中所占的比率为30～60％，所述高倾斜大致球状突起为连结大致球状突起的根部分界线的中点和所述大致球状突起的顶点的线、与基准线所成的锐角为85°以下的大致球状突起，所述基准线平行于所述粗糙化处理铜箔的与所述粗糙化处理面相反侧的面。9.根据权利要求1～8中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其中，所述粗糙化处理铜箔具有0.5～5μm的厚度。10.根据权利要求1～9中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其用于对印刷电路板用的绝缘树脂层转印凹凸形状。11.根据权利要求1～10中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其用于利用半加成法(SAP)的印刷电路板的制作。12.一种带载体铜箔，其具备：载体箔；设置于该载体箔上的剥离层；以及权利要求1～11中任一项所述的粗糙化处理铜箔，其在该剥离层上以所述粗糙化处理面作为外侧的方式设置。13.一种覆铜层叠板，其是使用权利要求1～11中任一项所述的粗糙化处理铜箔或权利要求12所述的带载体铜箔而得到的。14.一种印刷电路板，其是使用权利要求1～11中任一项所述的粗糙化处理铜箔或权利要求12所述的带载体铜箔而得到的。2CN107429417A说明书1/16页粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板技术领域[0001]本发明涉及粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板。背景技术[0002]近年来，作为适于电路的微细化的印刷电路板的制造方法，广泛采用SAP(半加成，semi-additiveprocess)法。SAP法是极其适于形成微细的电路的方法，作为其一个例子，使用带载体粗糙化处理铜箔而进行。例如，如图1及2所示，使用预浸料12和底漆