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GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究的中期报告
该报告旨在介绍GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究情况。
1.研究背景
GaN材料因具有较高的载流能力、热稳定性和较高的频率响应能力而在射频电子器件、功率电子器件和光电子器件等方面得到了广泛应用。而肖特基接触则是在GaN材料上制作高性能电极的一种重要方法。
然而，传统的AlGaN/GaN肖特基接触存在一些问题，如低质量因子、导致漏电流等。为了解决这些问题，新的肖特基接触结构和材料被提出并研究。
2.新结构
（1）基于金属/半金属混合接触的结构
通过在金属/半金属混合接触处增加一层金属，可以增加接触处的载流能力和提高质量因子。研究表明，使用Pd/Ag混合接触可以显著改善其性能。
（2）基于氧化物/氮化物混合接触的结构
将氧化物和氮化物混合形成的肖特基接触可以提高器件的性能，因为氧化物可以帮助抑制漏电和界面态。La-Sr-Al-O和La-Ni-O等氧化物被证明是优秀的混合材料。
3.新材料
（1）石墨烯
石墨烯因具有良好的导电性、热稳定性和可弯曲性而被广泛研究，被用作肖特基接触电极材料。研究表明，使用石墨烯作为电极材料可以显著降低电接触电阻。
（2）金属硅氮化物
金属硅氮化物由于具有良好的热稳定性、化学惰性和高电导率而被广泛应用于肖特基接触材料。ZrSiN和NbSiN等金属硅氮化物已被证明是优秀的肖特基接触材料。
4.结论
针对GaN基器件肖特基接触的问题，新的接触结构和材料正在不断研究。基于金属/半金属混合接触和氧化物/氮化物混合接触的结构、以及石墨烯和金属硅氮化物等新材料被证明可以显著提高器件的性能。未来，这些新的结构和材料有望被应用于实际的GaN基器件中。