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GaN基NiAu肖特基接触特性研究的中期报告
中期报告：GaN基NiAu肖特基接触特性研究
一、课题背景
氮化镓（GaN）作为具有极大应用潜力的宽禁带半导体材料之一，广泛应用于LED、LD、功率器件和微波器件等领域。而肖特基接触则是GaN电子器件中常见的电极形式。NiAu双金属肖特基接触由于具有优异的电学性能，在GaN器件中得到广泛应用。因此，研究GaN基NiAu肖特基接触的特性对于探究GaN电子器件的性能和稳定性具有重要意义。
二、课题研究进展
本研究采用了制备NiAu双金属薄膜的热蒸发技术，在氮化镓上制备出NiAu肖特基接触器件。并通过各种电学测试手段对器件性能进行了测试。
在接触电阻测试方面，我们采用了四探针测试法，得到了NiAu肖特基接触的接触电阻为2.3×10^-4Ω·cm^2。其值已经达到了同类肖特基接触的优异水平。
在温度依赖性测试方面，我们在常温至400K的范围内，采用了I-V测量法，得到了NiAu肖特基接触在不同温度下的电性能数据，并进一步得到了器件的激活能。结果表明，NiAu肖特基接触的激活能约为0.79eV。
在稳定性测试方面，我们利用PCT（PressureCookerTest）测试方法，对器件进行了长时间高温湿热（85℃，85%RH）环境下的测试，测试结果表明，NiAu肖特基接触器件的性能在长时间高温高湿环境下表现出稳定性。
三、下一步研究计划
本研究将进一步优化NiAu肖特基接触器件的性能，并研究所得到的接触器件在GaN电子器件中的应用。同时，我们还将探究其他金属肖特基接触的性能，并与NiAu肖特基接触进行比较，以期寻求更加理想的接触选择。