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GaN基肖特基二极管的输运和击穿特性研究的中期报告
本次研究针对GaN基肖特基二极管的输运和击穿特性展开研究，完成了中期报告。以下是报告主要内容：
一、研究背景
GaN材料具有高电子迁移率、高饱和漂移速度、高耐热性等优点，使其成为高频、高功率电子器件领域的理想选择。肖特基二极管是一种碳化硅等宽禁带半导体器件，在高压、高温和高频等方面具有更好的特性。近年来，GaN基肖特基二极管的研究进展迅速，但是其输运和击穿特性还需要进一步研究和探索。
二、研究目的
本次研究旨在探究GaN基肖特基二极管的输运和击穿特性，为其性能优化和应用提供基础数据和理论支持。
三、研究进展
1.输运特性
通过研究GaN基肖特基二极管的电流-电压特性和载流子寿命等参数，初步探究了其输运特性。实验结果表明，GaN基肖特基二极管具有优异的高频响应和短开关时间等特性，但也存在在大电场下电子速度饱和、空穴嵌入等问题。
2.击穿特性
采用Avalanche破坏模型和电场集中模型，分析了GaN基肖特基二极管的击穿特性。实验结果表明，在高电场下，GaN基肖特基二极管存在电场增强效应，表现出复杂的击穿特性。
四、结论与展望
本次研究初步探究了GaN基肖特基二极管的输运和击穿特性，为其性能优化和应用提供了一定的理论基础。下一步将继续深入研究电子速度饱和、空穴嵌入等问题，并探究GaN基肖特基二极管的优化设计和应用前景。